北京大学化学与分子工程学院纳米化学研究中心
- 作品数：57 被引量：138H指数：7
- 相关作者：朱梓华高腾李春增魏忠陈言更多>>
- 相关机构：兰州大学化学化工学院化学系兰州大学化学化工学院河南大学特种功能材料教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家攀登计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信化学工程更多>>
- 石墨烯光催化甲基化
- 我们利用石墨烯与过氧化叔丁基醚之间的自由基加成反应实现了石墨烯的光催化甲基化.X射线光电子能谱，拉曼光谱，红外光谱等表征结果证明了甲基共价加成到了石墨烯表面.共价加成的甲基在380℃时从石墨烯上脱附，同时石墨烯会恢复成s...
- 廖磊宋泽昊周喻王欢谢芹彭海琳刘忠范
- 关键词：石墨烯化学修饰甲基化可逆
- 单壁碳纳米管的CVD合成及管径分布被引量：12
- 2001年
- 甲烷在以活性氧化铝为载体的 Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ等催化剂上于８５０℃分解并生成直径为 ０．８～５ ｎｍ的单壁碳纳米管．预先将催化剂在１１００℃焙烧，能够减少产物中无定形碳的生成．拉曼光谱结果表明，由该法制备的碳纳米管的管径分布主要受温度的影响，较低温度有利于较小直径的单壁碳纳米管的生成和较好的管径选择性．
- 魏忠陈言刘忠范
- 关键词：单壁碳纳米管化学气相沉积RAMAN光谱
- 以苯三炔为碳源Rh(111)上石墨烯的可控制备
- 该工作主要是利用苯三炔作为前驱体在Rh(111)基底上进行石墨烯的生长。由于苯三炔分子与Rh(111)基底之间具有很强的π-d轨道杂化作用,可以在室温下实现苯三炔在Rh(111)基底上的沉积。我们分别利用程序升温以及直接...
- 亓月张艳锋刘忠范
- 关键词：石墨烯
- 文献传递
- 高校集成电路学院建设谨防一拥而上
- 2023年
- 2022年8月,美国颁布《芯片与科学法案》,投资2800亿美元支持半导体芯片产业,吸引芯片制造重回美国。2023年2月28日,这一旨在限制中国芯片产业发展的“芯片禁令”正式实施。作为全球最大的芯片进口和消费国,我国半导体芯片产业面临着严峻的“卡脖子”难题。
- 刘忠范
- 关键词：芯片制造芯片产业集成电路
- sp-sp~2碳材料的制备、表征与电子性质
- 近年来,含sp和sp2杂化碳原子的一类二维材料正逐渐引起广泛关注,如石墨炔,石墨双炔[1]。它们具有丰富的结构,可能在电子学和能源等领域有应用前景。然而,该类材料的实验制备和表征还存在许多困难[2-3],其相关电子性质也...
- 王进莹张树清刘忠范张锦刘志荣
- 关键词：碳材料第一性原理拉曼带隙
- 文献传递
- 基于水溶性基底的石墨烯粉体的化学气相沉积制备
- 传统的化学气相沉积方法主要选用Cu、Ni、SiO2等作为平面基底，生长大面积、高质量石墨烯薄膜。然而，对基底的去除通常耗时，费力并且会污染环境。本工作采用水溶性的氯化钠粉体为基底，实现了石墨烯粉体的绿色制备。与金属基底催...
- 史刘嵘刘忠范
- 关键词：化学气相沉积水溶性
- 表面增强喇曼光谱检测卟啉单分子膜被引量：13
- 2001年
- 利用轴向配位作用将 5 ,1 0 ,1 5 ,2 0 -四苯基钴 ( )卟啉 ( Co TPP)固定在 4 -巯基吡啶自组装膜表面上 ,形成 Co TPP单分子膜 .通过组装金纳米粒子的方法 ,成功地获得了膜中 Co TPP分子的喇曼光谱 .研究结果表明 ,Co TPP分子是通过钴原子与氮原子之间的配位作用与巯基吡啶分子结合的 。
- 朱梓华盛晓霞张智军朱涛刘忠范
- 关键词：4-巯基吡啶自组装膜
- 与改革开放共成长
- 2019年
- 改革开放40年是我们国家发生巨变的40年,也是我茁壮成长的40年。有幸亲眼见证、亲身经历了这一历史性的变革,经历了高等教育和科技领域大发展的时代,在某些方面也是积极的参与者和推动者,我感到特别自豪。如果没有改革开放,我可能上不了大学,也不可能有机会出国学习。改革开放40年是我们国家发生巨变的40年,也是我茁壮成长的40年。有幸亲眼见证、亲身经历了这一历史性的变革,经历高等教育和科技领域大发展的时代,在某些方面也是积极的参与者和推动者,我感到特别自豪。
- 刘忠范刘忠范
- 关键词：文化自信自然科学基金九三学社扫描隧道显微镜
- 做实做强国际科技创新中心被引量：1
- 2022年
- 在北京国际科技创新中心建设过程中,既要整合用好“存量”优势资源,也要通过“增量”资源完善首都科技创新体系,同时体现科技创新中心的“国际性”。用好“存量”资源是北京国际科技创新中心建设的出发点,更是走向未来、走向成功的基本盘。北京拥有90多所高校和一大批科研院所,集聚了全国一半的顶尖学科和两院院士,拥有全国最多的顶尖科学家和专家学者.
- 刘忠范
- 关键词：科技创新中心科技创新体系
- 多孔硅电致发光随时间淬灭伴随的峰位红移现象被引量：2
- 1998年
- 本文着重研究了多孔硅（ＰｏｒｏｕｓＳｉｌｉｃｏｎ，简称ＰＳ）在阴极偏压下过硫酸铵溶液中电压调制的电致发光（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ，简称ＥＬ）现象．发现在定电压下，随极化时间的增长电致发光强度减小并伴随着光谱红移现象．通过红外、拉曼、ＡＦＭ及光电化学等手段对电致发光的淬灭机制进行了研究，结果表明，在电致发光过程中强氧化剂向多孔硅注入空穴使ＰＳ表面氧化，导致小粒径的硅晶逐渐被剥落，造成光谱高能部分首先淬灭并出现随时间变化的电致发光红移现象．
- 王荣秋李经建蔡生民刘忠范
- 关键词：多孔硅电致发光量子限制效应红移
