国家教育部博士点基金(20010487021)
- 作品数：6 被引量：11H指数：2
- 相关作者：李佐宜游龙林更琪李震杨晓非更多>>
- 相关机构：华中科技大学华中师范大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金湖北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程化学工程自动化与计算机技术更多>>
- CoCrPt/Cr Ti玻璃盘基硬盘记录介质的制备与性能被引量：2
- 2005年
- 采用射频磁控溅射方法制备了CoCrPt/CrTi玻璃盘基高密度硬盘薄膜记录介质 ,讨论并分析了溅射气体的气压、基片温度、底层和磁性层组分对高密度硬盘记录介质性能的影响 ,给出了介质的底层、磁记录层的最佳组分和溅射中最佳工艺参数范围 .其最佳组分、结构与工艺参数为 :Co68Cr17Pt15/Cr85Ti15双层膜结构 ,氩气压为 0 .5 6～ 0 .6 0Pa ,在 5 5 0℃纯N2 保护下保温 1h后在炉内自然冷却至室温 .实验结果表明采用优化工艺条件 ,并经过退火处理后可以得到适于巨磁电阻磁头读写的高密度硬盘记录介质 .
- 胡用时游龙万仞李佐宜
- 关键词：射频磁控溅射
- 高密度硬盘介质基本磁特性参数高精度测量
- 2003年
- 分析了影响VSM精确测量高密度硬盘介质磁基本特性参数的几个因素———仪器定标、检测线圈安装位置、锁相放大的时间常数、外加磁场的扫描周期、盘基衬底噪声和退磁场等 ,在综合考虑并消除诸因素的影响后 ,使自制高密度硬盘盘片介质的磁基本特性参数获得了较高精度 ,通过本VSM测试系统 ,得到磁记录介质的平滑磁滞回线 ,通过多次测量 ,由磁滞回线计算的磁基本特性参数相对误差小于 1 % .
- 胡用时游龙李震李佐宜
- 关键词：VSM磁性磁性材料
- CoCrPtNb/CrTi/C玻璃盘基磁记录介质制备与性能
- 2004年
- 采用CoCrPtNb四元合金作磁记录介质,并使用多层膜结构C/(CoCrPt)100-xNbx/CrTi/C/Glass Substrate制备硬盘磁记录介质.实验结果表明:此种薄膜记录介质,即使在室温下溅射,也可得到高达240kA/m的矫顽力;此类薄膜在550℃高温下,经过30min退火后,其矫顽力有较大幅度提高,并在Nb含量为2.4%(原子分数)时达到极大值360kA/m此时剩磁比S=0.90,矫顽力矩形比S*=0.92,从而制成了适于高密度或超高密度磁记录使用的薄膜介质.并详细分析了在室温条件下溅射,此种介质矫顽力与Nb含量变化的关系;并对退火后介质矫顽力与Nb含量变化的关系也进行了讨论.
- 杨晓非游龙李震林更琪李佐宜
- 关键词：磁记录介质射频磁控溅射
- TbCo/Cr非晶垂直磁化膜的磁特性被引量：8
- 2004年
- 在 SPF-430H 溅射系统上采用不加偏压的射频磁控溅射法制备了 TbCo 非晶垂直磁化膜, 并就 Cr 底层对 TbCo 非晶垂直磁化膜磁性能的影响进行了研究。结果表明,Cr 底层的存在能够增强 TbCo 非晶垂直磁化膜的磁各向异性,并使得其矫顽力增加。分别采用 VTBH-1 型高感度振动样品磁强计和 MTL-1 磁转矩系统测量了 TbCo薄膜的磁滞回线和磁转矩曲线。结果发现,厚度为 120 nm,并带有 180 nm 厚度 Cr 底层的 Tb31C69 薄膜的矫顽力和磁各向异性能分别高达 51.2×104 A/m 和 0.457 J/cm3;没有带 Cr 底层的同样厚度的 Tb31C69 薄膜的矫顽力和磁各向异性能分别只有 35.2×104 A/m 和 0.324 J/cm3。Hitachi X-650 型扫描电镜的观测结果表明,带有 Cr 底层的TbCo 薄膜具有柱状结构,这一柱状结构导致了磁各向异性能的增强以及矫顽力的提高。
- 黄致新李佐宜但旭晋芳林更琪
- 关键词：磁性磁控溅射
- 玻璃盘基对高密度硬盘介质静态磁性参数测量的影响和消除方法
- 2004年
- 高密度硬盘介质静态磁性参数的精确测量对研制高密度硬盘至关重要。本文从测量系统和材料两方面对玻璃基噪声的影响机理做了较详尽的分析;并介绍了消除玻璃基噪声影响的四种方法,这四种方法在测量同一硬盘介质静态磁性参数时相对偏差小于5%,因此这四种方法都是切实可行的。
- 游龙宋敏李震
- 关键词：高密度硬盘玻璃基磁滞回线
- CoCrPtNb/CrTi/C多层膜记录介质的制备和性能研究被引量：2
- 2005年
- 采用CoCrPtNb四元合金作磁记录介质,并采用多层膜结构(CoCrPt)100-xNbx/CrTi/C/Glass制备玻璃盘基硬盘。实验结果表明:采用适宜厚度的籽晶层与合适组分的底层和磁性层的多层膜结构,即使在室温下溅射,此种薄膜磁记录介质也可得到高达260kA/m的矫顽力;在550℃高温下,经过30min真空退火后,其矫顽力有较大幅度提高,并在Nb含量为2.4%(原子分数)时达到极大值386kA/m,适用于高密度磁记录。同时,也详细分析了磁性层和底层组分、籽晶层厚度以及真空退火对磁记录介质磁性能和微结构的影响。
- 李佐宜游龙杨晓非林更琪
- 关键词：矫顽力
- CoCrPtNb/CrTi/C玻璃盘基磁记录介质制备与性能
- 采用CoCrPtNb四元合金作磁记录介质,并使用多层膜结构C/(CoCrPt)100-xdNbx/CrTi/c/GlassSubstrate制备硬盘磁记录介质.实验结果表明:此种薄膜记录介质,即使在室温下溅射,也可得到高...
- 杨晓非游龙李震林更琪李佐宜
- 关键词：磁记录介质射频磁控溅射
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