济南市半导体元件实验所
- 作品数：200 被引量：119H指数：5
- 相关作者：李东华侯秀萍杨旭东马捷刘贵庆更多>>
- 相关机构：朝阳无线电元件有限责任公司工业和信息化部成都菲斯特科技有限公司更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金国家自然科学基金山东省软科学研究计划更多>>
- 相关领域：电子电信经济管理自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 一种单片机控制的大功率铅酸电池充电器设计被引量：2
- 2007年
- 介绍了一种单片机控制的实用大功率铅酸电池充电器的设计方法。在大功率铅酸电池充电器的设计中,主电路采用功率因数校正(PFC)+移相全桥的拓扑结构,提高了电源效率,保证了足够的输出功率;输出控制引入智能单片机,实时检测铅酸电池的状态,并且充电过程按照经验的优化曲线进行,保护了电池,又延长了电池的使用寿命。
- 祁小辉郭绪阳周凤荣
- 封装双MOS管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳
- 本申请提供了封装双MOS管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳，包括陶瓷基座，金属环框，金属盖板，下埋层金属化层，上埋层金属化层，表面金属化层，8个引脚，8个内通孔金属化柱，8个外凹槽金属化层；通过多层陶瓷与多层金属化及...
- 杨旭东许为新张振兴伊新兵相裕兵
- 文献传递
- 一种底部厚氧沟槽MOSFET器件的制造方法
- 本发明公开了一种底部厚氧沟槽MOSFET器件的制造方法，包括：在重掺杂的衬底上生长设定掺杂浓度和厚度的外延层，在外延层形成沟槽；在所述沟槽表面形成厚氧化层，再沉积多晶硅填满沟槽；将沟槽内多晶硅刻蚀至设定高度，采用湿法刻蚀...
- 崔同朱开兴万兴兴
- 文献传递
- 半导体分立器件 3CK3637、3CK3637UB型硅PNP高频大功率开关晶体管详细规范
- 本规范规定了3CK3637、3CK3637UB型硅PNP高频大功率开关晶体管（以下简称器件）的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和使用。
- 张秋侯秀萍陈旭吴庆富
- 高压大功率碳化硅二极管封装结构及封装工艺
- 本发明公开了一种高压大功率碳化硅二极管封装结构及封装工艺，二极管封装结构包括外壳、位于外壳内的一个或者多个串联在一起的芯片以及连接于外壳两端的引线，所述外壳是陶瓷外壳，芯片焊接于陶瓷外壳的内底面，芯片的两侧各设有一导带，...
- 许为新杨旭东李东华马捷
- 一种可增强ESD抗干扰能力的单向ESD保护器及制作方法
- 本发明公开一种可增强ESD抗干扰能力的单向ESD保护器及制作方法，本发明在P扩散区的光刻工艺中，通过调整光刻窗口至N+扩散区区域内，同时引入高能量的硼注入、硼推结，使得P扩散区处于N+扩散区下方。P扩散区光刻窗口的尺寸略...
- 杨晓亮李泽宏
- 文献传递
- 市场经济条件下企业经济管理模式的创新被引量：3
- 2023年
- 经济管理是一个公司赖以生存、发展的根本。做好高质量的经济管理工作,有助于促进企业持续性发展。创新为企业良好运营和发展提供了强有力的驱动力,管理的创新直接决定企业是否具备核心竞争力,处于新形势下市场经济和经济全球化发展背景下,企业面临更为复杂的经营环境,如何加强创新力度、做好经济管理是当下关注的焦点。本文主要分析市场经济条件下企业经济管理存在的问题,并提出相应解决措施,以期助力于企业经济管理的创新。
- 李辉
- 关键词：企业经济管理
- 塑封用环氧树脂对芯片高温特性的影响
- 2010年
- 本文讨论了不同成分的塑封用环氧树脂的不同特性,并用试验证明了不同塑封用环氧树脂对芯片高温特性的影响。
- 李亚南韩晓红张聪
- 关键词：导热性热膨胀系数
- 混沌时间序列多步自适应预测方法被引量：32
- 2006年
- 针对混沌时间序列局域自适应预测方法在多步预测中预测器系数无法调节的问题,根据混沌时间序列的短期可预测性及自适应算法的自适应跟踪混沌运动轨迹的特点,提出了混沌时间序列多步自适应预测方法.仿真结果表明,此方法的多步预测性能明显好于局域自适应预测方法的多步预测性能.
- 孟庆芳张强牟文英
- 关键词：混沌时间序列
- 提高晶闸管高温反偏性能的研究
- 2016年
- 分析了晶闸管高温反偏的失效模式;影响晶闸管高温反偏性能的主要原因是表面沾污;改变Si O2的生长工艺,从而提高产品的质量和在高温环境下的可靠性。
- 王启进潘英飞
- 关键词：可靠性
