吴克
- 作品数：26 被引量：27H指数：4
- 供职机构：北京大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教委资助优秀年轻教师基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 半连续金属膜在中断蒸镀后的电阻弛豫研究
- 1997年
- 在超高真空的环境中蒸镀半连续铌（Ｎｂ）膜和银（Ａｇ）膜，中断蒸镀后，立即原位测量样品电阻在１０ｍｉｎ内随时间的变化（弛豫现象）。发现Ｎｂ膜和Ａｇ膜分别表现出电阻升高和降低的不同行为，而且基底温度和膜厚对弛豫强度都有较大的影响。分析表明。
- 吴军桥王志军吴克张金龙李传义尹道乐
- 关键词：金属膜
- Mn/Sb多层膜的磁性和磁光特性(英文)被引量：1
- 2004年
- 用超高真空蒸发技术在GaAs(10 0 )和玻璃衬底上生长不同厚度Mn/Sb多层膜 ,并经短时间热退火 (～ 1,2 0min) .磁化强度测量显示具有很强的室温铁磁特性 .当多层膜厚度从 70 0 增至 16 0 0 时 ,饱和强度增加了近一倍 ,极向和纵向克尔角也增加了 ,但不到一倍 .这表明磁化强度和克尔角两者均依赖于多层摸的厚度 ,但不是简单的正比于厚度的关系 .增加Mn/Sb多层膜的厚度能增强饱和磁化强度和极向和纵向克尔饱和角 .X射线衍射谱图结果表明高质量单晶结构的Mn/Sb多层膜能用超高真空蒸发技术生长 ,对较厚的多层薄膜 ,热退火的时间可很短(约 1min) .
- 陈辰嘉王学忠蔡明吴克丁晓民孙允希Filippo MagliaA.Stella
- 关键词：铁磁性磁光克尔效应X射线衍射
- Nb／C_（60）／p型Si结构的特性被引量：4
- 1994年
- 研究了Ｎｂ／Ｃ６０／Ｐ型Ｓｉ结构的电学特性．Ｉ－Ｖ结果表明这一结构具有强整流效应，这意味着在Ｃ６０／Ｓｉ界面附近存在着一个势垒，或称Ｃ６０／Ｓｉ异质结．高频Ｃ－Ｖ结果表明在Ｃ６０层中存有约１０１２～１０１３ｃｍ－２的可动负离子．这些离子的松弛温度高于３５０Ｋ，冻结温度低于２６０Ｋ，以及在３００－３７０Ｋ的测量温度范围内，Ｃ６０膜的相对介电常数与温度无关，即εＣ６０＝３．７±０．１．
- 陈开茅金泗轩贾勇强吴克李传义顾镇南周锡煌
- 关键词：电学特性异质结
- 固体C_（70）／P型Si接触的电学性质
- 1995年
- 我们制成固体Ｃ７０／ｐ型Ｓｉ单晶半导体异质结电流电压（Ｊ－Ｖ）测量表明该结具有强整流作用，当偏压为±２Ｖ时，其整流比大于１０４倍电流温度（Ｊ－Ｔ－１）测量表明结的正向电流与温度的倒数呈指数关系，从中可得接触势垒的有效高度为０．２７ｅＶ．
- 陈开茅贾勇强吴克金泗轩李传义周锡煌顾镇南
- 关键词：电学性质硅碳70P型异质结
- 重温·祭奠·启示——在电影《吴运铎》首映式上的发言
- 2011年
- 值此纪念中国共产党建党90周年之际,电影《吴运铎》在人民大会堂举办隆重的首映式,作为吴运铎的家属,我们的心情非常激动。在此,我谨代表我的母亲陆平,以及家庭的全体成员,向关心、支持这部影片的各级领导,向影片的摄制方、编导、演员和每一位工作人员所付出的辛勤劳动表示深深的敬意!并对影片的成功拍摄表示衷心的祝贺!
- 吴克
- 关键词：首映式电影祭奠人民大会堂演员
- 固体C_(70)/Si异质结的界面电子态被引量：1
- 2000年
- 用深能级瞬态谱和高频电容 -电压技术研究了固体 C70 /Si异质结的界面电子态 .研究结果表明在 C70 /Si的界面上明显存在三个电子陷阱 Eit1( 0 .1 94)、Eit2 ( 0 .2 62 ) ,Eit3( 0 .40 7)和一个空穴陷阱 Hit1( 0 .471 ) ,以及在 C70 /Si界面附近存在着固体 C70 的电子和空穴陷阱引起的慢界面态 .结果还表明 C70 膜的生长温度对 C70 /Si的电学性质有重大影响 ,2 0 0℃生长的 C70
- 陈开茅孙文红吴克武兰青周锡煌顾镇南卢殿通
- 关键词：异质结碳硅
- 固体C_(60)/n-GaN接触的电学性质被引量：4
- 1999年
- 本文通过在ＧａＮ衬底上生长固体Ｃ６０膜制成了Ｃ６０／ｎ－ＧａＮ接触，并对其电学性质作了测量．我们发现该接触是理想因子接近于１的强整流接触异质结．在偏压为±１Ｖ时，其整流比高达１０６．在固定正向偏压条件下，异质结电流是温度倒数的指数函数，通过求激活能得出异质结的有效势垒高度为０．５３５ｅＶ．本文还发现，固体Ｃ６０／ｎ－ＧａＮ样品中Ｃ６０的电导随着正向偏压的增加而迅速变大．这种现象被认为起因于ｎ－ＧａＮ对Ｃ６０的电子注入．
- 陈开茅孙文红秦国刚吴克李传义章其麟周锡煌顾镇南
- 关键词：氮化镓电学性质
- C_(70)/GaAs异质结的电学性质被引量：2
- 2001年
- 在高真空系统中 ,将 C70 膜淀积在 n-和 p- Ga As(10 0 )衬底上 ,制成 C70 / n- Ga As和 C70 / p- Ga As两种接触 ,并对它们的电学性质作了研究 .结果发现两种接触均为强整流结 ,在偏压为± 1V时 ,C70 / n- Ga As和 C70 / p- Ga As接触的整流比分别大于 10 6 和 10 4,并且它们的理想因子都接近于 1.当正向偏压固定时 ,它们的电流均是温度倒数的指数函数 ,从中确定两种异质结的有效势垒高度分别为 0 .784和 0 .5 31e V .用深能级瞬态谱 (DL TS)在 C70 / Ga As界面上观察到电子陷阱 E(0 .6 40 e V )和空穴陷阱 H3(0 .82 2 e V) ,以及用电容 -时间 (C- t)技术在固体 C70 中观测到两种空穴陷阱 H4(1.15 5 e V)和 H5 (0 .85 6 e V) .E(0 .6 40 e V)和 H3(0 .82 2 e V)的密度均小于 10 1 2 / cm2 ,可以得出结论 :固体 C70 对 Ga
- 陈开茅孙文红吴克武兰青周锡煌顾镇南刘鸿飞
- 关键词：光电性质砷化镓碳
- Mg/B多层膜后退火制备MgB2薄膜性质
- 本文研究了后退火温度、时间以及薄膜厚度对于MgB2薄膜性质的影响。首先在A1203(0001)衬底上通过电子束蒸发沉积Mg/B多层膜作为前驱体，然后后退火制备MgB2薄膜。实验发现，900℃高温后退火制备的薄膜样品超导转...
- 刘亮马小柏余增强吴克聂瑞娟王福仁
- 文献传递
- 表面增强电输运:研究C_(60)-金属相互作用的一个新尝试
- 1995年
- 通过在超薄金属层上蒸镀C_(68)时的电阻原位测量,发现在平均厚度约一个C_(68)单层范围内样品电阻有明显可观测的变化,主要表现为电导增强,电阻变化的程度与金属层厚度有关,最多近一个数量级。这一新的现象揭示出有可能利用宏观物理性质测量来间接研究C_(68)-金属界面相互作用,从而对常规喇曼谱和各种电子谱测量的结果给出旁证和补充。
- 赵文兵吴军桥张晓东叶志远吴克张金龙李传义尹道乐顾镇南周锡煌金朝霞
- 关键词：碳60掺杂电阻
