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澳芯集成电路技术(广东)有限公司

作品数：82 被引量：0H指数：0
相关机构：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作机构

文献类型

  • 80篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 16篇半导体
  • 14篇电路
  • 12篇集成电路
  • 11篇半导体器件
  • 11篇衬底
  • 8篇栅极
  • 8篇晶体管
  • 8篇刻蚀
  • 8篇极区
  • 8篇光刻
  • 8篇存储器
  • 7篇氧化层
  • 7篇芯片
  • 7篇漏电
  • 7篇晶圆
  • 7篇沟道
  • 7篇比特
  • 6篇漏电流
  • 6篇键合
  • 6篇隔离区

机构

  • 82篇澳芯集成电路...
  • 82篇广东省大湾区...

传媒

  • 2篇微纳电子与智...

年份

  • 1篇2023
  • 42篇2022
  • 39篇2021
共 82 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
栅氧化层及其制备方法和半导体器件
本发明涉及半导体集成电路技术领域，特别涉及栅氧化层及其制备方法和半导体器件。所述栅氧化层的制备方法包括以下步骤：获取半导体衬底，所述半导体衬底上具有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构隔离出有源区，酸洗；对半导体衬底进行氢...
丁文波叶甜春罗军赵杰王云
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一种FDSOI器件的沟道制作工艺优化方法
本发明公开了一种FDSOI器件的沟道制作工艺优化方法，其可使沟道减薄，以满足栅极长度缩短、良好短沟道效应控制作用，同时可避免因沟道减薄而导致的源漏极电阻值增加、外延生长源漏极缺陷等问题出现，沟道制作工艺优化方法包括以下步...
贺鑫叶甜春朱纪军罗军李彬鸿赵杰
一种半导体器件布局结构
本发明公开了一种半导体器件布局结构，其可使半导体器件尺寸缩小，同时可确保半导体器件的电学性能，其包括衬底、布置于衬底上的源极区、漏极区、栅极区、连通源极区与漏极区的沟道、连接线，源极区、漏极区、栅极区均为主动区域，主动区...
苏炳熏杨展悌叶甜春罗军赵杰薛静
文献传递
半导体结构及其制备方法
本发明涉及一种一种半导体结构，包括：衬底，所述衬底内形成有阱区；浮栅晶体管结构，位于所述衬底上，且覆盖部分所述阱区；体偏压结构，位于所述衬底中，且位于所述晶体管结构的一侧，所述体偏压结构与所述阱区电连接。上述半导体结构，...
蒋维杨展悌叶甜春罗军赵杰
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平面晶体管的设计准则及平面电晶体
本发明涉及一种平面晶体管的设计准则及平面晶体管，包括：使用优先方法将关键的设计准则进行评估并划分成4个级别；对所述设计准则优先级排序的第一级别为：新规则；对所述设计准则优先级排序的第二级别为：区域关键规则；对所述设计准则...
苏炳熏杨展悌叶甜春罗军赵杰薛静
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一种半导体器件的制造方法
本发明涉及半导体技术领域,公开了一种半导体器件的制造方法，包括第一衬底和第二衬底，第一衬底用于制作RF器件，第二衬底的上表面设有氧化层，第二衬底在氧化层的下方设有离子层，第一衬底与氧化层键合，在实际使用时本发明的半导体器...
丁文波叶甜春朱纪军李彬鸿罗军赵杰薛静
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基于网格计算的任务处理方法、装置、设备及介质
本申请提供一种基于网格计算的任务处理方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。其中方法包括：根据各网格计算节点所允许提供的计算资源建立网格计算池；在所述网格计算池中完成所有节点的网络信息服务NIS环境部署；接收通过NIS...
周达云叶甜春罗军赵杰王云
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半导体器件及其制作方法
本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：半导体衬底；设置在所述半导体衬底内的N型阱区；设置在所述N型阱区背离所述半导体衬底表面内的P型阱区；所述P型阱区背离所述N型阱区的一侧具有多个器件模块，所述器件...
苏炳熏杨展悌叶甜春罗军赵杰薛静
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一种比特单元和数据解析单元
本申请提供一种比特单元和数据解析单元。在该比特单元中，两个反向器首尾相连构成闩锁结构、闩锁结构通过开关模块与数据传输线建立连接、开关模块受控于字线，从而可以实现数据的写入和读取；另外，由于反向器和开关模块均包括MOS管，...
杨展悌苏炳熏叶甜春罗军赵杰王云
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一种基于FDSOI技术的比特单元和存储器
本发明涉及存储技术领域,公开了一种基于FDSO I技术的比特单元和存储器，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，其中第一NMOS管和第二NMOS管作为控制开关...
杨展悌苏炳熏叶甜春罗军赵杰王云
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