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深圳市天星达真空镀膜设备有限公司

作品数:15 被引量:17H指数:3
相关机构:哈尔滨商业大学更多>>
发文基金:黑龙江省自然科学基金黑龙江省教育厅科学技术研究项目更多>>
相关领域:一般工业技术理学金属学及工艺更多>>

合作机构

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 6篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 8篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 8篇溅射
  • 8篇磁控
  • 8篇磁控溅射
  • 3篇镀膜
  • 3篇真空镀膜
  • 3篇弧光
  • 3篇辉光
  • 2篇镀膜机
  • 2篇圆柱
  • 2篇真空镀膜机
  • 2篇真空室
  • 2篇离子
  • 2篇离子镀
  • 2篇离子源
  • 2篇溅射制备
  • 2篇TIN薄膜
  • 2篇磁控溅射制备
  • 1篇导电薄膜
  • 1篇电动
  • 1篇电动机

机构

  • 15篇深圳市天星达...
  • 10篇哈尔滨商业大...

作者

  • 9篇林晶
  • 3篇孙智慧
  • 2篇刘壮
  • 2篇傅鹏飞
  • 2篇肖玮
  • 1篇董静
  • 1篇于贵文
  • 1篇赵丽丽
  • 1篇王鹤腾
  • 1篇杨翰林
  • 1篇张莉

传媒

  • 4篇真空
  • 4篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2020
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
离子源对磁控溅射制备TiNC膜基结合力的影响
由于膜基附着力不好,膜层脱落(俗称掉膜)问题是工业生产中磁控溅射镀制黑膜最常见的问题,本实验采用阳极线性离子源和霍尔点源辅助磁控溅射复合技术在制备了T iNC薄膜,试图探讨解决在工业生产中解决TiN C膜基附着力不好的问...
钱锋刘树红林晶
文献传递
鼠笼型摆线式工件架
本实用新型提供了一种鼠笼型摆线式工件架,它包括前导轨、鼠笼型工件篮、后导轨、传动座、电动机、齿轮、支撑架和光电开关,前导轨和后导轨设置在支撑架上,支撑架连接传动座,传动座连接电动机和光电开关,鼠笼型工件篮设置在前导轨和后...
钱锋林晶李恒孙智慧
文献传递
真空镀膜弧光辉光协同放电物理气相沉积装置
本实用新型提供了一种真空镀膜弧光辉光协同放电物理气相沉积装置,采用离子镀磁控溅射弧光辉光协同放电气相沉积混合薄膜,它包括磁铁、圆柱靶、靶面,磁铁设置在圆柱靶上,靶面设置在圆柱靶外围。采用一改常用的平面靶及垂直放置的方式,...
钱锋林晶李恒孙智慧
文献传递
旋转圆柱磁控溅射阴极设计和磁场强度分析计算被引量:6
2014年
磁场分布对旋转圆柱靶磁控溅射阴极的性能起着决定性作用。本文应用ANSYS有限元方法对单个旋转圆柱靶和孪生旋转圆柱靶阴极磁场强度进行了模拟计算,得到的磁场分量Bx、By在靶材表面的二维磁场分布,并利用Bx、By计算得到了圆柱靶表面切线方向的磁场强度Bτ。通过调节磁铁的高度、宽度、磁铁间夹角以及孪生靶间距和靶中心轴旋转角度等参数对磁场分布进行了优化,优化后的圆柱磁控溅射阴极的表面切线方向磁场强度增加了大约40%,所对应的溅射区磁场面积也增大了大约45%。
孙智慧钱锋樊涛林晶
关键词:磁控溅射结构优化
磁控溅射纳米疏水膜制备装置
本实用新型公开了一种磁控溅射纳米疏水膜制备装置,包括真空室、蒸发室、真空获得系统、真空计、充气系统、磁控溅射系统、转架和加热丝,所述磁控溅射系统包括偏压电源和磁控溅射阴极,所述偏压电源分别与转架和磁控溅射阴极电连接,所述...
钱锋
文献传递
占空比对磁控溅射TiAlN薄膜性能影响的实验研究被引量:4
2014年
采用中频孪生磁控溅射技术,通过调整薄膜沉积过程中占空比大小,制备TiAlN薄膜。并对不同占空比条件下制备的TiAlN薄膜的表面形貌、膜厚、硬度与耐腐蚀性能进行测试与分析,得出占空比变化对磁控溅射TiAlN薄膜性能的影响。
孙智慧钱锋肖玮张莉杨翰林
关键词:占空比磁控溅射TIALN
汽车零部件常压快速检漏系统的设计被引量:1
2016年
泄漏检测是汽车工业生产中许多零部件质量保证的关键技术,为了适应大型自动化生产背景下的高精度快速检测,设计研发了一套常压快速检漏系统。该系统运用T-Guard氦浓度传感器的累积法检漏原理,配合抽真空系统、充氦系统、净化气体系统和电器控制系统等部分来实现高精度常压快速检漏。系统运行显示可以检测到泄漏率为10-10-5Pa·m3/s之间的漏点,检漏节拍小于1 min,在满足常压下检漏的同时,达到了检漏时间短、灵敏度高、效率能与生产线速度同步等要求,实现产品高精度的快速在线检测。
林晶钱锋刘壮赵丽丽肖玮
关键词:泄漏检测汽车零部件累积法
辉弧共溅射Ar/N_2流量比对TiN薄膜结构及硬度的影响被引量:3
2014年
采用辉光弧光协同共放电混合镀方法在A3碳钢基体上沉积氮化钛薄膜,通过改变Ar/N2流量比,研究Ar/N2流量比对TiN薄膜结构及硬度的影响。X射线衍射谱图表明制备的TiN有明显的(111)晶面择优取向;Ti2p的X射线光电子谱谱峰拟合分析表明Ti2p1/2峰和Ti2p3/2峰均有双峰出现,可知氮化物中的Ti存在不同的化学状态,整个膜层是由TiN,TiO2,TiNxOy化合物组成的复合体系,Ar/N2流量比影响各成分的含量。对比硬度的变化和组成成分之间的关系发现,膜层硬度随着含TiN量的增多而增大,当Ar/N2流量比为3∶1时,硬度最大。
林晶钱锋孙智慧傅鹏飞
关键词:TIN薄膜
辉光弧光协同共放电方式制备TiN薄膜的研究被引量:2
2013年
分别采用中频磁控溅射、电弧离子镀及辉光弧光协同共放电混合镀(APSCD)三种方式在碳钢基体上制备TiN薄膜,采用原子力学显微镜、显微硬度计、台阶膜厚仪、电化学技术对薄膜表面形貌、显微硬度、膜厚、耐腐蚀性进行测试。研究结果表明:多弧离子镀薄膜颗粒的平均粗糙度为7.066 nm,混合镀薄膜颗粒的平均粗糙度为4.687 nm,在相同时间条件下,磁控溅射薄膜厚度为658 nm,混合镀膜厚度为1345 nm,混合镀工艺具有降低多弧离子镀粗糙度又可以克服磁控溅射沉积速率慢的优点。经过混合镀TiN薄膜后,基体表面显微硬度从226HV提高到1238 HV,在天然海水中测得混合镀膜层腐蚀电位比基体提高104mV。
林晶傅鹏飞钱锋刘壮
关键词:TIN薄膜磁控溅射多弧离子镀
显示屏保护面板
本实用新型提供的显示屏保护板,包括基片、设于基片上的膜层,膜层包括依次设置的耐冲击加硬强化膜层、非导电半透明光透过率调节膜层、颜色调节膜层、金属保护膜层、防油污防指纹膜层、包装保护膜。本实用新型提供的显示屏保护板,重量轻...
林晶钱锋周珂
文献传递
共2页<12>
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