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国家自然科学基金(69910161992)

作品数:4 被引量:6H指数:2
相关作者:黄如王阳元张兴张国艳廖怀林更多>>
相关机构:北京大学香港科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 4篇SOI
  • 2篇MOSFET
  • 1篇电路
  • 1篇噪声
  • 1篇数模
  • 1篇数模混合
  • 1篇数模混合集成...
  • 1篇特性分析
  • 1篇热噪声
  • 1篇晶体管
  • 1篇混合集成电路
  • 1篇集成电路
  • 1篇P-MOSF...
  • 1篇SHORT
  • 1篇SOI_MO...
  • 1篇SOI器件
  • 1篇SUPPRE...
  • 1篇DRAIN
  • 1篇GESI
  • 1篇场效应

机构

  • 4篇北京大学
  • 2篇香港科技大学

作者

  • 4篇王阳元
  • 4篇黄如
  • 3篇张国艳
  • 3篇张兴
  • 2篇廖怀林
  • 1篇卜伟海

传媒

  • 2篇Journa...
  • 2篇电子学报

年份

  • 3篇2002
  • 1篇2001
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
一个解析的适用于短沟SOI MOSFET’s的高频噪声模型被引量:3
2002年
提出了一个新的解析的适用于SOIMOSFET’s的高频噪声模型 .该模型通过耦合能量平衡方程克服了以往噪声模型所具有的缺点 ,并对短沟SOI器件的噪声给出精确地描述 .同时 ,利用该模型可以容易地计算出相对于最小噪声值处的优化的栅源电压 ,为低噪声的电路设计提供优化的设计方向 .由于该噪声模型的简单性 ,可以很方便地将模型植入电路模拟器如SPICE中完成电路设计 .
张国艳廖怀林黄如Mansun chan张兴王阳元
关键词:SOI热噪声
SOI数模混合集成电路的串扰特性分析被引量:1
2002年
采用二维 TMA Medici模拟软件对 SOI结构的串扰特性进行了分析 .模拟发现随着频率的增加 ,SOI的埋氧化物对串扰噪声几乎不起隔离作用 ,同时 ,连接 SOI结构的背衬底可以在很大程度上减小串扰的影响 .还对减少串扰的沟槽隔离工艺、保护环及差分结构的有效性进行了比较分析 ,对一些外部寄生参数对串扰的影响也进行了研究 .并给出了 SOI结构厚膜和薄膜结构体掺杂浓度对噪声耦合的影响 ,所得到的结果对设计低噪声耦合的
张国艳黄如张兴王阳元
关键词:SOI数模混合集成电路
GeSi Source/Drain Structure for Suppression of Short Channel Effect in SOI p-MOSFET's
2001年
GeSi source/drain structure is purposefully adopted in SOI p MOSFET's to suppress the short channel effect (SCE).The impact of GeSi material (as source only,drain only or both source and drain) on the threshold voltage rolling off and DIBL effect is thoroughly investigated,as well as the influence of the Ge concentration and silicon film thickness.The Ge concentration should be carefully chosen as a tradeoff between the driving current and SCE improvement.The detailed physics is explained.
黄如卜伟海王阳元
关键词:SOI
适用于数模混合集成的SOI MOSFET的失真分析被引量:2
2002年
本文较为详细地分析了SOIMOSFET的失真行为 .利用幂级数方法对不同结构包括部分耗尽PD、全耗尽FD和体接触BC的SOI器件的谐波失真进行了对比性的实验研究 .同时 ,在实验分析的基础上提出了描述失真行为的连续的SOIMOSFET失真模型 .该模型通过引入平滑函数和主要的影响失真的物理机制 ,使得模拟计算结果能够与实验结果较好的吻合 .本文所得到的结果可用于低失真的数模混合电路的设计 ,并对低失真电路的优化提供指导方向 .
张国艳廖怀林黄如Mansun CHAN张兴王阳元
关键词:场效应晶体管SOIMOSFET
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