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于利希研究中心

作品数:50 被引量:47H指数:3
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文献类型

  • 23篇专利
  • 16篇期刊文章
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领域

  • 7篇化学工程
  • 6篇理学
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  • 3篇一般工业技术
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  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇水利工程
  • 1篇核科学技术
  • 1篇医药卫生
  • 1篇农业科学

主题

  • 4篇涂层
  • 4篇金属
  • 3篇电池
  • 3篇电解质
  • 3篇化物
  • 2篇带电粒子
  • 2篇电磁
  • 2篇电粒子
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  • 2篇选择性加氢
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  • 2篇原子
  • 2篇振荡回路
  • 2篇正温度系数
  • 2篇质谱
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机构

  • 50篇于利希研究中...
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  • 2篇北京大学
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作者

  • 3篇陆建生
  • 3篇宋鹏
  • 3篇吉爱国
  • 2篇张德丰
  • 2篇吕建国
  • 1篇何志慧
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  • 1篇王祝来
  • 1篇雷旭
  • 1篇刘强
  • 1篇刘畅
  • 1篇韩晓东
  • 1篇荆肇乾
  • 1篇赵鹏巍

传媒

  • 2篇稀有金属材料...
  • 1篇新型炭材料
  • 1篇药物生物技术
  • 1篇生理学报
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  • 1篇有机化学
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  • 1篇材料导报
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  • 1篇中国材料进展
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年份

  • 2篇2024
  • 4篇2023
  • 4篇2022
  • 5篇2021
  • 1篇2020
  • 4篇2019
  • 2篇2018
  • 7篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 4篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2007
  • 2篇2005
  • 1篇2003
  • 2篇2002
  • 1篇2000
50 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
天冬氨酸和/或谷氨酸系氨基酸的生物制备方法和该方法用的添加剂
本发明涉及天冬氨酸和/或谷氨酸系氨基酸的微生物制备方法,其中通过基因改变酶和/或产生相应氨基酸的微生物的丙酮酸羧化酶基因表达而提高丙酮酸羧化酶的活性。另外,本发明涉及丙酮酸羧化酶基因和可用于本发明方法的添加剂。
伯恩德·艾克曼斯佩特拉·彼得斯-温迪希赫尔曼·萨姆
文献传递
具有86 mV/dec亚阈值摆幅的MoS_2/SiO_2场效应晶体管(英文)
2017年
在SiO_2/Si(P^(++))衬底上制备了多层MoS_2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO_2栅氧,得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约107倍的电流开关比.该器件具有较小的亚阈值摆幅和较小的回滞幅度,表明该器件具有较少的界面态/氧化物基团吸附物.由栅极漏电造成的漏极电流噪声淹没了该器件在小电流(~10^(-13)A)处的信号,限制了其开关比测量范围.基于本文以及前人工作中MoS_2器件的表现,基于薄层SiO_2栅氧的MoS_2器件表现出了良好的性能和潜力,显示出丰富的应用前景.
刘强刘强何佳铸王翼泽张栋梁张栋梁刘畅任伟俞文杰赵清太
关键词:SIO2栅介质界面态密度
台风对夏季亚洲季风反气旋对流层上部大气成分的影响——以2013年拉萨观测为例
应用2013年8月SWOP(sounding water vapour,ozone,and particle)观测计划在拉萨获得的臭氧和水汽廓线资料,分析臭氧和水汽的相关关系,发现近一半的观测资料在上对流层–下平流层区域...
李丹Baerbel Vogel卞建春Rolf MuellerLaura L.PanGebhard Guenther白志宣李倩张金强范秋君Holger Voemel
关键词:大气成分
文献传递
磁隧道二极管和磁隧道晶体管
公开的是具有隧道节(160)的磁隧道二极管(100),所述隧道节(160)包括半金属磁性层(108)、隧道势垒(110)和由没有任何自旋激发带隙的半导体构成的层(112)。还公开的是具有层结构的磁隧道晶体管(200),包...
埃斯奥·萨斯奥古鲁斯特芬·布鲁格尔
文献传递
Proteir Folding AlphaFold2:颠覆蛋白质研究
2022年
去年,AlphaFold2解决了生物学界一个举足轻重的难题,以前所未有的精准度预测出了一系列蛋白质的结构。它正在给生物学、医学等领域带来重大改变,而这值得整个生物学界为之兴奋。
贡纳尔·施罗德刘彬(译)
关键词:ALPHA蛋白质
铂含量对改性铝化物粘结层高温氧化和内应力的影响被引量:9
2010年
研究镍基高温合金的热障涂层系统中不同铂含量的改性铝化物粘结层在1100℃空气中循环氧化和非连续氧化行为及生成的氧化铝层的内应力状态。发现在不同循环氧化条件下,铂铝粘结层表面都形成连续致密的α-Al2O3层,并且α-Al2O3具有相同的形态和相似的平均厚度。而在非连续氧化初期,Al2O3层热生长应力快速增大,在氧化至100h时内应力出现峰值。同时由于高含量铂促进Al元素的扩散从而改变了涂层力学性能,造成高含量铂涂层中表现较大的内应力,但铂含量不能影响Al2O3层中内应力曲线变化趋势。另外,低铂含量涂层γ′-Ni3Al多沿β-NiAl晶界生成,而高含量铂使涂层晶粒细化,导致γ′-Ni3Al相呈弥散分布生长,从而可以形成Al元素的"网"状快速扩散通道。
宋鹏陆建生吕建国张德丰
关键词:铝化物涂层高温氧化内应力
用于半导体陶瓷材料的制造方法、半导体材料及半导体元件
本发明涉及一种用于带正温度系数的非线性电阻的半导体陶瓷材料的制造方法。其中,将具有钙钛矿结构的施主掺杂的铁电材料和通常的表达式为A<Sub>x</Sub>B<Sub>y</Sub>O<Sub>3</Sub>的前体物质在1...
克里斯蒂安·皮萨安哈约托·卡兹温妮·瓦塞尔尤尔根·多恩赛弗尔
文献传递
像差校正高分辨透射电子显微术及其在表征功能氧化物材料结构及界面中的应用
2017年
简要介绍基于像差校正高分辨透射电子显微镜的负球差成像技术及其在研究功能氧化物材料原子构型中的应用。在亚埃尺度的空间分辨率下,负球差成像技术不但可以获得高衬度的原子尺度结构像,而且可以在皮米精度测量材料中的原子的相对位移,从而精确表征材料结构、晶格缺陷的细微变化及其对材料性能的影响。负球差成像技术为定量解析材料中包含轻原子(例如,氧)在内的精细结构问题提供了有力的手段。重点介绍了负球差成像技术在表征铁电材料电偶极矩、畴结构及畴壁,氧化物异质界面和三维Mg O晶体表面精细结构中的应用。
米少波贾春林
关键词:显微结构氧化物
在IV衬底上在低温下沉积晶层、尤其是光致发光IV‑IV层的方法,以及包含这种层的光电元器件
本发明涉及一种用于在IV‑衬底、尤其是硅衬底或锗衬底上单片式沉积IV‑IV层、尤其是GeSn或SiGeSn层的方法,所述层是单晶的、受激发光、由IV‑主族的多种元素组成并且具有小于10<Sup>6</Sup>cm<Sup...
D.格鲁茨马赫S.沃思D.M.布卡S.曼特尔
文献传递
一种多栅SOI-LDMOS器件结构
本发明提供一种多栅SOI-LDMOS器件结构,包括:SOI衬底,包括硅衬底、埋氧层及顶硅层;有源区,形成于所述顶硅层中,包括依次相连的源区、沟道区、漂移区、浅掺杂漏区、及漏区;多晶硅栅,包括结合于所述沟道区表面的栅氧层及...
赵清太徐大伟西格弗里德曼特尔俞跃辉程新红
文献传递
共5页<12345>
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