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格罗方德半导体公司

作品数：1,024 被引量：0H指数：0
相关机构：格罗方德半导体德累斯顿第一模数有限责任及两合公司国际商业机器公司拉姆研究公司更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理金属学及工艺更多>>

合作机构

文献类型

  • 1,024篇中文专利

领域

  • 160篇电子电信
  • 47篇自动化与计算...
  • 14篇经济管理
  • 13篇金属学及工艺
  • 12篇电气工程
  • 10篇文化科学
  • 2篇天文地球
  • 2篇医药卫生
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇政治法律
  • 1篇化学工程
  • 1篇石油与天然气...
  • 1篇建筑科学
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇理学

主题

  • 398篇半导体
  • 221篇栅极
  • 196篇晶体管
  • 167篇电路
  • 159篇半导体装置
  • 127篇集成电路
  • 126篇栅极结构
  • 118篇蚀刻
  • 109篇鳍片
  • 80篇衬底
  • 79篇导体
  • 78篇介电
  • 74篇绝缘
  • 73篇半导体结构
  • 69篇金属
  • 62篇制程
  • 62篇互连
  • 60篇图案化
  • 58篇掩膜
  • 57篇漏极

机构

  • 1,024篇格罗方德半导...
  • 32篇格罗方德半导...
  • 17篇国际商业机器...
  • 2篇拉姆研究公司
  • 1篇斯班逊有限公...

年份

  • 1篇2024
  • 13篇2021
  • 73篇2020
  • 73篇2019
  • 104篇2018
  • 221篇2017
  • 136篇2016
  • 96篇2015
  • 111篇2014
  • 61篇2013
  • 67篇2012
  • 44篇2011
  • 24篇2010
共 1,024 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
使用热势理论模型化集成电路芯片上的局部温度变化
本发明涉及使用热势理论模型化集成电路芯片上的局部温度变化。考量芯片背面热移除不足的情况，模型化集成电路芯片上的装置由于自热及与其它(多个)装置的热耦合导致的温度变化。若要进行此模型化，必须使用测试集成电路(IC)芯片预先...
F·G·安德森N·T·施密特
具有低电阻栅极结构的多鳍片鳍式场效晶体管
本发明的实施例提供具有低电阻栅极结构的多鳍片鳍式场效晶体管(finFET)。金属化线形成平行于栅极，且多个接点形成于鳍片上方，以连接该金属化线至该栅极。该金属化线提供减少的栅极电阻，使得能使用较少晶体管来提供输入‑输出(...
G·布赫A·C-H·魏
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形成具有介电覆盖层的半导体装置的方法
本发明涉及一种形成具有介电覆盖层的半导体装置的方法。在半导体装置中形成超接触组件，其中可使用精密替换栅极方法。为了达到这个目的，在图案化所述层间介电材料之前，提供介电覆盖层，因而在沉积接触材料之前，可靠地接合任何先前产生...
G·马克森J·海因里克
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包括具有分等级的图案密度的管芯密封的半导体器件
本发明涉及一种包括具有分等级的图案密度的管芯密封的半导体器件。半导体器件的管芯密封可具有变化的图案密度，以使该管芯区域及该管芯密封之间的梯度得以减少。因此，就该管芯密封的给定宽度而言，可达成需要的机械稳定性，但又同时可减...
G·于贝莱特尔M·莱尔A·普拉茨
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用于工艺感知维度目标的先进工艺控制
本发明涉及用于工艺感知维度目标的先进工艺控制，揭示数种用于特定工艺的先进工艺控制(APC)的方法。在晶圆上进行特定工艺(例如，光刻或蚀刻工艺)以建立由特征组成的图案。测量目标特征的参数并且将该参数的数值使用于APC。不过...
P·亚申斯基F·卡伦贝格S·克兰普R·席翁R·泽尔特曼
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高性能多路锁存器及其使用方法
本发明涉及高性能多路锁存器，并且特别是关于高性能多路锁存器结构及使用方法。该多路锁存器包括：第一锁存器，其经结构化以接收数据信号D0，并且包含接收各自输入时钟信号的多个反相器；以及第二锁存器，其经结构化以接收数据信号D1...
V·布林吉维查亚拉格哈万
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具有包含性能增进材料成分的受应变沟道区的晶体管
在栅极图案化(patterning)之前，先在基于硅之主动半导体区中形成半导体合金(107，107A，107B，207A，207B，307)，因而除了该半导体合金的应变引发效应(strain-inducing effec...
F·维尔贝莱特A·魏R·博施克
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共本体化场效晶体管
本发明涉及共本体化场效晶体管，其揭示用于共本体化场效晶体管的结构，以及用于形成此类结构的方法。此结构包括通过半导体衬底中沟槽隔离区所界定的半导体材料本体。该本体包括多个第一区段、多个第二区段及一第三区段，该多个第二区段将...
裴成文王平川佳·D·丰
晶体管系存储器单元及相关的操作方法
无负载静态随机存取存储器单元(200)包含四个晶体管(202、204、206、208)。第一晶体管(202)具有对应于字线的栅极端(220)、对应于第一位线(212)的源极/漏极端(222)、和对应于第一储存节点(226...
赵显真
使用硅化物的通过接触部
本发明涉及使用硅化物的通过接触部，其提供一种在p外延层与n外延层源极/漏极之间栅极接触部底下形成硅化物层作为通过接触部的方法以及其产生的装置。具体实施例包括在衬底上方沉积半导体层；形成在该半导体层的p侧上的pFET栅极及...
T·G·内奥基D·普里查德S·卢宁古拉梅·伯奇D·多曼
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