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上海华力集成电路制造有限公司

作品数：2,845 被引量：37H指数：3
相关机构：上海华力微电子有限公司复旦大学中国科学院更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学经济管理更多>>

合作机构

文献类型

  • 2,784篇专利
  • 58篇期刊文章
  • 1篇标准

领域

  • 694篇电子电信
  • 353篇自动化与计算...
  • 184篇文化科学
  • 41篇经济管理
  • 36篇金属学及工艺
  • 31篇化学工程
  • 15篇交通运输工程
  • 14篇电气工程
  • 12篇理学
  • 11篇医药卫生
  • 9篇一般工业技术
  • 7篇机械工程
  • 6篇建筑科学
  • 5篇轻工技术与工...
  • 3篇矿业工程
  • 3篇环境科学与工...
  • 2篇水利工程
  • 2篇农业科学
  • 1篇生物学
  • 1篇石油与天然气...

主题

  • 533篇半导体
  • 514篇刻蚀
  • 379篇光刻
  • 371篇晶圆
  • 367篇栅极
  • 356篇电路
  • 205篇栅极结构
  • 204篇金属栅
  • 194篇半导体集成
  • 193篇源区
  • 191篇多晶
  • 186篇氧化层
  • 181篇电路制造
  • 168篇晶体管
  • 158篇多晶硅
  • 150篇半导体器件
  • 147篇集成电路
  • 138篇介质层
  • 134篇金属
  • 129篇氮化

机构

  • 2,843篇上海华力集成...
  • 4篇复旦大学
  • 4篇中国科学院
  • 4篇上海华力微电...
  • 2篇华东理工大学
  • 2篇赛鼎工程有限...
  • 2篇上海积塔半导...
  • 2篇上海电力大学
  • 1篇东华大学
  • 1篇上海理工大学
  • 1篇上海科技大学
  • 1篇浙江大学
  • 1篇上海大学
  • 1篇台积电(中国...
  • 1篇上海华虹宏力...
  • 1篇中芯国际集成...
  • 1篇上海澎博钛白...

作者

  • 4篇陈静
  • 2篇戴干策
  • 2篇沈春银
  • 2篇蒋玉龙
  • 1篇詹亮
  • 1篇钱光人
  • 1篇王波
  • 1篇许云峰
  • 1篇王艳莉
  • 1篇张睿
  • 1篇朱萍
  • 1篇刘强

传媒

  • 23篇集成电路应用
  • 7篇电子技术（上...
  • 6篇中国集成电路
  • 4篇半导体技术
  • 2篇工程塑料应用
  • 2篇电子与封装
  • 1篇中国资源综合...
  • 1篇红外
  • 1篇中国科技信息
  • 1篇中国集体经济
  • 1篇电子工业专用...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇民用飞机设计...
  • 1篇上海商业
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇中国新技术新...
  • 1篇中国产经
  • 1篇中文科技期刊...
  • 1篇仪器与设备
  • 1篇图像与信号处...

年份

  • 93篇2025
  • 450篇2024
  • 483篇2023
  • 584篇2022
  • 396篇2021
  • 359篇2020
  • 347篇2019
  • 131篇2018
共 2,845 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种SADP心轴刻蚀中的图形负载线宽调节方法
本发明提供一种SADP心轴刻蚀中的图形负载线宽调节方法，半导体结构包括自下而上堆叠的TEOS层、A‑Si层、SOC层、硬掩膜层；利用光刻工艺定义沟槽线宽，形成图形密集区的光刻胶图形及图形稀疏区的光刻胶图形，图形密集区的光...
刘丽媛许鹏凯茹启东
提高金属钨填充能力的方法
本发明提供一种提高金属钨填充能力的方法，方法包括：提供一半导体结构，其包括衬底、形成于衬底表面的栅极结构、形成于栅极结构之间的层间介质层、形成于层间介质层表面的牺牲层及沟槽，其中，沟槽贯穿牺牲层形成于栅极结构上方或贯穿牺...
许涛
一种双控制栅半浮栅晶体管及其制备方法
本发明提供一种双控制栅半浮栅晶体管及其制备方法，位于衬底上设有U型槽的浅掺杂阱区；浮栅氧化层的一部分覆盖U型槽侧壁和底部，另一部分覆盖U型槽一侧的浅掺杂阱区上，并覆盖浅掺杂阱区上的浮栅氧化层设有将浅掺杂阱区上表面暴露的开...
刘珩杨志刚冷江华关天鹏
半导体器件的制造方法
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：步骤S1,完成离子注入轻掺杂漏极掺杂区之前的工艺，所形成的器件包括：形成于半导体表面上的伪栅极结构；所述半导体器件具有第一方向和第二方向，在所述半导体器件的第二方向的两...
翁文寅
文献传递
铜互连结构的制造方法
本发明公开了一种铜互连结构的制造方法，其特征在于，包括：步骤一、在层间膜中形成凹槽；步骤二、形成阻挡层，包括分步骤：步骤21、采用PVD工艺进行预沉积形成第一TaN子层；预沉积将负偏压能量调低到不会对凹槽侧面的层间膜材料...
薛兴坤李新磊王鹏飞韩岩岩于卫国
高介电常数金属栅MOS晶体管及其制造方法
本发明公开了一种高介电常数金属栅MOS晶体管，包括：高介电常数金属栅以及自对准形成于所述高介电常数金属栅两侧的半导体衬底中的源漏区；源漏区的顶部的有源区金属零层形成于有源区金属零层开口中；在有源区金属零层开口底部暴露的源...
李勇
文献传递
栅氧掺氮退火温度的监控方法
本发明公开了一种栅氧掺氮退火温度的监控方法，包括步骤：步骤一、在测试硅片上形成零标记层图形。步骤二、形成氮掺杂的栅氧化层，包括：氧化层生长工艺，对氧化层进行掺氮工艺，进行栅氧掺氮退火工艺。步骤三、形成套刻层图形，套刻层图...
李中华
文献传递
存储器电路
本发明公开了一种存储器电路，其每行存储单元包括M+1位存储单元，其中第一到第M位存储单元正常存储M位数据，第M+1位存储单元存储第i位存储单元的相反数据；其每行灵敏放大器包括M个灵敏放大器，第i个灵敏放大器的一个正输入端...
刘皓胡晓明
空气间隙隔离结构的制造方法
本发明公开了一种空气间隙隔离结构的制造方法，包括：步骤一、形成第一图形结构。步骤二、采用以非成膜气体形成的第一等离子体并施加偏压进行预处理，以在各第一图形结构的顶部形成电子聚集区以及在各第一沟槽的底部形成正离子聚集区。步...
单铎陆神洲
通孔及其制造方法
本发明公开了一种通孔，包括：通孔开口以及将通孔开口完全填充的Ti层、胶水层和钨层；Ti层进行了退火处理使Ti层和通孔开口的底部的硅衬底发生硅化反应并形成TiSi层；钨层包括钨籽晶层和钨主体层；钨籽晶层覆盖在所述胶水层表面...
徐建华 曾招钦
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