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南京电子器件研究所

作品数:2,404 被引量:3,141H指数:16
相关作者:薛舫时贾正根陈辰林金庭李忠辉更多>>
相关机构:东南大学南京大学电子科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金江苏省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1,996篇期刊文章
  • 347篇会议论文
  • 32篇科技成果
  • 10篇学位论文
  • 3篇专利
  • 2篇标准

领域

  • 2,103篇电子电信
  • 74篇电气工程
  • 69篇理学
  • 44篇一般工业技术
  • 43篇自动化与计算...
  • 28篇机械工程
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  • 5篇交通运输工程
  • 4篇冶金工程
  • 3篇动力工程及工...
  • 3篇建筑科学
  • 3篇环境科学与工...
  • 3篇文化科学
  • 2篇轻工技术与工...
  • 2篇医药卫生
  • 2篇社会学

主题

  • 276篇电路
  • 266篇放大器
  • 240篇晶体管
  • 198篇单片
  • 198篇砷化镓
  • 197篇集成电路
  • 164篇GAAS
  • 158篇功率放大
  • 150篇功率放大器
  • 142篇半导体
  • 139篇GAN
  • 115篇单片集成
  • 111篇二极管
  • 109篇迁移率
  • 109篇显示器
  • 98篇电子迁移率
  • 95篇单片集成电路
  • 94篇高电子迁移率
  • 93篇宽带
  • 93篇MMIC

机构

  • 2,390篇南京电子器件...
  • 119篇东南大学
  • 55篇南京大学
  • 41篇电子科技大学
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  • 30篇南京国博电子...
  • 15篇南京航空航天...
  • 13篇北京大学
  • 13篇南京理工大学
  • 11篇南京邮电大学
  • 11篇中国电子科技...
  • 9篇北京理工大学
  • 9篇西安交通大学
  • 9篇微波毫米波单...
  • 8篇南京国博电子...
  • 7篇西安电子科技...
  • 6篇杭州电子科技...
  • 6篇清华大学
  • 6篇中国科学院大...
  • 5篇中国空间技术...

作者

  • 210篇陈堂胜
  • 118篇李拂晓
  • 107篇贾正根
  • 98篇陈效建
  • 97篇薛舫时
  • 90篇李忠辉
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  • 86篇蒋幼泉
  • 85篇陈辰
  • 83篇朱健
  • 80篇柏松
  • 70篇陈新宇
  • 67篇陈刚
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  • 51篇张有涛

传媒

  • 931篇固体电子学研...
  • 223篇光电子技术
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  • 62篇Journa...
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  • 40篇半导体技术
  • 26篇微波学报
  • 22篇电子学报
  • 21篇电子工程师
  • 20篇电子元件与材...
  • 20篇微纳电子技术
  • 17篇半导体情报
  • 17篇红外与毫米波...
  • 17篇电子器件
  • 15篇2001全国...
  • 14篇光电技术
  • 13篇电子工艺技术
  • 13篇微电子学
  • 13篇电子元器件应...
  • 13篇第13届全国...

年份

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  • 73篇2018
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  • 60篇2016
  • 69篇2015
  • 83篇2014
  • 58篇2013
  • 62篇2012
  • 55篇2011
  • 52篇2010
  • 42篇2009
  • 77篇2008
  • 51篇2007
  • 82篇2006
  • 60篇2005
2,404 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
在(311)A GaAs衬底上生长的Si掺杂GaAs/AlGaAs P沟道HFET结构材料特性研究
利用MBE技术在(311)A GaAs衬底上生长了Si掺杂GaAs/AlGaAs P沟道HFET结构材料。通过控制V/III束流和其它生长参数优化了材料的生长条件。仅仅通过Si掺杂获得P型GaAs和AlGaAs材料研制生...
孙娟谢自力邱凯尹志军
关键词:GAAS衬底P沟道MBE技术
文献传递
光刻工艺参数的优化方法被引量:12
2001年
通过引入有效时差的概念 ,提出了一种可模拟光刻工艺参数间的相互关系及优化光刻参数的方法。与Dill及Mack等的方法相比 ,该方法可直接建立光刻工艺参数之间的关系 ,并可对光刻工艺进行优化设计。
刘忠安
关键词:光刻工艺优化设计半导体
GaN HFET的大信号射频工作模型(续)
2014年
3短栅长HFET在高漏压下的能带畸变在一般的异质结能带计算中,都只考虑异质结材料生长方向的势垒变化。现在表面电势在x方向产生很大的电场梯度,该表面电场会扩展到整个异质结内,形成复杂的二维电场分布。于是在自洽求解泊松方程和薛定谔方程时就必须求解二维泊松方程。
薛舫时
关键词:HFETGAN大信号异质结材料射频
染色法制作液晶显示用彩色滤色器的研究被引量:2
1995年
微型彩色滤色器已成为实现LCD彩色显示的主要手段。染色法因其色度性能好,工艺相对简单,成本低廉,而最先获得商业应用。本文介绍和分析用染色法制作滤色器的工艺过程及我们获得的结果。整个工艺的关键是一定分子量、窄分子量分布的多肽物质的制备。滤色器的色度性能则主要由染料品种和染色介质层厚度决定。检测结果表明我们制得的滤色器有良好的分辨率、色度性能、表面平整度及热、光、化学稳定性。综合性能满足使用要求。
陈嵘
关键词:滤色器染色液晶显示
热释电红外摄像管
1992年
本文所描述的热释电红外摄像管,是在原SF-2103型热释电红外摄像管基础上,经过几点关键性的改动后的新型热释电红外摄像管。
王清弟
关键词:热成像热释电红外摄像管
副瓣对消系统性能改进方法被引量:6
2003年
雷达抗干扰的性能是衡量雷达系统参数的主要战术、技术指标之一 ,而副瓣对消性能则是雷达抗干扰性能的一个主要方面 ,在多干扰源环境下 ,经典构成的副瓣对消 (SidelobeCancelling SLC)系统在宽大空间区域上由于其固有的“空间模糊”效应较难达到优良的干扰对消性能运用理论分析和向量空间投影方法找出影响其性能的实质因素 ,并据此提出几种工程实现方法。
刘炳奇曹友森
关键词:雷达副瓣对消抗干扰
MEMS技术在微小卫星中的应用
微机电系统(MEMS)和微细加工技术的发展为器件和系统的微型化和集成化提供了技术基础.微小卫星的成本低、研制周期短、发射灵活性和性能高等特点使得微小卫星成为航天领域的一个重要研究和应用领域,而微小卫星技术的发展离不开ME...
朱健
关键词:微机电系统微小卫星微型化可靠性
1700V碳化硅MOSFET设计被引量:4
2014年
设计了一种击穿电压大于1 700V的SiC MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度及厚度、有源区结构以及终端保护效率进行了优化。器件采用14μm厚、掺杂浓度为5×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于1A,击穿电压高于1 800V。
黄润华陶永洪柏松陈刚汪玲刘奥卫能李赟赵志飞
关键词:金属氧化物半导体场效应晶体管界面态
带有输入、输出滤波器的前置放大器被引量:1
1993年
叙述了一种带有输入、输出滤波器的前置放大器的设计。在该滤波放大组件的设计中,主要解决了低插损、高隔离、小型化同轴滤波器和高增益、低噪声、温度性能稳定的放大器的优化设计,理论计算与实验结果相符合。主要研制结果:f_0=1 575.42MHz,G>39dB,NF<1.6dB,△f_(3dB)<30MHz,f_(30dB)<100MHz,f_(50dB)<200MHz。
岳陵张崴晓
关键词:同轴滤波器前置放大器滤波器GPS
电致发光显示器电路系统的研制被引量:1
1995年
本文着重介绍交流薄膜电致发光显示器电路系统的原理,以及一些技术难点的解决方法。
廖建勇
关键词:电致发光电路
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