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河南省杰出人才创新基金(0421001500)

作品数:8 被引量:19H指数:2
相关作者:侯洵张景文张伟风杨晓东徐庆安更多>>
相关机构:西安交通大学河南大学中国科学院更多>>
发文基金:河南省杰出人才创新基金国家教育部博士点基金河南省高校创新人才培养工程项目更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 4篇理学

主题

  • 5篇ZNO薄膜
  • 4篇激光分子束外...
  • 4篇光致
  • 4篇光致发光
  • 4篇发光
  • 4篇分子束
  • 4篇分子束外延
  • 3篇溶胶
  • 3篇光谱
  • 3篇光致发光谱
  • 3篇ZNO
  • 3篇L-MBE
  • 2篇溶胶-凝胶法
  • 2篇射线衍射
  • 2篇生长温度
  • 2篇晶体管
  • 2篇薄膜晶体
  • 2篇薄膜晶体管
  • 2篇X射线衍射
  • 1篇应力

机构

  • 6篇西安交通大学
  • 4篇河南大学
  • 3篇中国科学院
  • 1篇安阳钢铁集团...

作者

  • 6篇侯洵
  • 5篇张景文
  • 4篇张伟风
  • 3篇张新安
  • 3篇徐庆安
  • 3篇杨晓东
  • 2篇贺永宁
  • 2篇娄辉
  • 2篇毕臻
  • 2篇王东
  • 2篇边旭明
  • 2篇巨楷如
  • 1篇张杨
  • 1篇刘振玲
  • 1篇韦玮
  • 1篇魏凌
  • 1篇张丽亭
  • 1篇张松海
  • 1篇禹忠
  • 1篇吴颖超

传媒

  • 3篇Journa...
  • 1篇化工新型材料
  • 1篇河南大学学报...
  • 1篇发光学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇半导体光电

年份

  • 4篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2005
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
生长温度对L-MBE制备的ZnO薄膜性能的影响被引量:2
2006年
在蓝宝石C面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分别在250、300、350、400和450℃下生长了高度C轴取向的ZnO薄膜,并对样品进行了X射线衍射、光致发光谱及反射式高能电子衍射的分析。测试结果表明,较低温度时,随着生长温度的升高,薄膜的结晶及发光性能得到提高;但是当温度进一步升高,却有所变差。这说明利用L-MBE系统制备ZnO薄膜存在一合适的温度范围,并对此机理进行了深入分析。
徐庆安张景文杨晓东巨楷如贺永宁侯洵
关键词:激光分子束外延X射线衍射光致发光谱
LMBE法生长Mg_(0.2)Zn_(0.8)O及MSM型紫外探测器的制备
2007年
采用激光分子束外延(LMBE)方法在蓝宝石(0001)面生长了高质量的Mg0.2Zn0.8O薄膜,并对薄膜在空气中900℃进行了1h的退火处理,然后采用剥离方法在薄膜表面制作了Al叉指电极,制备出MSM型Mg0.2Zn0.8O光电导紫外探测器.对响应时间的测试表明,探测器的上升时间仅为14.3ns,下降时间为6.5μs.
毕臻张景文边旭明王东张新安侯洵
关键词:紫外探测器
SiO2/Si衬底上制备增强型ZnO薄膜晶体管
2007年
在NH3和O2的混合气氛下,采用激光分子束外延法(L-MBE)在SiO2/p-Si衬底上制备了氮掺杂ZnO薄膜.XRD分析表明ZnO薄膜掺入微量的氮后仍有很高的结晶质量和高度的c轴择优取向性,(0002)面摇摆曲线的半峰宽仅为1.89.在此基础上制备了以氮掺杂ZnO薄膜为沟道层、以SiO2为绝缘层的底栅式薄膜晶体管.电学测试表明该晶体管工作在n沟道增强模式,阈值电压为5.15V,电流开关比为104,电子的场迁移率达到2.66cm2/(V·s).
张新安张景文王东毕臻边旭明张伟风侯洵
关键词:ZNO薄膜激光分子束外延薄膜晶体管迁移率
ZnO∶V薄膜后退火处理前后的微结构与发光特性被引量:9
2007年
利用溶胶-凝胶(Sol-gel)法在单晶硅(100)衬底上分别制备了ZnO∶V薄膜和纯ZnO薄膜。为进一步研究后退火对ZnO∶V薄膜结构和发光性质的影响,在两段式快速退火后又在800℃下进行了后退火处理。X射线衍射的结果表明:后退火处理前,钒(V)的掺入使ZnO结晶质量变差,而800℃退火处理后,从ZnO的衍射峰中可以看出,相对于无V杂样品其结晶质量变好。扫描电子显微镜形貌图中可以看出制备的样品薄膜颗粒大小均匀,薄膜致密度较高。光致发光(PL)谱的研究表明:ZnO∶V薄膜在800℃退火处理后,紫外和绿带发光峰均增强,但紫外发光峰增强得更多;与同样条件下制备的纯ZnO薄膜的PL谱比较,发现V掺杂后样品的紫外激子复合发光峰的强度明显增强且峰位发生蓝移,而缺陷引起的绿带发光峰的强度降低。
张丽亭魏凌张杨张伟风
关键词:ZNO光致发光溶胶-凝胶法
生长温度对L-MBE法制备的ZnO薄膜性能的影响被引量:3
2006年
在蓝宝石C面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分别在250℃、300℃、350℃、400℃和450℃生长了高度C轴取向的ZnO薄膜。并进行了X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱的分析。测试结果表明,较低温度时,随着生长温度的升高,薄膜的结晶及发光性能得到提高;但是当温度进一步升高,却有所变差。说明利用L-MBE系统制备ZnO薄膜存在一合适的温度范围,并对此机理进行了深入分析。
徐庆安张景文杨晓东巨楷如贺永宁侯洵
关键词:ZNO薄膜生长温度激光分子束外延X射线衍射光致发光谱
厚度对溶胶-凝胶法生长的ZnO薄膜光学性质的影响被引量:1
2007年
利用sol-gel旋涂法在普通盖玻片上生长了ZnO薄膜,用光学透射谱、光致发光谱和原子力显微术研究了ZnO薄膜的光学性质和表面形貌.结果发现,在一定薄膜厚度范围内,紫外发光带和光学吸收边均随着薄膜厚度的减小而单调蓝移,且紫外发光强度递增,峰宽变大.综合光致发光谱、光学透射谱和薄膜表面形貌,对薄膜中晶粒尺寸、应力、缺陷等对光学性质的影响进行了讨论.
吴颖超张松海娄辉张伟风
关键词:ZNO薄膜厚度光学性质应力
L-MBE法制备以ZnO为沟道层的薄膜晶体管被引量:2
2006年
采用激光分子束外延法(L- MBE)在SiNx/Si(111)衬底上制备了高质量的ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了表征,结果表明ZnO薄膜有高度的c轴择优取向,薄膜表面平整致密.并以ZnO薄膜为沟道层制作了薄膜晶体管(ZnO -TFT),该晶体管工作在n沟道增强模式,阈值电压为17.5V,电子的场迁移率达到1.05cm2/(V·s).
张新安张景文杨晓东娄辉刘振玲张伟风侯洵
关键词:激光分子束外延ZNO薄膜薄膜晶体管
溶胶凝胶法制备Er^(3+)-Yb^(3+)共掺纳米SiO_2粉被引量:2
2005年
利用溶胶-凝胶法合成了Er2O3-Yb2O3-SiO2纳米二氧化硅(SiO2)粉。Er3+和Yb3+直接加入有机酸催化的TEOS反应溶液中,凝胶后经过700~900℃,得到Er3+-Yb3+共掺纳米SiO2粉。样品经过红外光谱、XRD、TEM等分析,结果表明,纳米粉的粒径受有机酸比例和处理温度的影响。在室温PL谱上,样品可观察到较强的1530nm荧光,同时镱的引入对掺铒SiO2纳米粉在1.54μm的荧光发射有增强作用。
徐庆安禹忠韦玮侯洵
关键词:光致发光谱纳米SIO2溶胶凝胶法共掺荧光发射
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