黑龙江省科技攻关计划(GC06A213)
- 作品数：9 被引量：34H指数：2
- 相关作者：彭鸿雁姜宏伟陈玉强赵立新尹龙承更多>>
- 相关机构：牡丹江师范学院上海大学沈阳理工大学更多>>
- 发文基金：黑龙江省科技攻关计划黑龙江省自然科学基金城市水资源与水环境国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺环境科学与工程化学工程更多>>
- 氢等离子体处理对类金刚石膜场发射性能的影响
- 2010年
- 采用大功率、高重复频率、准分子激光溅射热解石墨靶制备了类金刚石膜,研究了直流辉光氢等离子体处理对类金刚石膜的场发射性能的影响。结果表明:氢等离子体处理后,类金刚石膜的场发射性能明显提高,其发射阈值电场由26V/μm下降到19V/μm。氢等离子体刻蚀除去了类金刚石膜生长表面的富含石墨的薄层,露出的新表面具有较低的功函数;膜表面的悬键被氢原子饱和,进一步降低了电子亲和势,改善了膜的场发射性能。
- 赵立新彭鸿雁陈玉强罗玉杰陈宝玲徐闰黄健王林军夏义本金曾孙
- 关键词：类金刚石膜场发射
- Y_2O_3添加剂对SiC复相多孔陶瓷烧结性能和力学性能的影响被引量：1
- 2011年
- 利用添加造孔剂法制备SiC复相多孔陶瓷。研究了Y2O3添加剂对SiC复相多孔陶瓷的烧结温度及烧结体力学性能的影响机理。结果表明:Y2O3的加入大大降低了SiC复相多孔陶瓷烧结温度,样品的力学性能有所提高,抗弯强度提高18.46%,稀土氧化物占总质量3%时能提高SiC复相多孔陶瓷的抗氧化性,氧化速率降低了66.7%。YAG相在SiC晶界均匀分布,细晶,裂纹偏转及晶界桥联是SiC复相多孔陶瓷的增韧的机理。
- 杨金茹陈玉强彭鸿雁李鹏尹龙成
- 关键词：稀土氧化物多孔陶瓷碳化硅
- 不同氩气与氢气流量比对硼掺杂纳米金刚石膜的影响被引量：1
- 2011年
- 采用直流热阴极PCVD方法,以B(OCH3)3作为硼源,通过改变氩气与氢气流量比,在p型Si衬底上沉积了硼掺杂纳米金刚石膜。研究了不同氩气与氢气流量比对掺硼金刚石膜生长的影响。采用扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、X射线衍射仪、霍尔系统等对样品的形貌、结构和导电性能进行了表征。结果表明,随着氩气与氢气流量比的增加,膜的晶粒尺寸由微米级向纳米级转变,并且膜中非晶碳成分增多,膜的导电性能变好。
- 姜兆炎彭鸿雁姜宏伟尹龙承
- 关键词：氩气硼掺杂
- 大功率准分子激光制备类金刚石膜及场发射性能
- 2008年
- 采用大功率高重复频率准分子激光溅射热解石墨靶制备了类金刚石膜,研究了激光功率密度和重复频率对类金刚石膜的结构及场发射性能的影响。保持重复频率不变,提高激光功率密度可提高膜中sp3键碳的含量和膜的场发射性能;在最佳激光功率密度下,当重复频率由200Hz提高到500Hz,膜中sp3键碳的含量和膜的场发射性能先提高,后降低,在300Hz时达到最佳。在300Hz重复频率、1010W/cm2激光功率密度下,膜的发射阈值电场为26V/μm,在34V/μm的电场下测得电流密度为14μA/cm2。根据类金刚石膜的场发射机理对上述结果进行了分析解释。
- 赵立新彭鸿雁陈玉强陈宝玲徐闰黄健王林军夏义本王惟彪
- 关键词：脉冲激光沉积类金刚石膜场发射
- 掺硼金刚石膜电极电化学特性的研究被引量：8
- 2010年
- 采用直流热阴极CVD法制备掺硼金刚石膜.利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对样品进行了表征,利用电化学循环伏安法测试了掺硼金刚石膜电极的电化学特性.结果表明,该方法制备的掺硼金刚石膜电极有宽的电势窗口、很高的析氧电位和良好的稳定性.
- 祁文涛彭鸿雁姜宏伟
- 关键词：掺硼金刚石膜电极电化学特性循环伏安法
- 掺氮氧化锌薄膜的P型转变研究被引量：1
- 2010年
- 采用射频磁控溅射法在室温下制备了氮掺杂ZnO薄膜.用蓝宝石为衬底,氩气和不同流量的氮气为溅射气体.使用拉曼光谱仪对样品进行分析,在275cm-1位置为氮掺杂所引起的峰.样品经高温真空退火后,随着氮气流量的上升,薄膜中的载流子浓度有下降趋势,在氮气流量为6sccm时,薄膜具有较高的空穴载流子浓度,实现了氮的受主掺杂,氧化锌薄膜的导电类型实现了P型转变.
- 陈奇李敏君
- 关键词：射频磁控溅射
- 镁合金无铬化学转化膜的研究现状及发展趋势被引量：22
- 2009年
- 综述了镁合金无铬化学转化膜技术,介绍了磷酸盐、锡酸盐、稀土金属盐、植酸盐、氟锆酸盐、高锰酸盐、钨酸盐、单宁酸盐、钼酸盐化学转化膜等的形成机理并进行了评价,展望了今后镁合金无铬化学转化膜的发展趋势。
- 赵立新顾云飞邵忠财魏守强
- 关键词：镁合金表面处理化学转化膜耐蚀性
- 直流热阴极CVD法中硼酸三甲酯流量对掺硼金刚石膜制备的影响
- 2010年
- 采用直流热阴极CVD方法,以液态硼酸三甲酯为硼源,在P型(100)硅基片上制备了掺硼金刚石(BDD)膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、激光拉曼光谱仪、X射线衍射仪(XRD)等方法对样品进行了表征,研究了其生长特性,并利用电输运特性测试系统对其电阻率进行了测试。结果表明,随着硼酸三甲酯流量的增加,晶体的表面逐渐光滑平整、棱角清晰;掺硼金刚石膜的品质呈先上升后下降的趋势;电阻率呈先下降后达到平稳的趋势,最终达到约8.0×10^(-3)Ω·cm。硼掺杂明显改变了金刚石晶体的组成结构。
- 祁文涛彭鸿雁陈玉强姜宏伟王明磊尹龙承
- 关键词：CVD
- 掺硼浓度对间歇法生长硼掺杂纳米金刚石膜的影响被引量：2
- 2011年
- 采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(直流热阴极PCVD)法,以硼酸三甲酯为硼源,通过金刚石膜的间歇式生长过程,制备硼掺杂纳米金刚石膜,研究不同的硼源流量对硼掺杂纳米金刚石膜的影响,并用扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、X射线衍射仪对样品进行了表征.
- 姜兆炎彭鸿雁姜宏伟尹龙承胡巍
- 关键词：PCVD
