喀什师范学院物理系
- 作品数：174 被引量：311H指数：8
- 相关作者：周向玲张伟杨淑敏郭亮杨亚让更多>>
- 相关机构：新疆大学物理科学与技术学院电子科技大学物理电子学院新疆大学信息科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金新疆维吾尔自治区高校科研计划上海市高等学校科学技术发展基金更多>>
- 相关领域：理学文化科学自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 原子物理中三种散射的对比研究
- 2011年
- 入射粒子与原子、分子的散射实验为原子物理的发展提供了重要的实验依据.本文对α粒子散射、康普顿散射、拉曼散射这三种散射实验中观察到的现象进行了全面对比,加深了对这三种散射的认识和理解.
- 王建伟李强
- 关键词：Α粒子散射康普顿散射拉曼散射
- 原料粒度及成型压力对微晶玻璃性能的影响被引量：1
- 2009年
- 目的探讨粒度及成型压力对微晶玻璃性能的影响.方法相同压力(50 Mpa)下,分别测试由3种不同粒度的粉体(球磨时间为24 h、48 h和72 h)制作的微晶玻璃样品的密度及硬度,比较变化趋势;相同原料粒度下(球磨时间48 h),分别测试在不同压力下(35 Mpa、50 Mpa、75 Mpa和100 Mpa)样品的坯体密度及烧结体密度,比较变化趋势.结果相同压力下,样品密度及硬度随粒度减小而增大,但趋势变缓;相同粒度下,随压力增大,样品密度先增大,当超过50 Mpa后,样品密度又减小.结论原料粒度与成型压力对微晶玻璃的性能有显著影响.粒度过细,成型压力过大也会导致微晶玻璃性能不稳.
- 张伟杨淑敏李祯卢红霞
- 关键词：高炉渣微晶玻璃粒度
- 基本物理常数的潜科学分析被引量：4
- 2002年
- 从基本物理常数的自身发展、发生认识论和教学出发 ,探讨了把潜科学的理论和方法应用于基本物理常数教育之中的内容、方法与作用 .
- 郭玲
- 关键词：基本物理常数发生认识论潜科学分析物理科学教学方法
- 两种力学体系解题思想比较被引量：1
- 2004年
- 通过比较两种力学体系既牛顿力学和分析力学在解决力学问题的解题思想不同,总结、比较分析其在解题时的优劣之处。
- 周向玲
- 关键词：分析力学解题思想
- 中学多媒体物理课件的教学功能初探被引量：3
- 2002年
- 本文在概述多媒体的教学特点和作用的基础上结合中学物理教学实际,论述了中学多媒体物理课件的主要教学功能,即演示功能、模拟功能、分析功能、探索功能和创新功能。
- 杨江平
- 关键词：多媒体
- 颗粒粒度及钾长石含量对矿渣微晶玻璃析晶能力的影响被引量：1
- 2014年
- 利用k值法计算了不同颗粒粒度下不同钾长石添加量高炉渣微晶玻璃的晶化能和析晶动力学参数,采用DSC、XRD及SEM等测试手段研究了粉体粒度和钾长石含量对微晶玻璃析晶能力的影响。结果表明,颗粒粒度对微晶玻璃析晶能力影响显著,微晶玻璃析晶能力随颗粒粒度减小而增大;钾长石对微晶玻璃析晶能力有一定促进作用,但随着粉体粒度的减小而逐渐减弱,钾长石含量过高时,不利于微晶玻璃析晶,钾长石添加量应以5 wt%左右为宜。在5℃/min升温速度下,球磨60 h,添加5 wt%钾长石的样品具有较好的微观形貌,其主晶相为镁黄长石,晶体成颗粒状,晶粒均匀且结合紧密。
- 杨淑敏张伟
- 关键词：微晶玻璃高炉渣粒度钾长石析晶动力学
- 电容式多孔硅湿敏元件初探
- 阐述了电容式多孔硅湿敏元件的制备方法,并且研究了它的湿敏特性.实验结果表明:电容式多孔硅湿敏元件的电容值随着湿度的增大而显著增大,在中湿区(43.16％RH～68.86％RH)容湿特性为线性,而且有较小的湿滞。
- 涂楚辙杨勇兵贾振红黄晓辉李新刚向梅
- 关键词：湿敏特性传感器
- 文献传递
- 基于非奇异终端滑模的制动缸自抗扰控制研究被引量：4
- 2018年
- 为研究机车制动缸制动工况下其闸瓦受轮对椭圆形踏面挤压时的位置控制精度,考虑活塞与制动缸内壁非严格配合引起的压力漏损及轮瓦接触面作用力的时变非线性,建立了制动缸气动伺服系统的数学模型;基于非奇异终端滑模收敛快速、鲁棒性强的优点,提出了具有终端滑模面的自抗扰鲁棒控制器;采用引入加速度因子的细菌觅食算法对控制器参数进行寻优;引入模糊补偿因子对控制器中不可导点跳变和未建模动态进行抑制和补偿。仿真结果表明,非奇异终端滑模自抗扰控制器可实现在轮瓦接触面存在较大负载扰动及参数摄动工况下对位置输入指令的近似无偏跟踪,能够抑制控制量过零跳变,对参数慢时变漂移具有较强鲁棒性。
- 刘芳璇谢程程彭慧王桂荣
- 关键词：非奇异终端滑模
- 振幅相干态光场与二能级原子的相互作用及场熵的演化被引量：3
- 2003年
- 运用J-C模型研究了二能级原子与振幅相干态光场的相互作用,光场-原子系统内部状态间的跃迁几率和光场场熵的演化.
- 王建伟
- 关键词：二能级原子J-C模型纠缠态跃迁几率场熵
- Ar^+注入多孔硅与Ar^+注入硅多孔结构的光致发光研究
- 2008年
- 研究了中等能量(30 kev)Ar+注入多孔硅和中等能量(30 kev)Ar+先注入单晶硅后再进行电化学腐蚀成的多孔结构的光致发光特性。研究结果表明:中等能量(30 kev)Ar+注入多孔硅后,多孔硅原有的发光峰消失,主要是Ar+对多孔硅表面氧的剥离作用,使得与氧相关发光的结构消失,多孔硅不再发光;中等能量(30 kev)Ar+先注入单晶硅后再电化学腐蚀成的多孔结构中,通常多孔硅原有的580 nm附近发光峰强度随注入Ar+剂量的增加而增强,并有红移;同时在谱峰处于470 nm附近的微弱发光峰不因注入Ar+而明显变化。
- 吕小毅杨勇兵贾振红薛涛
- 关键词：离子注入多孔硅光致发光
