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恩伊凯慕凯特股份有限公司

作品数：16 被引量：0H指数：0
相关机构：日本酸素株式会社更多>>

合作机构

文献类型

  • 16篇中文专利

主题

  • 5篇电镀
  • 5篇电镀液
  • 5篇电解
  • 5篇镀液
  • 5篇亚硫酸
  • 5篇金
  • 4篇多孔
  • 4篇多孔性
  • 4篇亚硫酸盐
  • 4篇氧化活性
  • 4篇提纯
  • 4篇提纯装置
  • 4篇气体
  • 4篇气体处理
  • 4篇处理剂
  • 3篇凸点
  • 2篇电流
  • 2篇电流密度
  • 2篇电气接点
  • 2篇镀金液

机构

  • 16篇恩伊凯慕凯特...
  • 4篇日本酸素株式...

年份

  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 3篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2004
  • 1篇2000
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
凸点形成用非氰系电解镀金浴
本发明提供抑制掩模材料开口部电镀时的扩大，能够形成与设计尺寸无显著差别的尺寸的凸点或配线的非氰系电解镀金浴。含有作为金源的亚硫酸金碱金属盐或亚硫酸金铵、作为稳定剂的水溶性胺、结晶调节剂、作为传导盐的亚硫酸盐和硫酸盐、缓冲...
中村宏
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电解硬质金镀敷液及使用该镀敷液的镀敷方法
本发明涉及电解硬质金镀敷液及使用该镀敷液的镀敷方法，本发明提供一种用于在连接器材料上设置Ni阻挡层的部分镀敷处理时，可以抑制在Ni阻挡部形成镀金膜的镀金液。电解硬质金镀敷液含有氰化金及/或其盐、钴盐、有机酸导电盐、含硝基...
古川诚人孙仁俊
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金凹凸或者金布线形成用的非氰系电解金电镀浴液
本发明涉及由作为半导体芯片的电极的金凹凸或者金布线形成用的非氰系电解金电镀浴液。该电镀浴液可以消除因为钝化膜的断坡产生的表面凹凸，形成在向半导体芯片的基板上实装时可以达到足够的接合强度的金电镀被膜。本发明的金凹凸或者金布...
中村宏
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气体处理剂及其制造方法与气体提纯法、气体提纯器、及气体提纯装置
本发明的目的在提供一种气体处理剂及其制造方法和气体提纯法，可同时去除含于气体中的一氧化碳、氢、二氧化碳和水分的气体处理剂，其可维持高度氧化活性并具有较长寿命。而且提供一种气体处理剂及其制造方法，该气体处理剂由以无机多孔性...
樱井敏彦中矢裕介川井雅人中村守光冈村信宏
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金凹凸或者金布线形成用的非氰系电解金电镀浴液
本发明涉及由作为半导体芯片的电极的金凹凸或者金布线形成用的非氰系电解金电镀浴液。该电镀浴液可以消除因为钝化膜的断坡产生的表面凹凸，形成在向半导体芯片的基板上实装时可以达到足够的接合强度的金电镀被膜。本发明的金凹凸或者金布...
中村宏
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用于部分电镀的含有金的电镀液
本发明提供了一种适用于电子设备的连接器等的部分电镀的，可以在限定的狭小范围内进行高精度电镀的用于部分电镀的含有金的电镀液。其是含有氰化金盐以金含量计为1.0～15g/l、脂肪族α－氨基酸10～100g/l和传导盐10～1...
滨村宪一古贺文雄
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金－银合金电镀液
本发明公开了一种金－银合金电镀液，其中含有以金含量计1.0～30g/L的氰化金钾和以银含量计1.0～200ppm的氰化银钾。该电镀液最好添30～100g/L的焦磷酸钾、20～50g/L的硼酸、0.05～150g/L的乙二...
武田健三
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用于形成突起的非氰类电解金电镀液
本发明公开了用于形成突起的非氰类电解金电镀液，其中含有作为金源的亚硫酸金碱盐或亚硫酸金铵、结晶调整剂、亚硫酸钾组成的传导盐5～150g/L、分子量200～6000的聚亚烷基二醇1mg/L～6g/L和/或两性表面活性剂0....
中村裕树井上晃一郎
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气体处理剂及其制造方法与气体提纯法、气体提纯器、及气体提纯装置
本发明的目的在于提供一种气体处理剂及其制造方法和气体提纯法，这种气体处理剂可同时去除含于气体中的一氧化碳、氢、二氧化碳和水分的气体处理剂，其可维持高度氧化活性并具有较长寿命。而且提供一种气体处理剂及其制造方法，该气体处理...
樱井敏彦中矢裕介川井雅人中村守光冈村信宏
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气体处理剂及其制造方法与气体提纯法、气体提纯器、及气体提纯装置
本发明的目的在提供一种气体处理剂及其制造方法和气体提纯法，可同时去除含于气体中的一氧化碳、氢、二氧化碳和水分的气体处理剂，其可维持高度氧化活性并具有较长寿命。而且提供一种气体处理剂及其制造方法，该气体处理剂由以无机多孔性...
樱井敏彦中矢裕介川井雅人中村守光冈村信宏
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