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三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社

作品数：34 被引量：0H指数：0
相关机构：三菱麻铁里亚尔株式会社日本酸素株式会社三菱综合材料多晶硅股份有限公司更多>>

合作机构

文献类型

  • 34篇中文专利

主题

  • 21篇单晶
  • 11篇坩埚
  • 8篇拉制
  • 8篇半导体
  • 6篇气密
  • 6篇硅片
  • 4篇圆筒形
  • 4篇支承
  • 4篇气体
  • 4篇粒状
  • 4篇面粗糙度
  • 4篇表面粗糙度
  • 4篇衬底
  • 4篇粗糙度
  • 2篇单晶拉制
  • 2篇氮化
  • 2篇导体
  • 2篇底座
  • 2篇地层
  • 2篇电极

机构

  • 34篇三菱麻铁里亚...
  • 24篇三菱麻铁里亚...
  • 4篇日本酸素株式...
  • 2篇三菱综合材料...

年份

  • 1篇2006
  • 3篇2005
  • 5篇2004
  • 3篇2003
  • 7篇2002
  • 3篇2001
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 10篇1997
共 34 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
拉单晶装置
一种拉单晶装置包括：一密封容器；在密封容器内、用于装半导体熔化物的双坩埚，该双坩埚包括在底边相连的外坩埚和内坩埚；以及用于在外坩埚和内坩埚之间的位置向半导体熔化物加入源材料的源材料供应装置；其特征在于：一个限制流动部件装...
热海贵田口裕章降屋久喜田道夫
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拉单晶装置
一种拉制硅或砷化镓等半导体单晶的拉单晶装置，包括：气密容器，容器内的坩埚，加热器，和一对在半导体熔化物中施加会交磁场的线圈。一圆筒形隔离体把坩埚分为供应并熔化源材料的外区域和拉单晶的内区域。内外区域在隔离体底部连通。反向...
热海贵降屋久喜田道夫
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拉单晶装置
一种拉制硅或砷化镓等半导体单晶的拉单晶装置，包括：气密容器，容器内的坩埚，加热器，和一对在半导体熔化物中施加会交磁场的线圈。一圆筒形隔离体把坩埚分为供应并熔化源材料的外区域和拉单晶的内区域。内外区域在隔离体底部连通。反向...
热海贵降屋久喜田道夫
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环形部件的提升设备
一种利用安装有提升机构的承载设备来提升环形部件和将其承载和布置在预定位置的环形部件提升设备，它包括一个从提升机构悬挂下来的悬置部件，多个从悬置部件在一个水平平面内沿着径向延伸的支承臂。每个所述支承臂具有一个用于从环形部件...
山崎昌一築场三千雄田口裕章热海贵降屋久
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单晶生长方法
采用CZ生长工艺的半导体单晶生长方法，具有一个阶段(0＜t＜t1)，其中，在半导体单晶被拉制的同时，源材料连续地加入以使半导体熔化物量保持恒定，还有另一个阶段(t2＜t＜t3)，其中源材料停止加入，而用第一阶段的剩余熔化...
田口裕章热海贵降屋久喜田道夫
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单晶提拉装置
一种单晶提拉装置，其中半导体熔体储存在外坩埚内，作为部件的圆筒形内坩埚安装在外坩埚内因而形成双坩埚，半导体单晶从内坩埚内的半导体熔体提拉。内坩埚含有形成双坩埚时形成的连接部分，令半导体熔体流入内坩埚之内，并且连接部分结合...
热海贵降屋久喜田道夫
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单晶硅锭及其制造方法
本发明涉及单晶硅锭及其制造方法。其底部侧等直径部的特性与顶部侧等直径部及中部侧等直径部的特性相近似，高品位单晶硅的制品数率高，而且在等直径部整个长度上的品质大致均匀。并可按同一形状反复制造，在每批制品间，底部的形状没有偏...
松原顺一三宅雄治金刚寺博
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多晶硅的评价方法
提供实际上不进行单晶的拉制，能够有效地评价原料多晶硅中含有的异物程度的方法。将一定量的多晶硅片1收容在筐2中，然后将筐2浸渍在放入腐蚀液3的腐蚀槽4内。此后，从腐蚀槽4提出，将腐蚀液3取样后，使取样过的液体放置一定时间，...
堀宪治佐佐木刚
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防止单晶拉制设备中加热器电极熔化下坠的设备
本发明的目的是防止用来向坩埚103用的加热器104提供电流的导电金属电极5，5熔化下坠。开关11控制电源的通断。安培表10a连续地测量流过加热器104的电流。在中间电极6下部出现裂缝8的情况下，在电极5，5烷化下坠之前，...
齐藤正夫若林大介热海贵降屋久
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单晶拉制装置
单晶拉制装置包括设置在气密的容器2内用来存储半导体熔料21的外坩埚11以及包括圆柱形隔体的安装在外坩埚11上以构成双坩埚的内坩埚30，其中，从存储在内坩埚30内的半导体熔料21中拉制半导体单晶26。内坩埚30由石英构成并...
田口裕章热海贵降屋久福井正德喜田道夫
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