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国家自然科学基金(61106084)

作品数:2 被引量:2H指数:1
相关作者:张超方粮隋兵才王慧高军更多>>
相关机构:国防科学技术大学国防科技大学北京航空航天大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇单电子晶体管
  • 1篇电学测量
  • 1篇电子束刻蚀
  • 1篇原位
  • 1篇透射电子显微...
  • 1篇主方程
  • 1篇微芯片
  • 1篇芯片
  • 1篇利用率
  • 1篇晶体管
  • 1篇刻蚀
  • 1篇FIFO
  • 1篇标量
  • 1篇超标量
  • 1篇超标量处理器
  • 1篇处理器

机构

  • 2篇国防科学技术...
  • 2篇国防科技大学
  • 1篇北京航空航天...

作者

  • 3篇隋兵才
  • 2篇方粮
  • 2篇张超
  • 1篇邢座程
  • 1篇陈小保
  • 1篇高军
  • 1篇王慧

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇上海交通大学...

年份

  • 2篇2014
  • 1篇2013
2 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
基于微芯片的透射电子显微镜的低温纳米精度电子束刻蚀与原位电学输运性质测量被引量:2
2014年
利用微芯片制备技术制备了带有电极的原位电学薄膜芯片,并结合自制的原位透射电镜样品台,实现了低温下透射电子显微镜聚焦电子束对InAs纳米线的精细刻蚀以及不同温度下的原位电学性能测量.研究发现,随着刻蚀区域截面积的减小,纳米线的电导率也随之减小.当纳米线的截面积从大于10000 nm2刻蚀至约800 nm2时,纳米线电导的减小速率与截面积的减小具有线性关系.同时利用低温聚焦电子束刻蚀,在InAs纳米线上原位制备了一个10 nm的纳米点,并在77与300 K下对该纳米点进行了电学性能测量.通过测量发现在77 K时出现库仑阻塞效应,发生了电子隧穿现象;而300 K时,热扰动提供的能量使这种现象消失.
张超方粮隋兵才徐强王慧
超标量处理器高效发射队列的设计及与实现
对超标量处理器的发射队列结构和功能进行分析,实现了一种适用于超标量微处理器的高效能发射队列。该发射队列采用FIFO结构的入队离队形式,通过在发射段增加读寄存器流水段,来减少读端口数目,以此降低面积和功耗。对这种发射队列进...
邓凯伟隋兵才邢座程
关键词:超标量FIFO利用率
基于周期特性的双岛单电子晶体管主方程模拟及改进
2013年
以双岛单电子晶体管(SET)为研究对象,采用稳态图和蒙特卡洛法分析双岛SET的周期特性,选取其中的7个典型状态,提出了双岛SET的简化主方程模拟方法,并利用分析所得SET的周期特性而改善简化主方程模拟方法的局限性.结果表明,所提出的模拟方法能够有效模拟双岛SET的电流和电压特性,并能扩展到多岛单电子晶体管.
隋兵才高军陈小保张超方粮
关键词:单电子晶体管主方程
共1页<1>
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