国家重点基础研究发展计划(51327030201) 作品数:6 被引量:9 H指数:2 相关作者: 王勇 杨克武 冯震 张志国 蔡树军 更多>> 相关机构: 中国电子科技集团第十三研究所 河北工业大学 河北半导体研究所 更多>> 发文基金: 国家重点基础研究发展计划 国家基础科研基金资助项目 国家自然科学基金 更多>> 相关领域: 电子电信 更多>>
X波段大功率GaN HEMT的研制 2008年 在研制了AlGaN/GaN HEMT外延材料的基础上,采用标准工艺制作了2.5mm大栅宽AlGaN/GaNHEMT。直流测试中,Vg=0V时器件的最大饱和电流Ids可达2.4A,最大本征跨导Gmax为520mS,夹断电压Voff为-5V;通过采用带有绝缘层的材料结构及离子注入的隔离方式,减小了器件漏电,提高了击穿电压,栅源反向电压到-20V时,栅源漏电在10-6A数量级;单胞器件测试中,Vds=34V时,器件在8GHz下连续波输出功率为16W,功率增益为6.08dB,峰值功率附加效率为43.0%;2.5mm×4四胞器件,在8GHz下,连续波输出功率42W,功率增益8dB,峰值功率附加效率34%。 宋建博 冯震 王勇 张志国 李亚丽 冯志宏 蔡树军 杨克武关键词:X波段 输出功率 功率增益 功率附加效率 AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Sapphires with f_(max) of 100GHz 2005年 AIGaN/GaN high electron mobility transistors grown on sapphire substrates with a 0.3μm gate length and 100μm gate width are fabricated. The device reveals a drain current saturation density of 0.85A/mm at a gate voltage of 0V and a peak transconductance of 225mS/mm. The unity current gain cutoff frequency and maximum frequency of oscillation are obtained as 45 and 100GHz,respectively. The output power density and gain are 1.8W/mm and 9.5dB at 4GHz,and 1.12W/mm and 11.5dB at 8GHz. 李献杰 曾庆明 周州 刘玉贵 乔树允 蔡道民 赵永林 蔡树军关键词:AIGAN/GAN HEMT SAPPHIRE 蓝宝石衬底AlGaN/GaN HFET功率特性 被引量:2 2006年 通过台面隔离与注入隔离结合的方法,解决了由于GaN外延材料缓冲层质量差造成的AlGaN/GaN HFET击穿电压低的问题.通过优化的500℃/50s栅退火条件,改善Ni-AlGaN/GaN二极管特性,理想因子和势垒高度分别优化到1.5和0.87eV.通过改进AlGaN/GaN HFET制备工艺,得到提高器件输出功率的优化工艺,采用这一工艺制备的蓝宝石衬底总栅宽为1mm,器件在频率为8GHz时输出功率达到4.57W,功率附加效率为55.1%. 张志国 杨瑞霞 李丽 冯震 王勇 杨克武关键词:ALGAN/GAN HFET 整流特性 输出功率 GaN基HEMT场板结构研究进展 被引量:3 2006年 综述了近年来GaN基HEMT场板结构研究的最新进展,介绍了场板结构定义以及提高栅漏击穿电压的原理,总结了均匀场板结构、台阶场板结构、多层场板结构、双场板结构等对栅漏击穿电压BVGD的改善情况,叙述了栅终端场板和源终端场板的功率附加效率(PAE)、截止频率fT、最大振荡频率fMAX、增益等微波特性的不同点,获得了最佳场板结构以及场板连接方式。 默江辉 蔡树军关键词:场板 跨导为325mS/mm的AlGaN/GaNHFET器件 被引量:5 2005年 报道了使用国产GaN外延材料(蓝宝石衬底)的AlGaN/GaNHFET器件的制备以及室温下器件的性能.器件栅采用场板结构,其中栅长为0.3μm,场板长为0.37μm,源漏间距为3μm.器件的饱和电流密度为0.572A/mm,最大漏电流密度为0.921A/mm,最大跨导为325mS/mm,由S参数外推出截止频率和最高振荡频率分别为27.9GHz和33.1GHz. 张志国 杨瑞霞 王勇 冯震 杨克武关键词:ALGAN/GAN HFET 跨导 直流特性 场板 X波段GaN HEMT的研制 2008年 采用双台面隔离工艺,实现了器件有源区隔离,隔离电压大于250V/10μA。通过对金属化前和介质膜淀积前的预处理过程的改进,实现了较理想的肖特基势垒特性,电压也得到了大幅度提高,理想因子n值小于1.7,源漏击穿电压大于50V/1mA,栅源击穿电压大于40V/1mA,最终实现器件X波段连续波输出功率20W,功率增益7dB,功率密度8W/mm。 王勇 冯震 宋建博 李静强 冯志宏 杨克武关键词:肖特基势垒 击穿电压 输出功率