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华虹半导体(无锡)有限公司

作品数：1,786 被引量：18H指数：2
相关机构：上海华虹宏力半导体制造有限公司中国电子科技集团公司第五十八研究所科技部更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学经济管理更多>>

合作机构

文献类型

  • 1,778篇专利
  • 8篇期刊文章

领域

  • 641篇电子电信
  • 231篇自动化与计算...
  • 80篇文化科学
  • 48篇经济管理
  • 48篇金属学及工艺
  • 29篇化学工程
  • 12篇理学
  • 11篇电气工程
  • 9篇艺术
  • 7篇机械工程
  • 7篇医药卫生
  • 6篇一般工业技术
  • 4篇冶金工程
  • 4篇轻工技术与工...
  • 4篇交通运输工程
  • 3篇矿业工程
  • 3篇建筑科学
  • 3篇环境科学与工...
  • 3篇兵器科学与技...
  • 2篇石油与天然气...

主题

  • 476篇半导体
  • 382篇刻蚀
  • 322篇晶圆
  • 287篇光刻
  • 244篇电路
  • 231篇多晶
  • 191篇电路制造
  • 187篇氧化层
  • 184篇半导体集成
  • 177篇闪存
  • 163篇浮栅
  • 148篇介质层
  • 131篇多晶硅
  • 130篇衬底
  • 119篇闪存器
  • 118篇闪存器件
  • 104篇外延层
  • 102篇栅极
  • 100篇接触孔
  • 96篇光刻工艺

机构

  • 1,786篇华虹半导体(...
  • 289篇上海华虹宏力...
  • 1篇上海工程技术...
  • 1篇科技部
  • 1篇中国电子科技...

传媒

  • 1篇环境工程
  • 1篇工程设计学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇集成电路应用
  • 1篇冶金管理
  • 1篇电子与封装
  • 1篇中国高新科技

年份

  • 355篇2024
  • 437篇2023
  • 512篇2022
  • 325篇2021
  • 157篇2020
共 1,786 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
背照式CMOS图像传感器及其形成方法
一种背照式CMOS图像传感器及其形成方法，包括：衬底和位于衬底表面的器件层，衬底内具有若干相互分立的光电掺杂区，器件层包括若干器件结构，各器件结构位于相邻的光电掺杂区之间的衬底表面，衬底包括相对的第一面和第二面，器件层位...
余航范晓陈广龙
划片方法
本发明提供一种划片方法，包括：提供一晶圆，所述晶圆包括：切割道和阵列排布的多个芯片；形成绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖所述芯片和所述切割道；形成钝化层，所述钝化层覆盖所述绝缘介质层；刻蚀所述钝化层以得到多条沟槽，其中，所...
刘秀勇李志国马栋王丽
腔室维护后降低钼含量的方法
本发明公开了一种腔室维护后降低钼含量的方法,包括步骤S1，腔室维护，所述腔室维护步骤至少包括清洗步骤，所述清洗步骤注入第一工艺气体，以及排出所述第一工艺气体，用以降低腔室内的金属杂质离子含量，所述清洗步骤循环多次；步骤S...
贺学兵吴长明冯大贵王玉新余鹏童光辉张欢欢
文献传递
CIS器件及其制备方法
本申请提供一种CIS器件及其制备方法，其中制备方法包括：提供一衬底，衬底上形成有第一外延层和硬掩膜层；形成浅沟槽；在浅沟槽侧壁上形成衬垫氧化层；形成深沟槽；对当前结构进行预处理；对当前结构执行高温烘烤工艺；在深沟槽的底壁...
李睿曹志伟张召余文达黄萌辉范永胜刘悦
光电二极管的形成方法
本申请公开了一种应用于CIS的制作工艺中的光电二极管的形成方法，包括：在衬底上依次形成第一外延层和刻蚀阻挡层；在衬底、第一外延层和刻蚀阻挡层中形成沟槽，沟槽的深度和宽度的比值大于4；对沟槽进行各向同性刻蚀；在沟槽中填充外...
赵德鹏范晓
改善化镀表面色差的方法
本发明提供一种改善化镀表面色差的方法，提供衬底，所述衬底上形成有铝焊垫，利用等离子体轰击所述铝焊垫的表面，以提高所述铝焊垫表面的亲水性；在所述铝焊垫表面形成锌层；利用化学镀工艺在所述锌层表面镀上预定层数的目标金属。本发明...
朱田谭秀文惠科石包茜莲
套刻精度补偿方法
本发明提供一种套刻精度补偿方法，包括：将晶圆表面区域划分成至少两个图形区域，其中，至少一个所述图形区域覆盖晶圆的边缘；根据不同的套刻精度需求，为不同的图形区域选择不同的补偿模式，同时，利用各所述补偿模式对各所述图形区域进...
姜冒泉李玉华金乐群费志平黄玥程
一种半导体器件及其制备方法
本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，包括：SOI衬底，包括从下至上依次设置的第一半导体层、埋氧层及第二半导体层；凹槽，位于所述SOI衬底内，贯穿所述第二半导体层及所述埋氧层以露出所述第一半导体层；栅极结构，位于所述第...
裴梓任蒙飞刘张李孙涛
一种静电保护GGNMOS结构
本申请公开了一种静电保护GGNMOS结构，属于半导体器件及制造领域。基于SOI工艺，该结构引入一圈N型阱，并在N型阱中形成P型重掺杂区和N型重掺杂区交替的块状掺杂区，N型阱处的P型重掺杂区、N型阱、P型阱与源端处的N型重...
范炜盛
文献传递
半导体结构及其形成方法
半导体结构及其形成方法，其中一种半导体结构，包括：衬底；位于所述衬底上的选择栅结构；位于所述选择栅结构上的辅助栅结构；位于所述选择栅结构和所述辅助栅结构两侧的衬底上的侧墙栅结构，所述侧墙栅结构包括控制栅结构和浮栅结构，所...
许昭昭
文献传递
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