山东大学物理学院光电材料与器件研究所
- 作品数：58 被引量：256H指数：11
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 氦原子基态的Schr dinger方程的严格解被引量：2
- 1993年
- 严格求解三体或三体以上体系的Schr(?)dinger方程是量子理论工作者非常感兴趣的重要课题。原因在于,可得到体系的真实波函数,进而可研究电子相关等许多物理和化学问题。自从量子力学建立,人们就期待着这一问题的解决,直到将超球坐标用来描写多粒子Schr(?)din-ger方程,多体问题才变得可能解决。在这条道路上,Knirk等已做了许多努力,但仍存在一些问题。
- 邓从豪张瑞勤
- 关键词：氦原子基态薛定谔方程严格解
- 射频磁控溅射有机衬底SnO_2∶Sb透明导电膜性能的研究
- 2003年
- 采用射频磁控溅射法在聚丙烯己二酯有机薄膜(polypropyleneadipate,PPA)衬底上低温制备出锑掺杂的氧化锡(SnO2∶Sb)透明导电膜。研究了薄膜的厚度效应对SnO2∶Sb薄膜的结构、光学和电学特性的影响。制备薄膜为多晶膜,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构。载流子浓度和迁移率随着薄膜厚度的增加而增大,电阻率随着薄膜厚度的增加而减小,最低电阻率为2×10-3Ω·cm。
- 张士勇马瑾刘晓梅马洪磊郝晓涛
- 关键词：射频磁控溅射光电性质
- 有机薄膜衬底 ITO 透明导电膜的制备及光电特性的研究被引量：6
- 1998年
- 采用真空反应蒸发技术，在有机薄膜基片上制备出高质量的ＩＴＯ透明导电薄膜，对薄膜的结构和光电特性进行了研究。制备的最佳薄膜在可见光范围的平均透过率达８４％，电阻率为８．２３×１０－４Ωｃｍ，载流子浓度为１．７２×１０２０ｃｍ－３。
- 马瑾李淑英马洪磊赵俊卿叶丽娜
- 关键词：ITO透过率电阻率载流子浓度
- 蒸发制备ZnO薄膜的结构及光学电学特性的研究被引量：11
- 1995年
- 以乙酸锌作为蒸发物质，采用真空蒸发技术，在加热的玻璃衬底上制备出高质量的ＺｎＯ透明导电薄膜，并对其结构、光学和电学特性进行了研究。
- 马瑾计峰马洪磊李淑英
- 关键词：氧化锌薄膜透过率电导率
- 柔性衬底ITO导电膜的低温制备及特性研究被引量：7
- 2000年
- 用真空反应蒸发技术在有机薄膜衬底上制备出ITO透明导电薄膜 ,对薄膜的低温制备 (80～ 2 4 0℃ )、结构和光电特性进行了研究。制备的薄膜为多晶膜 ,具有纯三氧化二铟的立方铁锰矿结构 ,最佳取向为 (111)方向。薄膜在可见光区的最低电阻率为 6 .6 3× 10 - 4Ω·cm ,透过率达到 82 %。
- 马瑾赵俊卿叶丽娜田茂华马洪磊
- 关键词：柔性衬底透明导电膜ITO薄膜
- GaAs/AlGaAs超晶格的光致发光被引量：1
- 2006年
- 在室温下测量了GaAs/A l0.3Ga0.7As超晶格的光致发光,发现在波长λ=761 nm处存在一较强的发光光峰,此发光峰目前尚未见报道。经理论分析表明,此峰是量子阱中的第一激发态电子与受主空穴复合发光。实验还观测到在λ=786 nm处,λ=798 nm处和λ=824 nm处分别存在一发光峰,分析表明λ=786 nm处的发光峰为量子阱阱中费米能级附近的电子与轻空穴复合发光;λ=798 nm处的发光峰为量子阱内的基态电子到轻空穴的复合发光;λ=824 nm处的发光峰为阱中激子复合复合发光。理论计算与实验结果符合的很好。
- 贺利军程兴奎张健李华
- 关键词：GAAS/ALGAAS超晶格光致发光
- 有机材料衬底ITO透明导电膜的结构和导电特性研究被引量：17
- 1998年
- 采用真空反应蒸发技术，蒸发高纯度铟锡合金，在有机薄膜基片上制备出高质量的ＩＴＯ透明导电薄膜．研究了薄膜结构及电阻率、载流子浓度和迁移率等电学参数对制备条件的依赖关系．
- 马瑾赵俊卿李淑英马洪磊
- 关键词：氧化铟ITO透明导电膜衬底
- 稀土硅化物的制备及红外吸收光谱
- 1997年
- 报导了由射频溅射制备稀土（Ｙ）硅化物薄膜．样品的红外吸收光谱中，在８６５ｃｍ－１有一个强吸收峰，而在４６２ｃｍ－１有一个弱吸收峰．样品进行高温退火后，强吸收峰基本没有变化，而弱吸收峰随退火温度的升高而增强．我们认为强吸收峰是ＹＳｉ２的键振动吸收。
- 程兴奎王家俭刘汝军于慧
- 关键词：红外吸收光谱射频溅射
- 真空电子元件的非ODS水剂清洗技术被引量：1
- 1999年
- 由于在加工过程中，污物组分复杂，真空电子元件，如ＣＰＴ，ＣＤＴ用销钉、阳极幅原来全部采用ＯＤＳ溶剂清洗，为获得极洁净水平的元件表面，本文介绍一种非ＯＤＳ水剂清洗技术，其清洗剂主要组分包括脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基醇酰胺等多种表面活性剂和助剂，符合对人、对环境无毒、无污染、对自氧层无损耗、对全球变暖影响低或无影响、不含磷酸盐及壬基苯酚乙基盐等综合要求。
- 刘万里李玉香
- TCO膜玻璃基片中性清洗工艺
- 传统的半导体清洗工艺，如强酸或三氯乙烯等清洗工艺，成本较高，腐蚀性强，危害操作人员的安全和健康，污染环境。ＴＣＯ膜中性清洗工艺可取代传统的半导体清洗工艺。采用电子清洗剂ＤＺ－１和ＤＺ－２，能有效地去除玻璃和半导体等表面的...
- 关键词：
- 关键词：集成电路半导体器件半导体膜
