刘秀喜
- 作品数：38 被引量：31H指数：3
- 供职机构：山东师范大学物理与电子科学学院更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 开管铝镓一步扩散法的应用研究
- 刘秀喜林玉松高大江
- 关键词：晶闸管扩散
- 树脂水超洗工艺的应用研究
- 1989年
- 本文介绍了一种树脂水超洗工艺及原理,用该工艺清洗管芯,可显著地减少漏电流,提高反压水平,效果较好,具有推广应用价值.
- 孙英刘秀喜
- 关键词：半导体器件清洗工艺
- 全文增补中
- 半导体器件表面钝化保护材料及其制备与方法
- 半导体器件表面钝化保护材料及其制备方法。本发明属于半导体器件生产工艺中的一种表面钝化保护材料及其制备、应用，是将具负电荷效应的金属氧化物和二氧化硅按比例掺入有机硅漆中，均匀混合后成为糊状物，涂布在半导体器件表而上，形成钝...
- 刘秀喜孙瑛薛成山王显明
- 文献传递
- 镓杂质R_S效应的研究与分析被引量：1
- 2004年
- 在确定的开管扩镓装置中 ,以氢气作为镓源 Ga2 O3的反应和输运气体 ,凭借准确地控制扩散条件 ,控制 Ga在Si O2 / Si系统中扩散 ,可获得良好的杂质 RS效应 .根据 Ga在 Si和 Si O2 中的扩散行为 ,研究和分析了镓在裸 Si系和 Si O2 / Si系扩散所产生的杂质 RS效应机理 ,及其热氧化、氧化膜质量和厚度对
- 孙瑛刘志军刘秀喜
- 关键词：氧化膜
- 一种气(Ga)-固(Al掺杂氧化物)-固(Si)掺杂新工艺被引量：2
- 2004年
- 针对制造高压晶闸管 p型杂质扩散工艺的不足 ,进行了开管式受主双质掺杂技术的研究 .通过大量试验和工艺论证 ,研制成一种气 (Ga) -固 (Al掺杂氧化物 ) -固 (Si)掺杂新工艺 .经应用证明 ,该掺杂技术能明显提高器件的电参数一致性、综合性能和成品率 。
- 刘秀喜孙瑛李玉国
- 关键词：晶闸管
- 一种开管铝镓扩散工艺
- 一种开管铝镓扩散工艺，属于高压大电流电力半导体器件生产领域中的一种一次P型扩散工艺。本发明是以硅片上涂布铝乳胶源扩散和开管镓扩散在同一扩散炉内经一次高温连续完成为特征的。本发明工艺简单，生产周期短，容易操作，稳定可靠，成...
- 林玉松刘秀喜高大江
- 文献传递
- 金属氧化物的钝化机理分析被引量：3
- 1997年
- 在半导体表面上，利用化学气相淀积法生长一层金属氧化物膜，或涂布掺有金属氧化物的糊状物（需经固化），均显示负电荷效应，具有良好的钝化保护性能。本文就其金属氧化物的负电荷效应及钝化机理进行了分析讨论。
- 刘秀喜
- 关键词：金属氧化物半导体器件
- 氢气发生器在半导体制造工艺中的应用被引量：1
- 1992年
- 本文阐述了IM-Ⅱ型氢气发生器的优点、工作原理和在半导体制造工艺中的应用。实践表明:该机运转性能良好,制氢纯度高、寿命长、体积小、重量轻、操作方便、流量准确、稳定可靠,有利于提高半导休器件产品质量和安全生产,可取代钢瓶,经济效益明显。
- 刘秀喜张尧谟李梅
- 关键词：氢气发生器半导体制造
- 镓铝双质掺杂在制造快速晶闸管中的应用研究
- 2007年
- 采用开管式Al乳胶源涂布与气相Ga相结合的技术,实现了镓铝双质在n型Si中的均匀掺杂,得到了p型半导体.研究了镓铝双质掺杂的方法及其与器件性能的关系,并讨论了机理.利用扩展电阻法、四探针和晶闸管测试仪等手段,测试了镓铝扩散Si片的杂质分布规律、薄层电阻RS及快速晶闸管的多项参数.利用该技术制造的快速晶闸管的关断时间toff为31.2—38.6μs,开通时间ton为4.6—5.9μs,通态峰值压降VTM为1.9—2.1V.实验和试用表明,该掺杂技术能明显提高器件的综合性能、电参数一致性和成品率,为制造快速晶闸管提供了一种可行的受主双质掺杂新工艺.
- 王公堂刘秀喜
- 关键词：快速晶闸管杂质浓度分布
- 制造半导体器件的氧化与扩镓一步运行工艺
- 本发明提供一种制造半导体器件的氧化与扩镓一步运行工艺。采取开管系统，先将洁净的N型硅片置入高温炉的恒温区，在氧气氛中进行高温氧化，热氧化结束后向管道内通入氮气除氧，待残余氧排净后，再在氢气氛下进行镓预沉积，然后在氮气氛保...
- 刘秀喜王锐
- 文献传递
