韩山师范学院物理系
- 作品数：67 被引量：150H指数：7
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- 杨氏模量测定实验的不确定度分析被引量：1
- 2004年
- 详细分析了杨氏模量的测量不确定度,把钢丝长度变化的测量作为不等精度测量处理,从而得到更为合理的结果。
- 李卓凡王小怀魏群
- 关键词：杨氏模量不确定度
- 折射和反射光振动矢量的突变分析
- 2001年
- 用菲涅耳公式分析光矢量经反射、折射时所发生的突变,剖析各种类型薄膜干涉中额外程差的选取、以及这种突变对薄膜干涉条纹衬比度所产生的影响。
- 徐寿泉
- 关键词：光矢量半波损失菲涅耳公式
- 多晶硅薄膜低温生长中晶粒大小的控制被引量：10
- 2004年
- 以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)方法低温快速沉积多晶硅薄膜 .实验发现 ,在多晶硅薄膜的生长过程中 ,气相空间各种活性基团的相对浓度是影响晶粒大小的重要因素 ,随功率、H2 SiCl4 流量比的减小和反应室气压的增加 ,晶粒增大 .而各种活性基团的相对浓度依赖于PECVD工艺参数 ,通过工艺参数的改变 ,分析生长过程中空间各种活性基团相对浓度的变化 ,指出“气相结晶”
- 黄锐林璇英余云鹏林揆训姚若河黄文勇魏俊红王照奎余楚迎
- 关键词：活性基团晶粒大小等离子体增强化学气相沉积工艺参数PECVD多晶硅薄膜
- 用替代法测非线性器件的伏安特性
- 2005年
- 提出一种准确测量非线性器件伏安特性的简便方法。
- 陈木鑫
- 关键词：伏安特性
- 电位差计测干电池内阻实验中异常值问题的探讨被引量：1
- 2005年
- 通过测量干电池内阻随放电电流的变化关系,分析电位差计测量干电池内阻过程中出现异常值的原因并指出克服的办法。
- 王小怀
- 关键词：电位差计放电电流
- 多元线性回归应用于近代物理实验
- 2006年
- 探讨计算机在处理近代物理实验中的塞曼效应CCD分裂干涉圆环多点测量的数据过程中,采用非线性方程转化直线性方程方法并对数据进行多元线性回归的处理过程。
- 张奕雄
- 关键词：多元线性回归塞曼效应CCD图像
- 介质情况下的电象法被引量：1
- 2001年
- 该文引入等效电荷概念,较好地处理了极化电荷,讨论了有介质时象电荷的确定,给出了导体与介质交界以及两种介质交界情况下的电么问题求解。
- 石燕飞洪正滨
- 关键词：极化电荷电象法电动力学
- 机械结构弹性变形对控制系统的影响被引量：2
- 2001年
- 一般的机械结构,人们都把它视为刚体结构,即对整个系统的输出没有影响,但实际情况并非如此,该文介绍了机械结构弹性变形时控制系统的影响,并相应作出理论论证,最后提出了一些改进的措施,希望能起抛砖引玉的作用.
- 陈思耀
- 关键词：机械结构控制系统谐振频率
- 提高双棱镜干涉测量波长精度的探讨
- 2001年
- 该文就提高双棱镜干涉测波长的测量精度问题展开探讨,并提出一种简单而有效的实验方法.
- 王小怀
- 关键词：波长双棱镜干涉误差分析物理实验
- 用PECVD技术低温低氢稀释快速生长纳米晶硅薄膜的研究被引量：1
- 2009年
- 以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在300℃的低温下,研究不同的氢流量对纳米晶硅薄膜生长特性的影响。实验发现,氢对薄膜生长特性的影响有异于SiH4/H2,在一定功率下,薄膜的晶化率随氢流量的减小而增加;而薄膜的生长速率也强烈依赖于氢流量,随氢流量的减小而增大,与氢流量对薄膜晶化度的变化关系一致。通过调控氢流量,在低氢流量条件下获得了生长速率高达0.35 nm/s,晶化度高达76%的晶化硅薄膜。
- 黄锐林璇英余云鹏林揆训
- 关键词：生长速率
