北京国联万众半导体科技有限公司
- 作品数：50 被引量：14H指数：3
- 相关机构：中国电子科技集团第十三研究所电子科技大学北京华商三优新能源科技有限公司更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信经济管理交通运输工程建筑科学更多>>
- 一种用于宽禁带半导体功率器件的测试装置
- 本发明公开了一种宽禁带半导体功率器件测试装置，该测试装置包括宽禁带半导体功率器件输入接口装置、宽禁带半导体功率器件输出接口装置、电源供给装置、数据采集装置、数据存储装置、数据处理装置和数据显示装置，所述数据采集采集装置采...
- 王文博
- 文献传递
- 一种发光装饰线
- 本实用新型提出了一种发光装饰线，包括装饰线条，装饰线条包括装饰线条本体，装饰线条本体具有用于安装于室内墙壁上的内侧安装面，装饰线条本体还具有与内侧安装面相对的设置的并朝向室内凸出的外侧平面，装饰线条本体的上侧面上一体设置...
- 吴传炎
- 文献传递
- 隐藏式杀菌笔
- 本实用新型公开了一种隐藏式杀菌笔，涉及消毒杀菌设施技术领域，包括长条状笔筒及其内部嵌装的长条状灯具，灯具能够发出UVC段紫外光；笔筒内设有用于与灯具相连的推拉机构，推拉机构驱动灯具从笔筒内伸出或回收至笔筒内；笔筒的一端设...
- 安国雨魏学成张洋阳
- 文献传递
- 毫米波芯片制作方法
- 本发明公开了一种毫米波芯片制作方法，包括如下步骤：对减薄后的晶圆的背面进行背面光刻，背面光刻的目的是将背面的分片通道进行光刻，将晶圆的有效芯片区域进行保护；背面光刻采用背面分片光刻版将芯片的正面和背面进行双面对准，然后露...
- 张志国刘育青张洋阳李少鹏安国雨郭黛翡
- 一种碳化硅器件的离子注入方法
- 本发明公开了一种碳化硅器件的离子注入方法，包括：在碳化硅圆片表面淀积介质层；在所述介质层上涂覆光刻胶，得到涂覆光刻胶后的碳化硅圆片；对所述涂覆光刻胶后的碳化硅圆片进行光刻，使离子注入区域暴露；根据离子注入能量和离子注入剂...
- 秦龙宋洁晶胡泽先高渊高昶孙虎赵红刚吕鑫朱延超高三磊王强栋吕树海刘相伍
- 文献传递
- 一种高结终端效率1700V/10A SiC功率MOSFET被引量：4
- 2020年
- 设计了一种具有分组缓变间距场限环(MGM-FLR)结终端结构的SiC功率MOSFET,并基于国内现有的SiC电力电子器件工艺平台进行了流片,完成了1700 V/10 A SiC功率MOSFET样品的制备。测试结果表明,MGM-FLR结构有效调制并优化了结终端区域的表面电场强度分布,SiC MOSFET漏电流为1μA时最大击穿电压达到2400 V,为理想平行平面结击穿电压的91%。器件的比导通电阻约为36 mΩ·cm^2,阈值电压为2.9 V。对制备的SiC功率MOSFET进行了150℃、168 h的高温反偏(HTRB)可靠性测试评估,实验前后的击穿电压变化量不超过100 V,初步验证了MGM-FLR结终端结构的鲁棒性和可行性。
- 刘岳巍杨瑞霞张志国王永维邓小川
- 关键词：场限环击穿电压
- 发光二极管封装件
- 本发明涉及一种发光二极管封装件，包括：芯片，在芯片上固定设置有延伸电极，延伸电极包括主电极和与主电极相连的电极延伸端，与芯片相对设置的基板，在基板上固定设置有防偏焊盘，防偏焊盘能容纳主电极并能延伸以容纳至少部分电极延伸端...
- 梁润园黄超袁长安张国旗
- 文献传递
- 企业财务管理中的成本控制策略探究被引量：1
- 2024年
- 新时期背景下,企业在运行过程中面临着激烈的竞争与经营挑战,而成本控制作为企业财务管理的主要环节,对企业利润水平具有直接影响。合理、有效的成本控制,可在帮助企业减少成本支出的同时提高资源使用效率,进而实现企业价值。基于此,本文首先阐述了企业财务成本控制的重要性;其次,详细分析了企业财务管理中成本控制存在的问题,如成本控制管理措施规范性不足、企业成本控制与成本预算目标存在偏差、企业成本控制模式存在缺陷、企业成本控制方法较为传统等;最后,结合上述问题,针对企业财务管理中成本控制提出了一系列改进策略,其中包括优化企业内部成本控制管理体系、优化企业内部管理信息系统、强化企业内部人员的成本控制意识、构建完善成本控制考核制度等,以期帮助企业更好地对成本进行管理与控制,增强财务稳定性。
- 侯丽敏
- 关键词：企业财务管理成本控制
- 智慧路灯（I型）
- 1．本外观设计产品的名称：智慧路灯（I型）。;2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于公路照明设施。;3．本外观设计产品的设计要点：整体造型。;4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：主视图。
- 吴传炎
- 一种可剥离蓝宝石衬底的氮化镓基垂直器件制备方法
- 一种可剥离蓝宝石衬底的氮化镓基垂直器件制备方法，属于半导体器件技术领域。具体步骤为，准备蓝宝石衬底，厚度为300um；采用典型的金属有机物化学气相沉淀MOCVD方法，在蓝宝石衬底上生长一层氮化镓化合物缓冲层；形成电极，准...
- 刘育青刘超孙跃王文博
- 文献传递
