国家自然科学基金(10175048)
- 作品数：18 被引量：82H指数：7
- 相关作者：宁兆元程珊华叶超辛煜江美福更多>>
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 栅网与偏压对CHF_3电子回旋共振放电等离子体特性的影响被引量：3
- 2003年
- 研究了电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积系统中栅网的增加和栅网上施加 +6 0V和 - 6 0V偏压对CHF3放电等离子体特性的影响 .发现在低微波功率下栅网与偏压对等离子体中基团分布的影响较大 ,而高微波功率下的影响逐渐减小 .这是由于低微波功率下等离子体中电子温度较低 ,基团的分布同时受栅网鞘电场和电子碰撞分解的共同作用 ;而高微波功率下电子温度较高 ,栅网鞘电场的作用减弱 。
- 叶超杜伟宁兆元程珊华
- 关键词：栅网偏压薄膜沉积技术ECR
- CF_4/Ar等离子体刻蚀中入射角对SiO_2刻蚀速率的影响被引量：2
- 2004年
- 在CF4/Ar的感应耦合等离子体中,用“法拉第筒”式的方法研究了SiO2刻蚀速率与不同离子入射角度之间的关系。在所施加的-20～300V射频偏压范围内,SiO2基片的归一化刻蚀速率(NER)呈现两种情况,当偏压值<100V时,归一化刻蚀速率的大小与基片倾斜角度θ符合余弦曲线规律;当偏压值>100V时,θ在15o～60o范围内,归一化刻蚀速率的大小在大于相应的余弦值,θ>60o时归一化刻蚀速率快速下降,在90o附近SiO2表面出现聚合物沉积。θ<60o时,SiO2的表面刻蚀主要决定于入射离子与基片表面间的能量转换,转换能量的大小深刻地影响着SiO2的刻蚀速率,同时也影响形成于基片表面的碳氟聚合物的去除速率。
- 孔华辛煜黄松宁兆元
- 关键词：感应耦合等离子体法拉第筒入射角
- 等离子体增强反应蒸发沉积的氟掺杂氧化铟薄膜的性质被引量：5
- 2002年
- 采用直流辉光CF4 O2 等离子体增强反应蒸发方法沉积了氟掺杂氧化铟透明导电薄膜 ,经过真空退火处理薄膜的电阻率达到 1 8× 10 - 3 Ω·cm ,透光率高于 80 %.研究了掺氟量和退火温度对薄膜电阻率和透光率的影响 ,结果表明 :氟的掺入增加了载流子浓度 ,使得薄膜的电阻率明显下降 ,而薄膜的透光率变差 ,但是可以通过真空退火处理使其得到显著的改善 ,掺氟量越大需要的退火温度越高 .X射线衍射分析说明 ,氟的掺入使薄膜的无序度增加 ;退火处理提高了薄膜的结晶状况 ,改善了薄膜的透光性能 ,同时也没有增加薄膜的电阻率 .
- 程珊华宁兆元黄峰
- 关键词：透明导电薄膜氟掺杂导电性能光学性能
- 射频功率对反应磁控溅射法沉积的a-C:F薄膜的影响
- 2003年
- 以高纯石墨作靶、CHF3/Ar作源气体,采用反应磁控溅射沉积法制备了具有低介电常数(k～2.18)的氟化非晶碳(a C:F)薄膜.薄膜的结构和性质由红外吸收光谱、紫外可见光光谱、沉积速率及介电常数等作了表征.有关数据显示,薄膜的沉积速率随着射粒输入功率的增大而上升.所沉积的a C:F薄膜中存在着一定比例的苯环结构.改变射频功率可以改变薄膜中的F/C比值,调制薄膜中环式结构与链式结构的比例,从而影响薄膜的介电常数和光学带隙等性能.
- 江美福宁兆元
- 关键词：氟化非晶碳薄膜射频功率介电常数沉积速率
- 反应磁控溅射法制备的氟化类金刚石薄膜的XPS结构研究被引量：13
- 2004年
- 采用射频反应磁控溅射法用高纯石墨作靶、三氟甲烷 (CHF3)和氩气 (Ar)作源气体制备了氟化类金刚石 (F DLC)薄膜 ,通过XPS光谱结合拉曼光谱、红外透射光谱和紫外 可见光光谱研究了源气体流量比等工艺条件对薄膜中键结构、sp2 sp3杂化比以及光学带隙等性能的影响 .结果表明在低功率 (6 0W)、高气压 (2 0Pa)和适当的流量比(Ar CHF3=2∶1 )下利用射频反应磁控溅射法可制备出氟含量高且具有较宽光学带隙和超低介电常数的F
- 江美福宁兆元
- 关键词：氟化类金刚石薄膜红外透射光谱光学带隙
- 源气体流量比对F-DLC薄膜结构的影响被引量：8
- 2003年
- 以高纯石墨作靶、CHF3/Ar作源气体采用反应磁控溅射法制备出了氟化类金刚石 (F -DLC)薄膜。拉曼光谱表明 ,CHF3相对流量的增加会引起薄膜的D峰与G峰强度之比I(D) /I(G)减小 ,晶粒增大 ,芳香环结构比例下降。红外吸收光谱分析证实了这些推论 ,指出这是由于薄膜中氟含量上升的结果。
- 江美福宁兆元
- 关键词：氟化类金刚石薄膜拉曼光谱
- 磁控溅射沉积的Ge/ZnO复合多层膜的光致发光特性研究
- 2004年
- 采用交替溅射Ge和ZnO靶的方法在Si(100)单晶基片上沉积了Ge/ZnO复合多层膜,并对其在空气中不同温度下进行了快速加热处理.在高温处理中部分Ge成分会被氧化转变成Ge的氧化物,XRD结果表明所制备的薄膜是由ZnO、Ge、GeO和GeO2多晶颗粒组成的复合薄膜,且随着温度的升高晶粒的尺寸加大,结晶度提高.光致发光谱的测量显示,经过高温处理过的Ge/ZnO复合多层膜可以在395nm左右发出强的紫光,随着温度的增加紫峰变尖锐且强度大大提高,并有590nm的黄发光峰出现.紫峰的增强是由于薄膜结晶度提高导致激子复合增加的结果,黄峰是由于Ge颗粒引起的局域态相关的跃迁而产生的.
- 范东华宁兆元
- 关键词：磁控溅射光致发光
- 微波输入功率引起a-C∶F薄膜交联结构的增强被引量：18
- 2002年
- 使用C2 H2 和CHF3 的混合气体 ,在改变微波功率的条件下 ,利用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积方法制备了氟化非晶碳薄膜 (a C∶F) .薄膜的傅里叶变换红外光谱分析结果表明 :薄膜中的CC与C—F键含量的比值随功率的增加而相应地增大 ;借助于紫外可见光谱分析发现 ,薄膜的光学带隙随功率的增大而减小 .由此推断微波输入功率的提高有助于增强薄膜的交联结构 .a
- 黄松辛煜宁兆元程珊华陆新华
- 关键词：交联结构氟化非晶碳薄膜傅里叶变换红外光谱X射线光电子能谱
- 氟化非晶碳薄膜的光学带隙分析被引量：15
- 2002年
- 研究了CHF3 C6 H6 沉积的氟化非晶碳 (α C∶F)薄膜的光学带隙 .发现α C∶F薄膜光学带隙的大小取决于薄膜中C—F ,CC的相对含量 .这是由于CC形成的窄带隙π键和C—F形成的宽带隙σ键含量的相对变化 ,改变了带边态密度分布的结果 .在微波功率为 1 4 0— 70 0W、沉积气压为 0 1— 1 0Pa、源气体CHF3 ∶C6 H6 流量比为 1∶1— 1 0∶1条件下沉积的α C∶F薄膜 ,光学带隙在 1 76— 3
- 叶超宁兆元程珊华王响英
- 关键词：氟化非晶碳薄膜光学带隙
- CC双键对氟化非晶碳薄膜I-V特性的影响被引量：11
- 2004年
- 研究了电子回旋共振等离子体技术沉积的氟化非晶碳 (a_C :F)薄膜的电学性质 .发现对于不同C_Fx 含量的薄膜 ,CC含量的增大对薄膜的导电行为具有不同的影响 .薄膜的直流I_V特性呈现I =aV +bVn规律 ,是低场强区的欧姆导电和高场强区的空间电荷限流 (SCLC)组成的导电过程 .由于非晶材料的空间电荷限流与带尾态密度的分布密切相关 ,而a_C :F薄膜中CC的含量决定带尾态密度的分布 ,因此a_C :F薄膜在高场下的空间电荷限流是由薄膜中 CC 决定的导电过程 .
- 叶超宁兆元程珊华辛煜许圣华
- 关键词：氟化非晶碳薄膜
