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成都成芯半导体制造有限公司

作品数：23 被引量：14H指数：2
相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司四川理工学院四川雷鸣生物环保工程有限公司更多>>
相关领域：电子电信医药卫生建筑科学经济管理更多>>

合作机构

文献类型

  • 21篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇医药卫生
  • 1篇经济管理
  • 1篇建筑科学

主题

  • 7篇晶圆
  • 5篇晶片
  • 4篇绝缘
  • 4篇成品率
  • 3篇机械手
  • 3篇光刻
  • 2篇氮气
  • 2篇电气
  • 2篇电气特性
  • 2篇电阻特性
  • 2篇淀积
  • 2篇钝化层
  • 2篇载物台
  • 2篇制程
  • 2篇蚀刻
  • 2篇探针卡
  • 2篇通孔
  • 2篇氢氧化
  • 2篇氢氧化钾
  • 2篇清洗工艺

机构

  • 23篇成都成芯半导...
  • 21篇中芯国际集成...
  • 1篇四川理工学院
  • 1篇四川雷鸣生物...

作者

  • 1篇周斌

传媒

  • 1篇四川建材
  • 1篇再生资源与循...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 5篇2012
  • 9篇2011
  • 5篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种测试装置及其测试方法
本发明提供一种测试装置，包括基座，电测试部件，显微镜固定器以及显微镜，所述电测试部件设置于所述基座之上，所述显微镜固定器固定于所述基座上，所述显微镜通过所述显微镜固定器固定于所述电测试部件的上方，所述电测试部件包括载物台...
严大生陈开贵刘铁贾珂童建桥何佳孟
功率MOS中ESD PN结的轮廓显现溶液及方法
本发明公开了一种功率MOS中ESD PN结的轮廓显现溶液及方法，通过使用质量百分比浓度为49％的HF溶液和质量百分比浓度为70％的HNO<Sub>3</Sub>溶液以1∶300～5∶100的体积配比制成轮廓显现溶液，并将...
余萍洪春雷范启义
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一种机械手及使用该机械手的晶圆传送盘
本实用新型提供一种机械手，其上设有吸附装置，通过吸附装置与晶圆接触而吸附晶圆，所述机械手上的吸附装置对应于晶圆的边缘设置，且机械手上除吸附装置以外的部分均不与晶圆接触。本实用新型还提供一种晶圆传送盘，包括前述机械手及与所...
王守建安云福
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蒸镀装置
本实用新型提供一种蒸镀装置，包括：多个坩埚，具有坩埚口，用于盛放膜料；第一盖板，具有第一开口大于所述坩埚口，设置于所述坩埚上，并与所述坩埚间具有间隙，防止所述坩埚中膜料的交叉污染；以及第二盖板，设置于所述第一盖板上，具有...
张海波杨爽李伟许峰嘉
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功率器件的铝插塞制作方法
本发明提出一种功率器件的铝插塞制作方法，包括下列步骤：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上沉积绝缘层；在所述绝缘层上沉积钝化层；分别对钝化层、绝缘层和半导体衬底进行蚀刻形成杯型接触孔；在所述杯型接触孔内及钝化层表面上沉积...
敖良科邢进刘晓丽陈泰江
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金属-绝缘体-金属电容器的制造方法
本发明提出一种金属-绝缘体-金属电容器的制造方法，包括下列步骤：在第一金属层上化学气相沉积介电层；在所述介电层上物理气相沉积第二金属层；蚀刻去除电容区以外的第二金属层和部分介电层，所述化学气相沉积使用SiH<Sub>4<...
郭丰邬瑞彬郭启森王光超
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在晶圆上形成互连通孔失败的补救方法
本发明公开了一种在晶圆上形成互连通孔失败的补救方法，其中所述晶圆包括：衬底，以及所述衬底上形成有第一通孔的第一介质层，包括以下步骤：通过化学机械研磨去掉部分刻蚀失败的第一通孔及其相应部分的介质层；在剩余的介质层上淀积介质...
刘致云邹胜王春华
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光刻刻蚀制作工艺
本发明提供了一种光刻刻蚀制作工艺，包括制作半导体器件，在所述半导体器件上生长隔离层，在所述隔离层上生长介电层，在所述介电层上生长硬掩膜层，涂刷光阻剂，用短波长的光通过图案化的掩膜照射所述光阻剂，进行湿法刻蚀，再进行干法刻...
马飞杨晨任晓梅
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一种晶片的干燥方法
本发明提供一种晶片的干燥方法，包括如下步骤：将晶片置于干燥槽内的去离子水中；向所述干燥槽通入异丙醇蒸汽；向所述干燥槽通入氮气；排出所述干燥槽内的去离子水及异丙醇；以及再通入氮气，进行氮气干燥步骤；其中，所述氮气的温度设置...
马杰杨爽李伟许峰嘉
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接触孔形成方法
本发明提出一种接触孔形成方法，包括：提供依次形成有绝缘介质和光刻胶层的晶圆，所述光刻胶层中包含有接触孔图案，绝缘介质层内包含有深度小于预定深度的接触孔；测量晶圆表面光刻胶层中接触孔图案的临界尺寸后，根据接触孔深度与光刻胶...
谢飞谢斯斯刘锐刘燕林涛张天翼陈晋
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共3页<123>
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