您的位置: 专家智库 > >

广西“新世纪十百千人才工程”专项资金(2003214)

作品数:3 被引量:12H指数:2
相关作者:周怀营职利徐华蕊朱归胜更多>>
相关机构:桂林电子工业学院桂林电子科技大学更多>>
发文基金:广西“新世纪十百千人才工程”专项资金国家高技术研究发展计划广西壮族自治区自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信化学工程理学更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 3篇ITO薄膜
  • 2篇水热
  • 2篇水热法
  • 2篇热法
  • 1篇电导
  • 1篇电导率
  • 1篇氧化铟
  • 1篇氧化铟锡
  • 1篇氧化铟锡薄膜
  • 1篇正交
  • 1篇正交试验
  • 1篇直流磁控
  • 1篇直流磁控溅射
  • 1篇制备工艺参数
  • 1篇水热法制备
  • 1篇透过率
  • 1篇吸收性能
  • 1篇溅射
  • 1篇光吸收
  • 1篇光吸收性能

机构

  • 2篇桂林电子工业...
  • 1篇桂林电子科技...

作者

  • 3篇徐华蕊
  • 3篇职利
  • 3篇周怀营
  • 1篇朱归胜

传媒

  • 1篇材料导报
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2007
  • 2篇2006
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
水热法制备ITO薄膜的研究被引量:5
2006年
以铟锡氯化物为原料,采用水热法在玻璃基片上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,并利用X射线衍射 (XRD)、能谱分析(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)等手段对薄膜的相结构、化学组成及形貌进行了表征,研究了水热温度和时间等条件对ITO薄膜光吸收特性的影响。结果表明,水热法制备的ITO薄膜呈体心立方多晶结构且均匀、致密。薄膜在可见光区透射比可达98.2%,具备低成本大规模制备ITO薄膜的潜力。
职利徐华蕊朱归胜周怀营
关键词:水热法ITO薄膜光吸收性能
氧化铟锡薄膜制备工艺参数的正交优化设计被引量:2
2006年
利用水热的方法制备了ITO透明导电薄膜,通过正交试验设计研究镀膜工艺因素对薄膜光电特性的影响规律。试验结果表明:影响薄膜光电性能的主要因素是前驱物浓度,其次是氨水浓度和保温温度,保温时间对薄膜光电性能的影响较小。在采用前驱物浓度为0.5mol/L、氨水浓度为3mol/L、保温温度为160℃、保温时间8h的实验条件下,沉积薄膜的性能较好。
职利徐华蕊周怀营
关键词:ITO薄膜水热法正交试验
Ar气氛下直流磁控溅射ITO薄膜的结构和性能被引量:5
2007年
采用直流磁控溅射法在低温、100%Ar的无氧气氛中制备了光电性能优良的铟锡氧化物(ITO,In2O3:SnO2=90:10,质量百分比)薄膜,详细探讨了溅射时改变氩气压强对ITO薄膜结构以及光电性能的影响。结果表明:溅射时氩气压强越小,ITO薄膜的体心立方晶型越完整,导电性越好,但对可见光透过性的影响不大。当氩气压强为0.3Pa时,溅射薄膜性能最佳,其光透过率可达92.9%,电导率为8.9×10-4Ω.cm。
职利徐华蕊周怀营
关键词:直流磁控溅射ITO薄膜电导率透过率
共1页<1>
聚类工具0