河南省杰出人才创新基金(0421001500)
- 作品数:8 被引量:19H指数:2
- 相关作者:侯洵张景文张伟风杨晓东徐庆安更多>>
- 相关机构:西安交通大学河南大学中国科学院更多>>
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- 相关领域:电子电信理学更多>>
- 生长温度对L-MBE制备的ZnO薄膜性能的影响被引量:2
- 2006年
- 在蓝宝石C面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分别在250、300、350、400和450℃下生长了高度C轴取向的ZnO薄膜,并对样品进行了X射线衍射、光致发光谱及反射式高能电子衍射的分析。测试结果表明,较低温度时,随着生长温度的升高,薄膜的结晶及发光性能得到提高;但是当温度进一步升高,却有所变差。这说明利用L-MBE系统制备ZnO薄膜存在一合适的温度范围,并对此机理进行了深入分析。
- 徐庆安张景文杨晓东巨楷如贺永宁侯洵
- 关键词:激光分子束外延X射线衍射光致发光谱
- LMBE法生长Mg_(0.2)Zn_(0.8)O及MSM型紫外探测器的制备
- 2007年
- 采用激光分子束外延(LMBE)方法在蓝宝石(0001)面生长了高质量的Mg0.2Zn0.8O薄膜,并对薄膜在空气中900℃进行了1h的退火处理,然后采用剥离方法在薄膜表面制作了Al叉指电极,制备出MSM型Mg0.2Zn0.8O光电导紫外探测器.对响应时间的测试表明,探测器的上升时间仅为14.3ns,下降时间为6.5μs.
- 毕臻张景文边旭明王东张新安侯洵
- 关键词:紫外探测器
- SiO2/Si衬底上制备增强型ZnO薄膜晶体管
- 2007年
- 在NH3和O2的混合气氛下,采用激光分子束外延法(L-MBE)在SiO2/p-Si衬底上制备了氮掺杂ZnO薄膜.XRD分析表明ZnO薄膜掺入微量的氮后仍有很高的结晶质量和高度的c轴择优取向性,(0002)面摇摆曲线的半峰宽仅为1.89.在此基础上制备了以氮掺杂ZnO薄膜为沟道层、以SiO2为绝缘层的底栅式薄膜晶体管.电学测试表明该晶体管工作在n沟道增强模式,阈值电压为5.15V,电流开关比为104,电子的场迁移率达到2.66cm2/(V·s).
- 张新安张景文王东毕臻边旭明张伟风侯洵
- 关键词:ZNO薄膜激光分子束外延薄膜晶体管迁移率
- ZnO∶V薄膜后退火处理前后的微结构与发光特性被引量:9
- 2007年
- 利用溶胶-凝胶(Sol-gel)法在单晶硅(100)衬底上分别制备了ZnO∶V薄膜和纯ZnO薄膜。为进一步研究后退火对ZnO∶V薄膜结构和发光性质的影响,在两段式快速退火后又在800℃下进行了后退火处理。X射线衍射的结果表明:后退火处理前,钒(V)的掺入使ZnO结晶质量变差,而800℃退火处理后,从ZnO的衍射峰中可以看出,相对于无V杂样品其结晶质量变好。扫描电子显微镜形貌图中可以看出制备的样品薄膜颗粒大小均匀,薄膜致密度较高。光致发光(PL)谱的研究表明:ZnO∶V薄膜在800℃退火处理后,紫外和绿带发光峰均增强,但紫外发光峰增强得更多;与同样条件下制备的纯ZnO薄膜的PL谱比较,发现V掺杂后样品的紫外激子复合发光峰的强度明显增强且峰位发生蓝移,而缺陷引起的绿带发光峰的强度降低。
- 张丽亭魏凌张杨张伟风
- 关键词:ZNO光致发光溶胶-凝胶法
- 生长温度对L-MBE法制备的ZnO薄膜性能的影响被引量:3
- 2006年
- 在蓝宝石C面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分别在250℃、300℃、350℃、400℃和450℃生长了高度C轴取向的ZnO薄膜。并进行了X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱的分析。测试结果表明,较低温度时,随着生长温度的升高,薄膜的结晶及发光性能得到提高;但是当温度进一步升高,却有所变差。说明利用L-MBE系统制备ZnO薄膜存在一合适的温度范围,并对此机理进行了深入分析。
- 徐庆安张景文杨晓东巨楷如贺永宁侯洵
- 关键词:ZNO薄膜生长温度激光分子束外延X射线衍射光致发光谱
- 厚度对溶胶-凝胶法生长的ZnO薄膜光学性质的影响被引量:1
- 2007年
- 利用sol-gel旋涂法在普通盖玻片上生长了ZnO薄膜,用光学透射谱、光致发光谱和原子力显微术研究了ZnO薄膜的光学性质和表面形貌.结果发现,在一定薄膜厚度范围内,紫外发光带和光学吸收边均随着薄膜厚度的减小而单调蓝移,且紫外发光强度递增,峰宽变大.综合光致发光谱、光学透射谱和薄膜表面形貌,对薄膜中晶粒尺寸、应力、缺陷等对光学性质的影响进行了讨论.
- 吴颖超张松海娄辉张伟风
- 关键词:ZNO薄膜厚度光学性质应力
- L-MBE法制备以ZnO为沟道层的薄膜晶体管被引量:2
- 2006年
- 采用激光分子束外延法(L- MBE)在SiNx/Si(111)衬底上制备了高质量的ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了表征,结果表明ZnO薄膜有高度的c轴择优取向,薄膜表面平整致密.并以ZnO薄膜为沟道层制作了薄膜晶体管(ZnO -TFT),该晶体管工作在n沟道增强模式,阈值电压为17.5V,电子的场迁移率达到1.05cm2/(V·s).
- 张新安张景文杨晓东娄辉刘振玲张伟风侯洵
- 关键词:激光分子束外延ZNO薄膜薄膜晶体管
- 溶胶凝胶法制备Er^(3+)-Yb^(3+)共掺纳米SiO_2粉被引量:2
- 2005年
- 利用溶胶-凝胶法合成了Er2O3-Yb2O3-SiO2纳米二氧化硅(SiO2)粉。Er3+和Yb3+直接加入有机酸催化的TEOS反应溶液中,凝胶后经过700~900℃,得到Er3+-Yb3+共掺纳米SiO2粉。样品经过红外光谱、XRD、TEM等分析,结果表明,纳米粉的粒径受有机酸比例和处理温度的影响。在室温PL谱上,样品可观察到较强的1530nm荧光,同时镱的引入对掺铒SiO2纳米粉在1.54μm的荧光发射有增强作用。
- 徐庆安禹忠韦玮侯洵
- 关键词:光致发光谱纳米SIO2溶胶凝胶法共掺荧光发射