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富士通股份有限公司

作品数：5 被引量：0H指数：0
相关机构：先进微装置公司夏普株式会社三洋电机株式会社更多>>

合作机构

文献类型

  • 5篇中文专利

主题

  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硅
  • 2篇栅极
  • 2篇闪存
  • 2篇晶体管
  • 2篇封装
  • 2篇钨
  • 2篇EEPROM
  • 2篇MOS晶体管
  • 1篇电容负载
  • 1篇电容性
  • 1篇电容性负载
  • 1篇电压
  • 1篇电子部件
  • 1篇译码
  • 1篇译码结构
  • 1篇译码器
  • 1篇预处理
  • 1篇容性负载
  • 1篇隧穿

机构

  • 5篇富士通股份有...
  • 3篇先进微装置公...
  • 1篇日立制作所
  • 1篇冲电气工业株...
  • 1篇新光电气工业...
  • 1篇松下电器产业...
  • 1篇三菱电机株式...
  • 1篇日本电气株式...
  • 1篇株式会社东芝
  • 1篇索尼株式会社
  • 1篇罗姆股份有限...
  • 1篇三洋电机株式...
  • 1篇夏普株式会社

年份

  • 1篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2002
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
封装钨栅极MOS晶体管与存储单元及其制造方法
通过以氮化硅加盖及侧壁层封装各个MOS晶体管及浮动栅极存储单元的钨栅极接点,以制造用于闪速EEPROM的钨栅极MOS晶体管及存储单元。本发明方法有利于在高温及氧化环境的后续工艺中,预防有害的氧化。
张稷R·J·黄吉江敬三郎孙禹
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在擦除期间减少带到带隧穿电流的输入/输出分区系统及方法
提供系统(10a)以便在闪存擦除操作期间降低带到带隧穿电流。系统(10a)包含划分成(N)个子区块的输入/输出存储器区块(20)，N为整数，和漏极泵(40)以便为在N个子区块内的相关擦除操作产生电源。擦除排序子系统(60...
E·V·小波提斯塔栗原和弘F·潘W·F·李R·森卡瓦里D·汉密尔顿
文献传递
封装钨栅极MOS晶体管与存储单元及其制造方法
通过以氮化硅加盖及侧壁层封装各个MOS晶体管及浮动栅极存储单元的钨栅极接点，以制造用于闪速EEPROM的钨栅极MOS晶体管及存储单元。本发明方法有利于在高温及氧化环境的后续工艺中，预防有害的氧化。
张稷R·J·黄吉江敬三郎孙禹
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安装电子部件的方法
在板上安装电子部件的方法，其中电子部件和在其上安装所述电子部件的安装板被置于真空或惰性气氛中，并在常温下通过使所述电子部件和所述板的焊接部件相互接触把所述电子部件安装在所述板上，所述方法包括：利用焊料材料在所述电子部件和...
须贺唯知伊藤寿浩中泽秀人赤川雅俊
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减少闪存中X译码器电容性负载以精确字符线和选择线的电压控制的方法
一种用于降低在闪存X－译码器内的电容负载以便精确控制在选择字符线和区块选择线上的电压的装置和方法。译码结构(18)分别提供第一升压电压给字符线N－井区及提供第二升压电压给选择字符线，以便降低在选择字符线上由于与字符线N－...
毕·Q·雷栗原和弘陈伯苓
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