余永涛
- 作品数：23 被引量：28H指数：4
- 供职机构：中国科学院空间科学与应用研究中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术航空宇航科学技术文化科学更多>>
- 器件单粒子闩锁敏感单元数目确定及在轨闩锁频次预估
- 粒子加速器开展的辐照试验较难确定器件中对单粒子闩锁敏感的单元数目,传统方法预估器件在轨闩锁频次通常假定整个器件只有一个敏感单元.利用脉冲激光进行扫描辐照,发现器件中存在一定数目的独立单粒子闩锁效应敏感单元.本工作利用脉冲...
- 韩建伟余永涛封国强蔡明辉
- 关键词：航天器电子设备
- 激光微束背部辐照芯片试验的聚焦平面定位装置及方法
- 本发明提供了激光微束背部辐照芯片试验的聚焦平面定位装置，用于对被测器件进行聚焦平面定位，所述装置包括试验用激光源(1)、聚焦光路调节模块(2)、成像CCD模块(3)、三维移动台(4)及三维移动台控制模块(5)；所述试验用...
- 马英起韩建伟封国强姜昱光上官士鹏余永涛朱翔陈睿
- 文献传递
- FPGA单粒子效应动态故障测试装置及方法
- 本发明涉及一种FPGA单粒子效应动态故障测试装置，包括：控制电路模块(11)、上位机控制模块(12)、可控脉冲激光模块(15)以及三维移动模块(16)；其中，三维移动模块(16)在测试时用于安装待测试的被测FPGA器件(...
- 朱翔封国强韩建伟姜昱光上官士鹏马英起陈睿余永涛
- 文献传递
- 一种检测FPGA单粒子效应与其时序特性关系的装置及方法
- 本发明公开了一种检测FPGA单粒子效应与其时序特性关系的装置，包括FPGA测试电路、时序控制电路和上位机控制模块；其中，时序控制电路连接到FPGA测试电路，FPGA测试电路连接到上位机控制模块；在测试过程中，FPGA测试...
- 封国强韩建伟朱翔姜昱光上官士鹏陈睿马英起余永涛
- 一种脉冲激光个数优化方法及单粒子翻转截面的测试方法
- 本发明涉及一种优化脉冲激光个数的方法，该方法用于优化脉冲激光测试器件单粒子翻转截面的脉冲激光个数，针对某一激光能量E<Sub>i</Sub>，脉冲激光个数F采用如下步骤确定：步骤101）获取在该激光能量下的光斑面积τ和器...
- 封国强上官士鹏韩建伟马英起余永涛姜昱光朱翔陈睿
- 文献传递
- 不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应及其防护方法被引量：6
- 2014年
- 基于建立的不同工艺尺寸的CMOS器件模型,利用TCAD器件模拟的方法,针对不同工艺CMOS器件,开展了不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应(SEL)的研究。研究表明,器件工艺尺寸越大,SEL效应越敏感。结合单粒子闩锁效应触发机制,提出了保护带、保护环两种器件级抗SEL加固设计方法,并通过TCAD仿真和重离子试验验证防护效果,得出最优的加固防护设计。结果表明,90nm和0.13μm CMOS器件尽量选用保护带抗SEL结构,0.18μm或更大工艺尺寸CMOS器件建议选取保护环抗SEL结构。
- 陈睿余永涛董刚上官士鹏封国强韩建伟马英起朱翔
- 关键词：重离子辐照
- 单粒子翻转敏感区定位的脉冲激光试验研究被引量：5
- 2015年
- 利用脉冲激光单粒子翻转敏感区定位成像系统,对静态随机存储器件IDT71256开展了单粒子翻转敏感区定位的试验研究。为避开器件正面金属层对激光的阻挡,试验采用背面辐照方式进行测试。试验结果表明,存储单元中存储数据类型对器件单粒子翻转的敏感性有较大影响,由测得的单粒子翻转敏感区分布图经处理得到单粒子翻转截面,结果与重离子试验测得的翻转截面数据一致。
- 余永涛封国强上官士鹏陈睿韩建伟
- 关键词：单粒子效应数据类型
- 一种脉冲激光等效LET计算方法
- 本发明涉及一种脉冲激光等效LET值的计算方法，该方法由脉冲激光等效LET值定义式及激光强度随入射深度x的衰减规律可知，在线性吸收机制下，每个光子产生一个电子空穴对，对于脉冲激光背部辐照试验方法，考虑芯片背部衬底外表面对脉...
- 封国强马英起韩建伟上官士鹏余永涛姜昱光朱翔陈睿董刚
- 文献传递
- CMOS器件SEL效应电路级防护设计及试验验证被引量：3
- 2014年
- 利用脉冲激光单粒子效应试验装置,开展了两种CMOS SRAM器件IDT71V416S和K6R4016V1D单粒子闭锁(SEL)效应的研究。基于CMOS电路结构SEL效应的机理及触发条件,分析两种CMOS器件的闩锁响应特性,设计了两种CMOS器件SEL效应防护电路,并探讨了两种防护电路的适用范围及限流电阻、恒流源电流的选取。利用脉冲激光和重离子辐照试验验证了两种防护方法的防护效果。结果表明,当器件工作电流和闩锁维持电流相差不大时,加入限流电阻虽能降低闩锁电流幅值,但电路不能自动退出闩锁状态。恒流源限流防护电路不但降低了SEL电流的幅值,而且自动退出闩锁状态,能更有效地减缓CMOS器件电路级闩锁效应。
- 陈睿冯颖余永涛上官士鹏封国强朱翔马英起韩建伟
- 关键词：CMOS器件脉冲激光
- 脉冲激光模拟SRAM器件单粒子翻转效应的试验方法研究被引量：3
- 2013年
- 针对0.13μm和0.35μm工艺尺寸的两款商用SRAM器件进行了脉冲激光背部单粒子翻转效应试验方法研究。单粒子翻转效应主要测试单粒子翻转阈值和单粒子翻转截面,本文主要研究了激光聚焦深度、激光脉冲注量、测试模式和芯片配置的数据对测试两者的影响。试验结果表明:只有聚焦到芯片有源区才可测得最低的翻转阈值和最大的翻转截面,此时的结果与重离子结果基本一致;注量对翻转阈值测试无影响,但注量增大时翻转截面会减小,测试时激光脉冲注量应小于1×107 cm-2;测试模式和存储数据对翻转阈值和翻转截面的影响不大,测试时可不考虑。
- 上官士鹏封国强余永涛姜昱光韩建伟
- 关键词：SRAM脉冲激光
