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兰姆研究有限公司
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2002
1篇
2001
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1998
1篇
1997
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相对于掺杂的碳化硅选择蚀刻有机硅酸盐玻璃的方法
提供一种在衬底上形成的半导体芯片。在衬底上形成掺杂氧的碳化硅蚀刻终止层。在掺杂氧的碳化硅蚀刻终止层上形成有机硅酸盐玻璃层。用有机硅酸盐玻璃与掺杂氧的碳化硅的选择率高于5∶1的蚀刻选择蚀刻有机硅酸盐玻璃层中的结构元件。
X·苏
B·M·殷
P·勒温哈德特
文献传递
电极组件
这里公开了一种用于加工衬底的等离子体加工系统。此等离子体加工系统包括加工室,等离子体在其中被点燃和保持以用于加工。等离子体加工系统还包括位于加工室下端处的电极(152)。电极被构型为用来在加工室中产生电场。等离子体加工系...
F·郝
A·R·埃林贝
E·H·伦茨
文献传递
用于实施互补传感器的测量过程控制的方法和设备
提供一种用于检测晶片层的厚度的方法。该方法包含定义被配置来啮合待处理的晶片的晶片载体的特定半径。该方法也包含提供被配置来产生一组互补传感器的多个传感器。在该方法中进一步包含的是使多个传感器沿该晶片载体内的特定半径分布,以...
Y·戈特基斯
R·基斯特勒
A·奥夫查尔茨
D·亨克尔
N·J·布赖特
文献传递
增强的晶片清洗方法
提供了一种在如图2D所示的单晶片清洗系统(100-2)中去除后处理残余物的方法。所述方法开始于向设置于衬底(108)之上的近程头(106a-3,106b-3)提供第一被加热流体。之后,在所述衬底的表面和所述近程头的相对表...
允锡民
J·M·柏依
M·威尔克逊
J·德赖瑞厄斯
文献传递
用于晶片处理的处理室及其相关方法
本发明提供了一种晶片处理室,其用以使处理室内流体以及流体压力可以可变的方式来控制。该处理室采用了可移动平扳,其构造成可控制该处理室中内部体积中的流体以及流体压力。并且,该可移动平板也可用来将该处理室中的内部体积与该处理室...
J·帕克斯
文献传递
从衬底上除去杂质的方法以及制备清洗液的方法
提供一种用于从衬底上除去杂质的方法。该方法包括在衬底的表面上涂覆具有分散相、连续相和分散在连续相中的颗粒的清洗液。该方法包括迫使分散在连续相中的一个颗粒到达一个表面杂质的附近。该力足以克服颗粒和表面杂质之间的任何排斥力,...
E·M·弗里尔
J·M·德拉里奥斯
K·米克海利岑科
M·拉夫金
M·科罗利克
F·C·雷德克
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用于工艺模件的即插即用传感器组合的实现方法
提出一种采用计算机系统的工艺室,计算机系统对工艺室进行控制,而工艺室则与一个或多个传感器相连,传感器用于监测工艺室中的工艺。传感器按客户机/服务器关系与计算机系统相连,这在某种程序上使传感器为可带电拆换的即插即用传感器。...
C-H·王
D·J·赫姆克尔
A·刘
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用于蚀刻有机低K材料的特殊化学工艺
提供一种用于蚀刻集成电路晶片中的特征的方法,该方法使微掩蔽的效应最小化。该方法将包含碳氟化合物气体的蚀刻剂气体引入到晶片,利用蚀刻剂气体以便在邻近晶片的至少一部分处形成等离子体。利用等离子体蚀刻晶片内部特征的至少一部分。...
H·H·朱
J·R·鲍尔斯
I·J·莫里
W·巴比
M·戈斯
文献传递
具有干燥功能的晶片边缘轮
一种用于支撑及旋转一盘形基板的边缘轮,包括:轮本体,具有用于支撑基板边缘的周边沟槽;以及至少一个径向通道,该径向通道从该周边沟槽延伸进入该轮本体。同时也记载了一种边缘轮干燥器及一种处理盘形基板的方法。
J·帕克斯
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用于蚀刻有机低K材料的特殊化学工艺
提供一种用于蚀刻集成电路晶片中的特征的方法,该方法使微掩蔽的效应最小化。该方法将包含碳氟化合物气体的蚀刻剂气体引入到晶片,利用蚀刻剂气体以便在邻近晶片的至少一部分处形成等离子体。利用等离子体蚀刻晶片内部特征的至少一部分。...
H·H·朱
J·R·鲍尔斯
I·J·莫里
W·巴比
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