张云森
- 作品数：5 被引量：9H指数：2
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 自组装制备硅纳米线阵列及其光致发光特性研究被引量：5
- 2009年
- 用微电化学催化腐蚀法制备了硅纳米线阵列,通过扫描电镜(SEM)观察了样品的表面形貌。用荧光光谱仪测量了有序硅纳米线阵列的光致发光特性,发现当激发波长增加时,有序硅纳米线阵列的光致发光峰位单调红移,发光强度也单调增强。对比多孔硅的发光机理和现有实验条件,对有序硅纳米线阵列可能的发光机理进行了讨论。
- 李智伟陈浩宋华冰余洲杨治美高艳丽张云森刘俊刚龚敏孙小松
- 关键词：多孔硅光致发光光谱扫描电镜发光机理
- LPCVD Si基转换生长3C-SiC薄膜的光学性质初探
- 在理论上,纯度较高、未经掺杂的间接带隙的3C-SiC半导体材料,在室温条件下是很难观察到荧光现象,但Si基上生长3C-SiC晶体薄膜一般需要较高的生长温度,在SiC-Si界面晶格失配和热膨胀系数的差异会形成大量的结构缺陷...
- 杨治美张云森廖熙杨翰飞晋勇孙小松龚敏
- LPCVDSi基转换生长3C-SiC薄膜的光学性质初探被引量：1
- 2009年
- 本文采用LPCVD技术在高温条件下,利用甲烷和氢气混合气体作为碳源,在n-Si(111)衬底上制备3C-SiC薄膜。通过XRD、XPS、SEM、FT-IR和PL研究发现:温度对3C-SiC薄膜的形貌和晶体质量有较大的影响,并且生长温度对3C-SiC薄膜的780 cm-1左右的FT-IR反射峰强度影响非常大;在室温测试条件下,3C-SiC薄膜有较强的蓝光波段的荧光峰。
- 杨治美张云森廖熙杨翰飞晋勇孙小松龚敏
- 关键词：光学性质晶格失配热膨胀系数
- 电化学阳极氧化制备多孔硅及其发光性能研究被引量：3
- 2011年
- 利用电化学阳极氧化法,通过控制电流密度和电解液的成分,在p型(100)硅衬底上制备了大孔的多孔硅结构,利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和紫外荧光光度计研究了不同条件下制备的多孔硅样品的行貌特征、结构和发光性能。在此基础上进一步考察了对多孔硅样品进行氢氟酸浸泡刻蚀和阴极氢饱和处理对其发光性能的影响。讨论了后处理对多孔硅发光性能影响的机理。
- 刘东来聂二勇张云森袁超沈晓帆杨治美刘俊刚龚敏孙小松
- 关键词：多孔硅光致发光
- Zn-ZnO纳米结构的制备及退火条件对其光学性能的影响
- 2010年
- 用电化学沉积方法在Si衬底上制备出Zn-ZnO纳米结构,并在空气中不同温度的条件下对其进行退火处理。分别用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和荧光光度分光计对所得样品进行表征。通过对测试结果的分析和讨论发现,退火过程改变了Zn-ZnO纳米结构的物相、结构和晶体质量,进而改变了它的荧光性能。重点关注退火过程对样品紫外荧光峰的影响,并通过高斯拟合揭示了各条件下紫外荧光峰的发光机理。通过比较,800℃的退火条件能明显改善Zn-ZnO纳米结构的表面形貌和晶体质量,显著增强其紫外荧光峰的强度。
- 聂二勇刘东来张云森杨治美刘俊刚龚敏孙小松
- 关键词：电化学沉积退火紫外荧光
