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墨研计算科学(南京)有限公司

作品数：39 被引量：0H指数：0
相关机构：苏州珂晶达电子有限公司更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作机构

文献类型

  • 39篇中文专利

领域

  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 18篇光刻
  • 13篇光强
  • 13篇光强分布
  • 10篇掩模
  • 8篇掩模版
  • 8篇计算机
  • 7篇版图
  • 6篇时长
  • 6篇光刻工艺
  • 6篇核函数
  • 6篇半导体
  • 5篇光学
  • 5篇仿真
  • 5篇存储介质
  • 4篇电路
  • 4篇电路版图
  • 4篇迭代
  • 4篇晶体管
  • 4篇集成电路
  • 4篇集成电路版图

机构

  • 39篇墨研计算科学...
  • 2篇苏州珂晶达电...

年份

  • 3篇2024
  • 6篇2023
  • 6篇2022
  • 6篇2021
  • 8篇2020
  • 10篇2019
共 39 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
计算光刻系统模型中混叠现象的处理方法
本申请公开了一种计算光刻系统模型中混叠现象的处理方法，该方法包括：根据有效采样范围和预先设定的空间采样间隔，确定对掩模函数离散采样的采样点数量，掩模函数用于表示掩模版的几何形状；根据空间采样间隔，建立抗混叠滤波函数，抗混...
阎江崔绍春陈雪莲梁文清
文献传递
一种淀积工艺的仿真方法及装置
本申请提供一种淀积工艺的仿真方法及装置。所述方法包括：根据淀积反应剂的淀积参数确定仿真淀积速率，并将淀积时长划分为多个淀积时间段，按照该仿真淀积速率，在每个淀积时间段初始时刻的初始仿真立体结构的淀积剖面上进行对应时长的仿...
陈智卫周洁云陈雪莲薛洁
文献传递
一种基于改进叉树算法的网格生成方法及装置
本申请提供一种基于改进叉树算法的网格生成方法及装置。所述方法包括：对半导体器件的外切立方体进行初始网格生成，如果目标体网格完全位于半导体器件内部且体积大于预设阈值，则继续进行细化，直至得到符合要求的最终内部体网格，如果目...
贡顶崔绍春陈雪莲
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光刻掩模光学修正的方法、装置及计算机可读存储介质
本发明涉及制备光学临近校正(OPC)设计工艺技术领域，具体而言，涉及一种光刻掩模光学修正的方法、装置及计算机可读存储介质。本发明提供一种光刻掩模光学修正的方法，包括：对修正前数据进行处理，得到基于多个分类的修正前数据；对...
崔绍春陈雪莲
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一种刻蚀工艺的仿真方法及装置
本申请提供一种刻蚀工艺的仿真方法及装置。所述方法包括：根据待刻蚀对象的第一刻蚀参数以及刻蚀物质的第二刻蚀参数确定刻蚀速率后，再结合预设的刻蚀方式，确定水平单位速度和垂直单位速度，按照该水平单位速度和垂直单位速度，对待刻蚀...
纪冬梅薛洁
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基于非均匀计算的光强分布获取方法及装置
本申请公开了一种基于非均匀计算的光强分布获取方法及装置，该方法包括：对频域上的光源函数和光瞳函数进行均匀采样，得到基于相交面积的光源采样矩阵和光瞳采样矩阵；对光源采样矩阵和光瞳采样矩阵进行非均匀傅里叶逆变换，得到交叉传递...
阎江梁文青
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计算光刻系统模型中混叠现象的处理方法
本申请公开了一种计算光刻系统模型中混叠现象的处理方法，该方法包括：根据有效采样范围和预先设定的空间采样间隔，确定对掩模函数离散采样的采样点数量，掩模函数用于表示掩模版的几何形状；根据空间采样间隔，建立抗混叠滤波函数，抗混...
阎江崔绍春陈雪莲梁文清
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一种计算光刻建模方法及装置
本申请涉及集成电路制造技术领域，公开了一种计算光刻建模方法及装置，在该方法中，通过获取测试图形包含的图形单元的类型，确定光学模块组，然后根据光学模块组，获取物理光学模型的参数。计算光学模块组在光刻胶上的理想光强分布，并根...
崔绍春
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一种基于极坐标矢量计算光刻模型的方法及装置
本申请涉及半导体生产的光刻工艺技术领域，具体而言，涉及一种基于极坐标矢量计算光刻模型的方法及装置。本申请提供一种基于极坐标矢量计算光刻模型的方法，包括：确定光源的极化类型；基于所述极化类型，建立进入光瞳的入射光线场强的传...
陈雪莲周洁云崔绍春
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一种淀积工艺的仿真方法及装置
本申请提供一种淀积工艺的仿真方法及装置。所述方法包括：根据淀积反应剂的淀积参数确定仿真淀积速率，并将淀积时长划分为多个淀积时间段，按照该仿真淀积速率，在每个淀积时间段初始时刻的初始仿真立体结构的淀积剖面上进行对应时长的仿...
陈智卫周洁云陈雪莲薛洁
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