天津理工学院材料科学与工程学院材料物理研究所
- 作品数：91 被引量：319H指数：9
- 相关作者：罗经国李娟张晓松朱汇王树国更多>>
- 相关机构：北方交通大学理学院北方交通大学理学院光电子技术研究所中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金天津市自然科学基金天津市高等学校科技发展基金计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 肿瘤发展过程中卟啉代谢的特点及其在肿瘤诊断上的意义被引量：39
- 1995年
- 生命活动是生物物质运动的最高形式.人体发生了疾病会对人体物质的代谢与调节产生影响,因此通过人体生物物质代谢的观察可以实行疾病的诊断.早在20年代就有人在这方面探讨恶性肿瘤的诊断.1930年Warlurg的经典研究已证实肿瘤组织的糖代谢具有酵解加强的特点,直到60年代许多科学工作者企图从有关酶系代谢改变来阐明这一代谢特点,从中探讨恶性肿瘤生长规律与可供诊断应用的“肿瘤标记酶”.1983年日本西坂刚等人用激光照射到结肠癌摘出组织上,观察到红色的特异荧光.
- 孟继武侯尚公张新夷张新夷西坂刚徐叙瑢大仓一郎张新夷徐叙瑢
- 关键词：卟啉代谢血清肿瘤
- 不同聚集态色心对BaFBr:Eu^(2+)光激励发光的影响被引量：1
- 2001年
- ＢａＦＢｒ：Ｅｕ２＋作为一种优良的光激励发光材料，广泛应用于生物学、医学、同步辐射等领域。ＢａＦＢｒ：Ｅｕ２＋粉末材料涂覆在基片上做成Ｘ线影像板（简称ＩＰ板），可以代替 Ｘ线感光胶片记录 Ｘ线影像。本文系统研究了在 ＢａＦＢｒ：Ｅｕ２＋中掺杂不同的金属离子，促使ＢａＦＢｒ：Ｅｕ２＋的光激励波长峰值红移以及对其发光强度的影响，并在理论上探讨了不同金属离子的掺入所形成色心的类型。
- 余华熊光楠高素华娄素云
- 关键词：色心光激励发光聚集态
- 利用两类材料实现彩色TFEL显示的初步研究
- 1994年
- 本文对利用两类材料实现彩色薄膜电致发光显示的新途径进行了初步研究，其中包括含三基色成份的无机类ＺｎＳ：ＰｒＦｌ３白光材料和器件及能得到绿光和黄光的有机类８－Ａｌｑ材料和器件，并对它们的光学和电学性能分别进行了讨论。
- 华玉林侯延冰彭俊彪郜军冯秀岚
- 关键词：电致发光
- 第三代场致发光的尝试
- 1991年
- 为提高发光亮度,本文详细分析了场致发光中的瓶颈过程。发现碰撞激发截面的五个特征:依赖入射电子方向,依赖入射电子能量,依赖发光中心寿命,依赖末态密度,存在不同阈值对不同激发态。并以ZnS:ErF_3的绿、红发光强度比为内标,在有源区外,设置预热层及加速层,选取合适材料,获得及证实了所得过热电子具有较一般结构中更高的平均能量,并对激发截面的某些特征作了实验论证。从实验上直接证明了离化倍增,并计算了它的系数,比文献中报导的都高。它同时显示了采用阴极射线发光材料,以获得彩色发光的可能性。
- 徐叙瑢
- 关键词：场致发光碰撞截面
- 加强实验教学 提高实验课教学质量
- 本文结合多年教学经验,对实验教学中存在的问题提出自己的看法,并寻求解决问题的途径,使实验课在培养学生具有良好的实验作风和实验技能方面发挥更大的作用。
- 蒋振平
- 关键词：实验教学教学质量
- 文献传递
- 蓝色低压阴极射线荧光粉ZnS:Zn,Pb的研究被引量：8
- 1997年
- 研制的阴极射线用低压蓝色荧光粉ＺｎＳＺｎ，Ｐｂ的亮度高于现行使用的ＺｎＳＺｎ，与ＺｎＯＺｎ相近，且发光峰值位置接近ＺｎＳＺｎ．当与粒径为荧光粉颗粒的二分之一的Ｉｎ２Ｏ３混合时，其临界电压从８０Ｖ降低到８Ｖ．这种荧光粉将适用于场发射显示器件中．
- 李岚张东熊光楠姜春香张飒飒
- 关键词：场发射阴极射线低压荧光粉硫化锌铅
- X光影像仪光采集系统的研制被引量：3
- 2003年
- X光影像仪的光采集系统是X光影像仪的核心。
- 蒋振平熊光楠
- 关键词：信噪比
- 高能量激发的发光材料
- 近年来,发光器件有着朝向更高能量激发的趋势,一方面是更高能量的激发,例如在照明光源中,节能灯内激发密度比普通日光灯要高出十多倍。最近出现的细管灯,外径仅2mm,灯内激发密度又比节能灯高出十多倍。通常的节能灯荧光粉在细管灯...
- 熊光楠刘俊英徐力余华朱汇
- 文献传递
- 掺杂8－羟基喹啉铝薄膜的电致发光特性研究被引量：1
- 1994年
- 在具有电致发光（ＥＬ）的有机整合染料８－羟基喹啉铝（Ａｌｑ３）中接以染料罗丹明６Ｇ（Ｒ６Ｇ），用真空热蒸发的方法制备器件，获得了峰值波长５７５ｎｍ的黄色直流薄膜电致发光，从而通过掺杂改变了发光颜色．并在Ａｌｑ３发光层不同区域插入一掺杂薄层（Ａｌｑ３：Ｒ６Ｇ），利用其发光波长与未掺杂部分（Ａｌｑ３）的不同，以此作为“探测层”，通过对器件光谱及电学特性的测量与分析，探讨了有关发光区域，发光机理，界面对发光影响等基本问题．
- 郜军冯秀岚华玉林
- 关键词：电致发光8-羟基喹啉铝
- SiO_2/SiO界面能级位移光电子能谱的研究被引量：1
- 1995年
- 我们在薄膜电致发光(TFEL)器件中使用予热层、加速层及发光层分层优化的方案,予热层除提供电子外,SiO_2/SiO界面的能级位移将决定薄膜场致发光器件中予热能否奏效.尽管半导体界面能级位移的研究已相当成熟,对于较好的研究体系,界面能级位移的研究结果误差不超过0.2～0.3eV,但像SiO_2/SiO界面能级位移的研究很少,因为SiO_2,SiO是非晶,它们的组分又比较复杂,SiO_2和SiO之间界面的偶极矩难以确定。
- 陈立春邓振波徐叙瑢刘先明
- 关键词：光电子能谱二氧化硅
