丰云恺
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
- 供职机构：河北工业大学化工学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信更多>>
- 硼镓共掺杂单晶硅电池抑制光衰减研究
- 单晶硅太阳能电池是太阳能电池市场一个重要组成部分，因为其具有其它太阳能电池不可比拟的优势而一直牢牢主导着光伏领域。目前，与其它种类太阳能电池相比单晶硅太阳能电池在光电转换效率和成本方面优势明显。在实验条件下太阳能电池光电...
- 丰云恺
- 关键词：单晶硅光电转换效率
- 文献传递
- 高效晶硅太阳电池的发展与抑制光衰的研究进展被引量：5
- 2013年
- 晶硅太阳电池在光伏发电中占有80%以上的市场份额,其科技进步主导着光伏发电的走向。随着晶硅太阳电池光电转换效率的提高,其光衰也随之提高,成为高效晶硅电池科技发展的瓶颈。研究发现,硅中的杂质补偿度和B-O复合体均能造成电池的"光衰"。利用掺镓硅单晶替代掺硼硅单晶并严格控制硅中的杂质补偿度能够大大抑制光衰,其机理和工艺的研究对高效晶硅电池的发展意义重大。
- 杨淑云李宁丰云恺任丽任丙彦
- 关键词：太阳电池光衰减单晶硅掺杂
- 热处理对掺镓直拉单晶硅中缺陷及少子寿命的影响被引量：1
- 2016年
- 抑制p型单晶硅太阳能电池的光致衰减现象是光伏科技领域的热点和难点。掺镓直拉硅单晶工艺的突破以及在晶硅电池上的应用破解了这一难题,成功地抑制光致衰减。因为镓原子与硼原子共价半径的差异以及在太阳能电池制备过程中单晶硅片仍会经历不同条件的热处理,所以探究不同热处理条件对掺镓单晶硅中缺陷以及少子寿命的影响是非常有必要的。本文使用专利工艺技术制备掺镓硅单晶,并对掺硼和掺镓两种不同单晶硅片进行不同温度和时间的退火实验,对比分析不同样品的氧含量和少子寿命。结果发现:退火温度的升高、时间的延长以及预热处理都会降低两种硅片中的间隙氧含量以及少子寿命,同时促进了两组硅片中氧沉淀的形成。通过两组不同硅片对比表明,在相同条件下的退火处理,原子半径差异导致掺镓硅单晶硅的间隙氧含量下降速度更快,易形成更多的氧沉淀。
- 丰云恺李宁任丽任丙彦
- 关键词：太阳电池光衰减少子寿命退火
- 掺Ga高效单晶硅太阳电池抑制光衰研究被引量：4
- 2013年
- P型掺B单晶硅制作的太阳电池光照10h后产生3％～6％的效率衰减。该文制备常规掺B和不同掺Ga剂量的P〈100〉单晶硅并切片制备高效晶硅太阳电池，对硅片物理参数和电池光伏特性参数进行测试对比分析。用标准模拟光源对样品电池分别进行光衰实验对比，结果证实：掺Ga单晶硅太阳电池不仅能保持与掺B单晶电池相同的光电转换效率，而且能强烈地抑制光衰。
- 任丽李宁杨淑云丰云恺任丙彦
- 关键词：单晶硅太阳电池光衰
