国家自然科学基金(60076001)
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
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- 相关机构：河北工业大学石家庄铁道学院北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- ULSI用CZ硅单晶中的空洞型原生缺陷及其控制
- 2005年
- 详细阐述了COP、 LSTD 和FPD等空洞型原生缺陷的基本性质、形成机理和它们与晶体生长参数的关系,以及目前主要采用的几种消除空洞型缺陷的方法。研究表明,利用快速退火消除空洞型原生缺陷, 是一种简单而有效的方法。
- 乔治候哲哲刘彩池
- 关键词：超大规模集成电路直拉硅单晶快速退火
- 快速预热处理对大直径CZ-Si中FPDs及清洁区的影响被引量：1
- 2006年
- 研究了不同气氛下快速预热处理(RTA)后,硅片中的流动图形缺陷(FPDs)密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区(MDZ)之间的关系.硅片经过高温快速预热处理后,再经过800℃(4h)+1000℃(16h)常规退火,以形成MDZ.研究发现,当硅片在Ar气氛或N2/O2(9%)混合气氛下RTA预处理后,FPDs密度较低,随后热处理出现的氧沉淀诱生缺陷密度较高、清洁区较宽.对于N2/O2混和气氛,随着O2含量的增加,FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度变小,纯O2气氛下预处理后硅片中FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度最低.因此,可以通过调节N2/O2混合气氛中两种气氛的比例来控制空洞型微缺陷和硅片体内氧沉淀诱生缺陷的密度.
- 张建强刘彩池周旗钢王敬郝秋艳孙世龙赵丽伟滕晓云
- 关键词：CZSI流动图形缺陷
- 快速热处理在直拉硅内吸杂技术中的应用
- 2006年
- 硅片直径的不断增大，特征线宽的不断减小，吸除器件有源区域内的金属杂质至关重要。传统的内吸杂已经不能完全满足器件工艺的要求，因此快速热处理技术被引入到直拉硅片的内吸杂工艺中。快速热处理可以使空住在硅中按深度分布，在后续的热处理中促进氧沉淀的形成，从而得到理想的清洁区和氧沉淀密度。探索快速热处理的条件以达到良好的内吸杂效果，具有重要的实用意义。
- 孙世龙赵丽伟赵彦桥石义情郝秋艳刘彩池
- 关键词：直拉硅氧沉淀
- CZ-Si单晶中流动图形缺陷的本性探究被引量：3
- 2006年
- CZ-Si单晶中的流动图形缺陷(FPDs)是否属于空洞型缺陷,目前尚有争议。通过光学显微镜和原子力显微镜对其结构进行了细致地研究。实验发现,FPDs外形如抛物线,在硅片中呈内高外低分布,并且在其顶端附近还存在一单型或双型的八面体空洞,其尺寸、结构及类型与COPs、LSTDs缺陷都非常相似。所有这些都表明,FPDs为空洞型缺陷。本次实验结果将有助于对空洞型缺陷本性及其消除机制的进一步研究。
- 乔治刘彩池张彦立史严
- 关键词：CZ-SI
