刘国军
- 作品数：27 被引量：20H指数：3
- 供职机构：浙江大学能源工程学系制冷与低温研究所更多>>
- 发文基金：国家攀登计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- 一种锗硅肖特基二极管及其制作方法
- 本发明涉及锗硅肖特基二极管及其制作方法，它包括自下而上依次迭置的欧姆接触电极、硅衬底和开有窗口的氮化硅层，在氮化硅层窗口内有锗硅层和镍硅化合物层，其中镍硅化合物层在锗硅层的上面，在氮化硅层的窗口上覆盖与镍硅化合物层接触的...
- 叶志镇吴贵斌唐九耀赵星刘国军
- 文献传递
- 热声发动机驱动的脉管制冷机模拟及实验研究被引量：4
- 2009年
- 基于回热器计算软件REGEN3.2,通过数值模拟分别研究了热声发动机的频率、输出压比、充气压力以及脉管制冷机的回热器长度对热声驱动的脉管制冷机制冷性能的影响,并预测了该台脉管制冷机的最低制冷温度为45 K.实验研究了不同工质、热声发动机输出压比、声功输出装置以及脉管制冷机回热器长度对脉管制冷机性能的影响.实验结果表明,热声驱动的脉管制冷机的优化方向为提高热声发动机的输出压比、降低频率以及适当提高充气压力,这与数值模拟结果吻合较好.实验采用氮气-氦气双工质并以亥姆霍兹共鸣器作为声功输出装置和声压放大器,行波型热声发动机驱动的单级斯特林型脉管制冷机获得了65 K的最低制冷温度.
- 李卓裴邱利民刘国军王波胡进勤
- 关键词：行波热声发动机斯特林型脉管制冷机回热器
- 一种多晶锗硅薄膜的制备方法
- 本发明公开的多晶锗硅薄膜的制备方法，其步骤如下：先将硅衬底清洗干净后放入热氧化炉中，在硅衬底上热氧化一层二氧化硅层；然后利用电子束蒸发，在热氧化后的硅片上蒸镀一层金属镍或金属钴；再将镀好镍或钴的样品放入超高真空化学气相沉...
- 叶志镇吴贵斌赵星刘国军
- 文献传递
- SiGe／Si异质结光电器件被引量：2
- 2006年
- SiGe／Si异质结光电器件及其光电集成(OEIC)是硅基光电研究的一个非常引人注目的领域。综述了SiGe／Si异质结材料的基本性质,SiGe／Si异质结光电器件的结构、性能、应用及其光电集成。重点介绍了SiGe／Si光电探测器及其与其他相关器件的集成。
- 刘国军叶志镇吴贵斌孙伟峰赵星赵炳辉
- 关键词：SIGE/SI异质结光电器件光电集成
- H_2对UHV/CVD低温选择性外延生长Si_(1-x)Ge_x的影响被引量：2
- 2006年
- 利用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)成功实现了Si1-xGex的低温选择性外延生长,并研究了H2对选择性外延生长的影响及其作用机理.以Si H4和GeH4为反应气源,在开有6mm×6mm窗口氧化硅片上进行Si1-xGex外延层的生长.首先分别以不含H2(纯GeH4)和含H2(90%H2稀释的GeH4)的两种Ge源进行选择性外延生长.通过SEM观察两种情况下氧化硅片表面,发现H2的存在对选择性外延生长有至关重要的作用.接着以90%H2稀释的GeH4为Ge源,变化Si源和Ge源的流量比改变H2分压,以获得Si H4和GeH4(90%H2)的最佳流量比,使外延生长的选择性达到最好.利用SEM观察在不同流量比时,经40min外延生长后各样品的表面形貌,并对其进行比较,分析了H2分压在Si1-xGex选择性外延生长中的作用机理.
- 赵星叶志镇吴贵斌刘国军赵炳辉唐九耀
- 关键词：UHV/CVDSI1-XGEX
- 一种选择性外延锗硅薄膜的制备方法
- 本发明公开了选择性外延锗硅薄膜的制备方法，其步骤如下：先在硅衬底上热氧化一层二氧化硅层，在二氧化硅层上光刻出窗口，然后放入超高真空化学气相沉积设备的生长室中，生长室抽真空至少10－5Pa，加热硅衬底至400～700℃，生...
- 叶志镇吴贵斌刘国军赵星
- 文献传递
- 单级斯特林型脉管制冷机的理论和实验研究
- 脉管制冷机作为一种新型的回热式低温制冷机，由于低温下没有运动部件，具有结构紧凑、可靠性高、振动小、寿命长等优点。采用线性压缩机驱动的脉管制冷机作为低温制冷机研究和应用的一个重点，在国内外得到了很大程度的重视和发展，具有广...
- 刘国军
- 关键词：脉管制冷机
- 文献传递
- 线性压缩机驱动的80K单级脉管制冷机设计与实验研究
- 2008年
- 结合美国标准与技术研究院(NIST)的回热器计算软件REGEN3.2,成功设计了1台单级斯特林型脉管制冷机。采用惯性管调相,在2.5 MPa充气压力和60 Hz频率下,获得无负荷制冷温度59 K。在压缩机输入电功率为250 W时,80 K获得了3.8 W的制冷量,与设计计算结果吻合得较好。
- 刘国军甘智华李卓裴曹强董文庆吴英哲祁禾邱利民
- 关键词：低温制冷机回热器脉管高频
- 金属诱导生长与超高真空化学气相沉积方法相结合制备多晶锗硅薄膜被引量：3
- 2006年
- 采用金属Ni诱导与超高真空化学气相沉积(UHVCVD)相结合的方法,在热氧化硅衬底上生长了多晶锗硅薄膜.利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(SEM)等对多晶锗硅薄膜的质量、表面形貌进行了测试分析,并就生长参数以及金属Ni对薄膜性能的影响进行了研究.结果表明1)在420—500℃范围内,金属Ni具有明显的诱导作用;2)Ni层厚度对薄膜质量及形貌的影响使得晶粒尺寸随Ni厚度增加存在一极大值.在Ni层厚度为60nm时,能够获得晶粒尺寸均匀,晶粒大小为500—600nm,结晶质量良好的多晶锗硅薄膜.
- 吴贵斌叶志镇赵星刘国军赵炳辉
- 关键词：超高真空化学气相沉积金属诱导镍
- 一种锗硅肖特基二极管及其制作方法
- 本发明涉及锗硅肖特基二极管及其制作方法，它包括自下而上依次迭置的欧姆接触电极、硅衬底和开有窗口的氮化硅层，在氮化硅层窗口内有锗硅层和镍硅化合物层，其中镍硅化合物层在锗硅层的上面，在氮化硅层的窗口上覆盖与镍硅化合物层接触的...
- 叶志镇吴贵斌唐九耀赵星刘国军
- 文献传递
