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半南实验室公司
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具有埋栅的垂直沟道结型场效应晶体管及其制造方法
本发明描述了半导体器件和制造器件的方法。器件可以在SiC中实现并且可以包括外延生长n型漂移层和p型开槽栅区、以及位于开槽p型栅区顶上的外延再生长n型平整沟道区。源区可以被外延再生长于沟道区顶上或选择性注入到沟道区中。然后...
成林
M·S·马佐拉
文献传递
自对准碳化硅半导体器件
一种具有更高电流稳定性的自对准碳化硅射频功率MESFET及制造该器件的方法。该器件包括被栅极凹陷分离的抬高的源极和漏极区,具有更高的电流稳定性,从而即使在低栅极偏压下也能够减少表面俘获效应。该器件可以用自对准处理形成,其...
伊格尔·桑金
加纳·B.·卡萨迪
卓塞弗·N.·莫莱特
文献传递
宽能带隙半导体的常关集成JFET功率开关及其制造方法
描述了一种包括常关VJFET集成功率开关的宽能带隙半导体器件。该功率开关可以单片或混合地实现,而且可以与在单芯片或多芯片宽能带隙功率半导体模块中建立的控制电路集成。该器件可用于高功率、能耐受温度和抵抗辐射的电子设备部件中...
伊格尔·桑金
约瑟夫·N.·梅里特
文献传递
光控碳化硅和相关的宽带隙晶体管以及可控硅元件
一种用于制造功率器件和电路的光活性材料,其与影响功率电子器件和电路的光学控制的传统方法相比具有显著的性能优势。碳化硅光活性材料通过与硼相关的D中心补偿浅施主而形成。由此产生的材料可为n型或p型,但其与其他材料的区别在于,...
迈克尔·S·马佐拉
文献传递
具有导电性提高的非穿通半导体沟道的半导体器件及其制造方法
本发明描述了一种半导体器件,其中,器件中的电流被限制在整流结(例如,p-n结或金属-半导体结)之间。该器件提供了非穿通行为以及增强的电流传导性能。该器件可以是功率半导体器件,例如,结型场效应晶体管(JFET)、静电感应晶...
伊戈尔·桑金
大卫·C·谢里登
约瑟夫·尼尔·梅雷特
具有浪涌电流保护的半导体器件及其制造方法
本发明提供了一种具有浪涌电流保护的宽带隙半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括通过等离子体蚀刻穿过在重掺杂n-型衬底上生长的第一外延层而形成的轻掺杂n-型区,还包括通过等离子体蚀刻穿过在第一外延层上生长的第二外延层而形...
伊格尔·桑金
约瑟夫·尼尔·梅里特
文献传递
具有再生长栅极的自对准沟槽场效应晶体管和具有再生长基极接触区的双极结型晶体管及其制造方法
本发明描述了具有垂直沟道和自对准再生长栅极的结型场效应晶体管以及这些器件的制造方法。该方法采用选择性生长和/或选择性去除半导体材料的技术,从而沿着沟道的侧面并在将源极指分隔开的沟槽底部上形成p-n结栅极。本发明还描述了具...
约瑟夫·尼尔·梅里特
伊格尔·桑金
文献传递
使用选择性外延生长制造横向结型场效应晶体管的方法
本发明描述了诸如横向结型场效应晶体管(JFET)等半导体器件的制造方法,所述方法为自对准方法,并包括使用再生长掩模材料进行选择性外延生长以形成器件的栅极区或源/漏区。所述方法可消除对离子注入的需要。所述器件可由诸如SiC...
约瑟夫·尼尔·梅雷特
伊戈尔·桑金
在低度偏轴碳化硅基片上的外延生长及利用其制造的半导体器件
本发明描述了一种在单晶SiC基片上外延生长SiC层的方法。该方法包括在隔室中将单晶SiC基片加热至至少1400℃的第一温度,向该隔室中引入载气、含硅气体和含碳气体;和在SiC基片的表面上外延生长SiC层。SiC基片以至少...
张洁
结势垒肖特基整流器及其制造方法
本发明涉及结势垒肖特基(JBS)整流器器件及其制造方法。该器件包括外延生长的第一n型漂移层和p型区,以形成p型区之间或顶部上的p<Sup>+</Sup>-n结和自平坦化的外延过生长第二n型漂移区。该器件可包括边缘终止结构...
迈克尔·S·马佐拉
成林
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