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东北技术使者株式会社

作品数：14 被引量：0H指数：0
相关机构：同和控股(集团)有限公司古河机械金属株式会社伟方亮有限公司更多>>
相关领域：金属学及工艺更多>>

合作机构

文献类型

  • 14篇中文专利

领域

  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 7篇基板
  • 5篇氮化
  • 5篇氮化处理
  • 4篇电弧
  • 4篇元件
  • 4篇GAN
  • 3篇厚膜
  • 2篇电弧放电
  • 2篇电流频率
  • 2篇叠层
  • 2篇熔融金属
  • 2篇铸型
  • 2篇炉缸
  • 2篇金属
  • 2篇金属材料
  • 2篇基底
  • 2篇激光
  • 2篇激光二极管
  • 2篇合金
  • 2篇二极管

机构

  • 14篇东北技术使者...
  • 4篇三菱化学株式...
  • 4篇伟方亮有限公...
  • 4篇古河机械金属...
  • 4篇同和控股(集...
  • 1篇独立行政法人...
  • 1篇同和电子科技...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
  • 2篇2009
  • 2篇2008
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
分割式模具
1．本外观设计产品的名称：分割式模具。;2．本外观设计产品的用途：用作熔铸装置中的模具。;3．本外观设计产品的设计要点：图示产品的形状。;4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。
龟山元弘川井芳明横山嘉彦
文献传递
半导体基板制造方法
本发明提供一种半导体基板制造方法，本发明的第1技术方案的半导体基板制造方法，其特征在于，该半导体基板制造方法包含：准备基底基板的准备工序；在上述基底基板上叠层至少2层多重层的叠层工序，该多重层包含剥离层及半导体层；分离上...
八百隆文曹明焕
文献传递
电弧熔化炉装置以及被熔化物的电弧熔化方法
本发明的目的是提供一种不用使作业者花费巨大的劳力就能有效地对熔化后的被熔化物进行搅拌的电弧熔化炉装置以及电弧放电的控制方法。具备：铸型3，设置在熔化室2的内部，具有凹部3a；非消耗放电电极5，将收容于所述凹部3a的被熔化...
龟山元弘川井芳明横山嘉彦井上明久
文献传递
电磁搅拌装置
以提供、可以供给比以往的要更加杰出的搅拌力的电磁搅拌装置为目的。装置是由下述结构所构成的：具有在容器5的外周、沿着垂直的方向设置有产生垂直方向移动磁场用的线圈1和在产生垂直方向移动磁场用的线圈1的外侧设置有产生旋转方向移...
谷口尚司安齐浩一上野和之板村正行嶋崎真一
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GaN单晶生长方法、GaN基板制备方法、GaN系元件制备方法以及GaN系元件
使用在基板上生长的金属缓冲层来生长GaN系薄膜(厚膜)。(a)在蓝宝石基板120上蒸镀形成Cr、Cu等的金属缓冲层210。(b)对于在蓝宝石基板120上蒸镀金属缓冲层210得到的基板，在氨气气氛中进行氮化处理，形成金属氮...
八百隆文曹明焕
文献传递
GaN单晶生长方法、GaN基板制备方法、GaN系元件制备方法以及GaN系元件
使用在基板上生长的金属缓冲层来生长GaN系薄膜(厚膜)。(a)在蓝宝石基板120上蒸镀形成Cr、Cu等的金属缓冲层210。(b)对于在蓝宝石基板120上蒸镀金属缓冲层210得到的基板，在氨气气氛中进行氮化处理，形成金属氮...
八百隆文曹明焕
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GaN单晶生长方法、GaN基板制备方法、GaN系元件制备方法以及GaN系元件
使用在基板上生长的金属缓冲层来生长GaN系薄膜(厚膜)。(a)在蓝宝石基板120上蒸镀形成Cr、Cu等的金属缓冲层210。(b)对于在蓝宝石基板120上蒸镀金属缓冲层210得到的基板，在氨气气氛中进行氮化处理，形成金属氮...
八百隆文曺明焕
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电弧熔解炉装置
提供一种减轻操作者的操作负担并且缩短操作时间的电弧熔解炉装置。电弧熔解炉装置（1）具有形成熔解室（2a）的壳体（2）、设置于熔解室（2a）的内部的具有凹陷部（4a）的炉缸（4）、将投入到凹陷部（4）的金属材料加热熔解而生...
永田正喜龟山元弘横山嘉彦井上明久
文献传递
III族氮化物半导体和其制造方法
本发明涉及III族氮化物半导体和其制造方法。III族氮化物半导体的制造方法，其具有下述工序：在AlN模板基板或者AlN单晶基板上形成金属层的工序，所述AlN模板基板或者AlN单晶基板是在包含蓝宝石、SiC、Si的任一者的...
八百隆文曹明焕鸟羽隆一
半导体基板制造方法
本发明提供一种半导体基板制造方法，本发明的第1技术方案的半导体基板制造方法，其特征在于，该半导体基板制造方法包含：准备基底基板的准备工序；在上述基底基板上叠层至少2层多重层的叠层工序，该多重层包含剥离层及半导体层；分离上...
八百隆文曹明焕
文献传递
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