国家自然科学基金(20671088)
- 作品数：6 被引量：14H指数：3
- 相关作者：周德凤孟健夏燕杰朱建新李连贵更多>>
- 相关机构：长春工业大学中国科学院辽东学院更多>>
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- 新型氧离子导体La1.84R0.16Mo1.7W0.3O8.92(R=Ca^2＋、Sr^2＋、Ba^2＋)的制备及其电性能被引量：3
- 2008年
- 以La2Mo1.7W0.3O9为本体,在La位进行碱土金属掺杂,采用溶胶-凝胶方法合成新型氧离子导体La1.84R0.16Mo1.7W0.3O8.92(R=Ca2+、Sr2+、Ba2+)。应用示差热分析(DTA)、X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)等手段对氧化物进行结构表征,交流阻抗谱测试电性能。结果表明:掺杂改善了本体导电性能的同时,保持了La2Mo1.7W0.3O9抑制La2Mo2O9相变的功能;碱土离子的掺杂,在体系中引入了氧空位,有利于氧离子扩散,提高氧离子导电性,773K时Ba2+掺杂体系的电导率为1.0×10-4S/cm,高于本体的电导率(5.0×10-5S/cm)。
- 周德凤叶俊峰朱建新孟健
- 关键词：固体电解质氧离子导体掺杂
- Mo掺杂对高纯Ce1-xNdxO2-x/2(x=0.10,0.15)体系烧结温度及晶界电性能的影响
- 2008年
- 用柠檬酸硝酸盐法制备高纯Ce1-xNdxO2-x/2(x=0.10,0.15)固溶体,加入摩尔分数为5%的Mo,研究了Mo掺杂对烧结温度、结构及电性能的影响.通过X射线衍射、电感偶合等离子体和场发射扫描电镜等手段对氧化物进行了结构表征,采用交流阻抗谱测试其电性能.柠檬酸硝酸盐法制备的前驱体经1450℃烧结24 h得到致密度大于96%的陶瓷材料;加入5%Mo,在1250℃下烧结8 h即可达到理想的致密度(>95%).加入Mo在烧结过程中可加快晶界迁移,促进晶粒生长,显著提高了晶界电导率.在600℃时Ce0.85Nd0.15O1.925的晶界电导率为2.56 S/m,加入Mo后材料的电导率增加到5.62 S/m.
- 周德凤朱建新夏燕杰于丹孟健
- 关键词：固体电解质电导率晶界
- Pr掺杂对Ce_(0.87)Sm_(0.13)O_(2-δ)结构及电性能的影响被引量：6
- 2008年
- 采用溶胶-凝胶法合成Ce0.87Sm0.13-xPrxO2-δ(x=0.00,0.01,0.02)氧化物,通过X射线衍射、拉曼光谱、场发射扫描电镜对氧化物进行结构表征,利用交流阻抗谱测试电性能,并讨论了掺杂Pr对Ce0.87Sm0.13O2-δ微观结构和电性能的影响.结果表明,掺入少量Pr3+可减少或消除晶粒表面和晶界处的坑痕或孔隙,增加材料的致密性,从而降低材料的晶界电阻和电极界面电阻以及晶界电阻在总电阻中所占的比例,提高了材料的电导率.
- 周德凤李朝辉李连贵孟健
- 关键词：固体电解质电导率晶界固体氧化物燃料电池
- (Ce_(0.9)Nd_(0.1))_(1-x)Mo_xO_(2-δ)(0.00≤x≤0.10)的合成、表征与电性能(英文)被引量：3
- 2009年
- 采用溶胶-凝胶法合成(Ce0.9Nd0.1)1-xMoxO2-δ(x=0.00、0.02、0.05、0.10)氧化物,通过X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)等手段对氧化物进行结构表征,交流阻抗谱测试电性能.结果表明:所有样品均为单一萤石立方结构;少量MoO3的加入提高了材料的致密性,降低了材料的总电阻、晶界电阻和晶界电阻在总电阻中所占比例,提高了材料的电导率.1200℃烧结样品24h,测试温度700℃时,(Ce0.9Nd0.1)1-xMoxO2-δ(x=0.00)总电导率和晶界电导率分别为0.05和0.19S·m-1,掺Mo材料(Ce0.9Nd0.1)1-xMoxO2-δ(x=0.02)的总电导率和晶界电导率分别为2.42和3.96S·m-1.
- 夏燕杰周德凤孟健
- 关键词：氧化钼
- Mo的掺杂对Ce0.8Gd0.2O1.9烧结温度及电性能的影响
- 2008年
- 掺杂的CeO2基固体电解质因其在中低温条件下（500-700℃）具有高氧离子电导率而成为有希望的IT-SOFCs（intermediate temperature-solid oxide fuel cell）电解质材料，其中Sm、Gd掺杂的体系由于具有较高电导率而研究最多。
- 周德凤夏燕杰梁鹏孟健
- 关键词：固体电解质晶界掺杂
- MoO3和SiO2掺杂对Ce0.8ND0.2O1.9固体电解质结构和导电性能的影响被引量：2
- 2011年
- 采用溶胶-凝胶法合成高纯(<50 mg·kg-1 SiO2)Ce0.8Nd0.2O1.9(NDC)和SiO2含量为500 mg·kg-1的Ce0.8Nd0.2O1.9(NDCSi)体系,将1mol%MoO3分别加入到NDC和NDCSi体系,比较研究MoO3掺杂对体系微观结构和电性能的影响。通过X射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对材料进行表征,交流阻抗(AC)分析仪测试材料的电阻。结果表明:MoO3和SiO2的加入均没有破坏体系的立方莹石结构;MoO3掺杂能提高NDC和NDCSi陶瓷材料的致密度,提高其晶界电导率和总电导率;MoO3掺入NDC体系具有烧结助剂的作用,掺入NDCSi体系既具有烧结助剂的作用,又具有晶界改善剂的作用。
- 赵桂春周德凤杨梅夏燕杰孟健
- 关键词：烧结助剂电导率
