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师延进

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：电子工业部更多>>
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合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇LDD
  • 1篇MOSFET
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应管

机构

  • 1篇电子工业部

作者

  • 1篇师延进
  • 1篇赵军

传媒

  • 1篇微处理机

年份

  • 1篇1991
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
LDD MOSFET工艺研究
1991年
一、引言为了提高 MOS 集成电路的工作速度和集成密度,以往多采用等比例缩小方法。然而当 MOS 器件的尺寸缩小到一定程度后,会出现一系列问题,如阈值电压降低、漏源穿通电压下降,热电子效应引起的阈值电压不稳定,二次碰撞电离产生的衬底电流等。降低氧化层厚度和减小结深,虽然可以使阈值电压和源漏穿通电压降低问题得到改善。
师延进赵军
关键词：LDDMOSFET场效应管
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共1页<1>
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