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一种干法刻蚀GaN基材料形成倾斜侧壁的方法: 一种干法刻蚀GaN基材料形成倾斜侧壁的方法，属于半导体技术领域。先对被刻蚀的GaN基样片进行清洗、烘干，去除表面水汽，再采用可以形成厚膜的光刻胶，在GaN基样片表面制作厚度为1μm～100μm、在干法刻蚀过程中可以逐渐膨...; 徐洲陈鹏谭崇斌徐兆青张琳吴真龙徐峰高峰夏群邵勇王栾井宋雪云; 文献传递

表面多孔的GaN基片的制备方法及由所述制备方法得到的GaN基片: 本发明涉及一种表面多孔的GaN基片的制备方法及由所述制备方法得到的GaN基片，采用工艺简单、低损伤、高腐蚀速率的湿法腐蚀方法，在GaN基片表面直接获得多孔结构。所述表面多孔的GaN基片的制备方法，包括以下步骤：a.在Ga...; 张荣陈鹏谢自力施毅刘斌刘荣海于治国江若琏韩平修向前郑有炓

GaN纳米柱的量子效率研究: GaN具有直接带隙宽,大激子束缚能,高热导率等优点,是制备光电器件和高温高功率器件的优选材料,由于近年来纳米材料的研究日益增多,GaN纳米材料也引起了广泛关注,GaN纳米材料与薄膜材料相比优点是纳米结构中存在应变弛豫可以...; 李扬扬华雪梅施毅张荣郑有炓陈鹏蒋府龙杨国锋刘斌谢自立修向前韩平赵红

Pt/Au/n-InGaN肖特基接触的电流输运机理被引量：1: 2018年; 基于热电子发射和热电子场发射模式,利用I-V方法研究了Pt/Au/n-InGaN肖特基接触的势垒特性和电流输运机理,结果表明,在不同背景载流子浓度下, Pt/Au/n-InGaN肖特基势垒特性差异明显.研究发现,较低生长温度制备的InGaN中存在的高密度施主态氮空位(VN)缺陷导致背景载流子浓度增高,同时通过热电子发射模式拟合得到高背景载流子浓度的InGaN肖特基势垒高度和理想因子与热电子场发射模式下的结果差别很大,表明VN缺陷诱发了隧穿机理并降低了肖特基势垒高度,相应的隧穿电流显著增大了肖特基势垒总的输运电流,证实热电子发射和缺陷辅助的隧穿机理共同构成了肖特基势垒的电流输运机理.低背景载流子浓度的InGaN肖特基势垒在热电子发射和热电子场发射模式下拟合的结果接近一致,表明热电子发射是其主导的电流输运机理.; 徐峰于国浩邓旭光李军帅张丽宋亮范亚明张宝顺; 关键词：铟镓氮 X射线衍射肖特基势垒热电子发射

无电极光助化学腐蚀法制备GaN微/纳米结构及其物性研究: 2015年; 利用K2S2O8作为氧化剂,通过无电极光助化学腐蚀GaN外延层制备多种形貌的GaN微米/纳米结构.采用扫描电子显微镜(SEM)、阴极射线发光图(CL mapping)、高分辨X射线衍射(HRXRD)、拉曼光谱(Raman spectra)和光致发光谱(PL)等先进的表征手段研究腐蚀样品的形貌、晶体结构和光学性质.结果表明:在高浓度的KOH(1 mol/L)和低强度的紫外光照下,腐蚀出高质量的腐蚀坑、微米/纳米柱和纳米线;在低浓度KOH(0.4 mol/L)和高强度的紫外光照下,制备出GaN棱锥,研究发现此微米/纳米锥体阵列为包裹了位错的GaN晶体.在腐蚀液KOH浓度低至0.1 mol/L时,GaN腐蚀样品表面形成大量的晶须,聚集成束,晶须揭露了位错;并探讨了多形貌微米/纳米GaN的形成机理.腐蚀温度和GaN外延层极性对腐蚀形貌也具有明显的影响.; 张士英修向前徐庆君王恒远华雪梅谢自力刘斌陈鹏韩平陆海顾书林张荣郑有炓

一种395nm短波长紫外LED结构的外延加工方法: 一种395nm短波长紫外LED结构的外延加工方法，属于半导体技术领域，在衬底上以依次外延生长缓冲层、GaN层、InGaN插入层、AlInGaN超晶格模板层和InGaN/AlInGaN多量子阱结构层。其中AlInGaN超晶...; 徐峰陈鹏高峰汤文景张琳华雪梅; 文献传递

一种在GaN基材料表面上制备聚酰亚胺微图形的方法: 一种在GaN基材料表面上制备聚酰亚胺微图形的方法，属于半导体技术领域，先在GaN基材料表面上制备光刻胶几何图形掩膜层，再蒸镀遮光层，行Lift-off处理后，经丙酮和无水乙醇浸泡、去离子水冲洗干净、烘烤；再在GaN基上涂...; 徐兆青陈鹏谭崇斌徐洲张琳吴真龙徐峰高峰夏群邵勇王栾井宋雪云; 文献传递

表面多孔的GaN基片的制备方法及由所述制备方法得到的GaN基片: 本发明涉及一种表面多孔的GaN基片的制备方法及由所述制备方法得到的GaN基片，采用工艺简单、低损伤、高腐蚀速率的湿法腐蚀方法，在GaN基片表面直接获得多孔结构。所述表面多孔的GaN基片的制备方法，包括以下步骤：a.在Ga...; 张荣陈鹏谢自力施毅刘斌刘荣海于治国江若琏韩平修向前郑有炓; 文献传递

基于离子注入隔离的微缩化发光二极管阵列性能被引量：1: 2020年; 基于F离子注入隔离技术实现一种新型微缩化发光二极管(micromicro-LED)阵列器件,并系统研究注入能量及发光孔径对micro-LED阵列器光电性能的影响.研究结果表明:相比于F离子50 ke V单次注入器件, 50/100 ke V两次注入器件具有更好的光电性能,器件反向漏电降低8.4倍,光输出功率密度提升1.3倍.同时,在不同的发光孔径(6, 8, 10μm)条件下,器件反向漏电流均为3.4×10–8 A,但正向工作电压随孔径增大而减小,分别为3.3, 3.1, 2.9 V.此外,器件不同发光孔径的有效发光面积比(实际发光面积与器件面积之比)分别为85%, 87%, 92%.与传统台面刻蚀micro-LED器件相比,离子注入隔离技术实现的micro-LED器件具有较低反的向漏电流密度、较高的光输出密度及有效发光面积比.; 高承浩徐峰张丽赵德胜魏星车玲娟庄永漳张宝顺张晶

一种铝铟镓氮四元合金薄膜材料的MOCVD外延加工方法: 一种铝铟镓氮四元合金薄膜材料的MOCVD外延加工方法，属于半导体技术领域。通过金属有机物化学气相淀积MOCVD外延技术，以交替匹配生长原子层级厚度的三元合金铟镓氮（InGaN）和铝镓氮（AlGaN）材料的方法形成铝铟镓氮...; 徐峰陈鹏谭崇斌徐洲张琳吴真龙高峰徐兆青邵勇王栾井宋雪云; 文献传递

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南京大学扬州光电研究院