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国家自然科学基金(60771016)

作品数：13 被引量：18H指数：2
相关作者：朱建国肖定全李雪冬郭红力李海敏更多>>
相关机构：四川大学绵阳师范学院中国工程物理研究院更多>>
发文基金：国家自然科学基金重庆市教育委员会科学技术研究项目更多>>
相关领域：一般工业技术理学电气工程化学工程更多>>

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇一般工业技术
  • 4篇理学
  • 3篇化学工程
  • 3篇电气工程
  • 2篇电子电信

主题

  • 6篇铁电
  • 5篇铁电性
  • 4篇退火
  • 4篇快速退火
  • 3篇电性能
  • 3篇压电
  • 3篇射频磁控
  • 3篇射频磁控溅射
  • 3篇陶瓷
  • 3篇铁电性能
  • 3篇两步法
  • 3篇溅射
  • 3篇磁电
  • 3篇磁电效应
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇电滞回线
  • 2篇压电陶瓷
  • 2篇高温
  • 2篇高温压电陶瓷

机构

  • 12篇四川大学
  • 3篇绵阳师范学院
  • 1篇长江师范学院
  • 1篇盐城工学院
  • 1篇中国工程物理...

作者

  • 12篇朱建国
  • 10篇肖定全
  • 6篇李雪冬
  • 6篇郭红力
  • 3篇刘果
  • 3篇李海敏
  • 2篇吴家刚
  • 2篇刘刚
  • 2篇刘洪
  • 2篇周圆苑
  • 1篇乐夕
  • 1篇江一杭
  • 1篇杨焕银
  • 1篇覃宝全
  • 1篇郑勇林
  • 1篇郑涪升
  • 1篇田云飞
  • 1篇朱基亮
  • 1篇侯海军
  • 1篇唐焕芳

传媒

  • 2篇无机材料学报
  • 2篇功能材料
  • 2篇电子元件与材...
  • 2篇科技创新导报
  • 1篇物理学报
  • 1篇四川大学学报...
  • 1篇压电与声光
  • 1篇Chines...
  • 1篇Journa...

年份

  • 3篇2015
  • 1篇2013
  • 5篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
钇掺杂对BSPT高温压电陶瓷铁电性能的影响被引量：6
2011年
利用传统固相法制备了(1-x)Bi(Sc1-yYy)O3-xPbTiO3(BSYPT-x/y)压电陶瓷,采用XRD、SEM、压电工作站等技术表征了体系的晶体结构、微观组织及其铁电性能.发现随着PbTiO3含量的增加,BYSPT-x/y陶瓷相结构由三方结构逐渐转变为四方结构.体系的准同型相界(MPB)位置随BiYO3含量的增加而移向PbTiO3含量更低的一端.在准同型相界附近的BSYPT0.58/0.15陶瓷的电滞回线出现"束腰"现象,这种现象来源于BSYPT0.58/0.15陶瓷内部产生的正极为O2-,负极为Y3+的缺陷偶极子.
李启寿肖定全朱建国
关键词：高温压电陶瓷铁电性能
高压退火对0.65PMN-0.35PT薄膜结构、形貌及电学性能的影响被引量：2
2013年
利用射频磁控溅射技术在LaNiO3/SiO2/Si(100)基底上制备了厚度约为250nm的0.65PMN-0.35PT(PMN-PT)薄膜.研究高压氧氛围退火方式对PMN-PT薄膜晶体结构、形貌以及电学性能的影响.经过XRD测试发现,在高压氧气氛围中,温度为400C下退火后的PMN-PT薄膜具有纯的钙钛矿相结构,具有完全的(100)择优取向,且衍射峰尖锐,表明经过高压退火后的薄膜结晶极为充分.SEM表面形貌测试结果显示,经高压退火处理的PMN-PT薄膜表面呈现出棒状或泡状的形貌.铁电性能测试表明:氧气氛围压强4MPa,退火时间4h的PMN-PT薄膜样品具有较好的铁电性能,其剩余极化强度Pr达到10.544μC/cm2,且电滞回线形状较好,但漏电流较大,这可能是由于其微结构所导致.同时介电测试发现:PMN-PT薄膜样品具有极好的介电性能,其在1kHz下测试的介电常数εr达到913,介电损耗tgδ较小,仅为0.065.
郭红力杨焕银唐焕芳侯海军郑勇林朱建国
关键词：射频磁控溅射介电
不同退火方式对0.7BiFeO_3-0.3PbTiO_3薄膜的铁电性能及漏电流的影响
2011年
利用溶胶凝胶法在LaNiO3/SiO2/Si衬底上制备了0.7BiFeO3-0.3PbTiO3(BFPT7030)薄膜,研究了快速退火及常规退火两种不同的后续退火处理方式对薄膜铁电性能及漏电流性能的影响.XRD测试表明,经快速退火处理的BFPT7030薄膜结晶完好,呈现出单一的钙钛矿相.SEM测试结果显示,经快速退火处理的BFPT7030薄膜结晶充分,但经常规退火处理的BFPT7030薄膜表面致密性较好,且在升温速率为2℃/min时薄膜的晶粒更细小.经快速退火处理的BFPT7030薄膜的铁电性能较为优异,在升温速率为20℃/s时,其剩余极化Pr为22μC/cm2,矫顽场Ec为70 kV/cm,并具有较小的漏电流.XPS测试结果表明,经常规退火处理的BFPT7030薄膜其铁离子的价态波动较小.
李海敏郭红力李雪冬刘果肖定全朱建国
关键词：溶胶凝胶快速退火
0.9Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_3-0.1PbTiO_3/0.65Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.35PbTiO_3多层薄膜的制备及铁电性研究
2015年
以LaNiO_2做缓冲层,用射频磁控溅射法在SiO_2/Si(100)衬底上制备出0.9Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O 3-0.1PbTiO 3/0.65Pb(Mg_(1/2)Nb_(2/3))O_3-0.35PbTiO_3铁电多层薄膜。采用两步法在峰值温度650℃和700℃对薄膜进行退火。通过电滞回线和漏电流曲线对薄膜的铁电性能进行了测量。研究发现,650℃退火的薄膜有较好的铁电性,其剩余极化2P_r9.5μc/cm^2,矫顽场2E_c=42.2 kV/cm,100 kV/cm场强下漏电流密度为31μA/cm^2。700℃退火的薄膜铁电性有所下降,2P,=3.1μc/cm^2,但薄膜却具有很低的矫顽场,2E_c=22.6 kV/cm。分析认为,铁电性的退化与高温下薄膜中异质结间的相互作用及挥发性元素Pb和Mg的损失密切相关。
李雪冬刘洪吴家刚刘刚肖定全朱建国
关键词：铁电性电滞回线
In^(3+)、Ga^(3+)掺杂BSPT高温压电陶瓷的研究被引量：6
2008年
将BiGaO3和BiInO3分别引入BiScO3-Pb-TiO3(BSPT)体系,并通过氧化物合成法制备了0.075BiGaO3-(0.925-x)BiScO3-xPbTiO3(BGSPTx,x=0.58~0.62)和0.075BiInO3-(0.925-x)BiScO3-xPb-TiO3(BISPTx,x=0.61~0.65)压电陶瓷。X射线衍射分析表明,BiGaO3和BiInO3的替换掺杂均不影响BSPT体系的钙钛矿结构。随着PbTiO3含量的增加,BGSPTx和BISPTx陶瓷由三方钙钛矿结构逐渐变到四方结构,其三方-四方准同型相界分别位于x=0.60和x=0.62附近。在准同型相界附近,BGSPTx陶瓷的压电常数d33,机电耦合系数kp为分别为350pC/N和52.0%,而BISPTx的d33高达475pC/N,kp为52.3%。介电常数的温度特性测试表明,掺入Ga3+可以有效地提升BSPT体系的居里温度,其MPB组分(x=0.60)居里温度高达472℃,而掺入In3+对BSPT体系的居里温度影响则不明显。
覃宝全江一杭赵毅姜昱志乐夕肖定全朱建国
关键词：掺杂
升温速率对Bi_(0.98)La_(0.02)FeO_3-PbTiO_3薄膜结构性能的影响被引量：1
2010年
采用sol-gel法在SiO2/Si(100)衬底上制备了0.68(Bi0.98La0.02)FeO3-0.32PbTiO3(BLFPT)薄膜。采用快速退火技术,以2～40℃/s速率升温、在700℃下保温100s对BLFPT薄膜进行了后续处理。研究了升温速率对BLFPT薄膜结构性能的影响。XRD测试结果显示BLFPT薄膜为赝立方结构。SEM和AFM结果表明,当升温速率为2℃/s时,BLFPT薄膜表面晶粒更为均匀致密,粗糙度最小。XPS分析显示,Bi、Fe和Ti分别主要以化合态Bi2O3、Fe2O3和TiO2的形式存在。
周圆苑李海敏田云飞肖定全朱建国
关键词：SOL-GEL法快速退火
(PSTT10/45)_4多层薄膜铁电性研究
2015年
以LaNiO3做缓冲层,用射频磁控溅射法在SiO2/Si(100)衬底上制备出[0.9Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.1PbTi 3/0.55Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.45PbTiO3]4铁电多层薄膜。采用两步法在峰值温度800℃对薄膜进行退火。通过x射线衍射分析了薄膜的物相结构,通过电滞回线和漏电流曲线对薄膜的铁电性能进行了测量。研究发现,薄膜展现出高度(100)取向的钙钛矿结构和增强的铁电性,其剩余极化2Pr=26.2μc/cm2,矫顽场2Ec=53.9 k V/cm,100 k V/cm下漏电流密度为1.87×10-4A/cm2。分析了铁电性增强和漏电流增大的可能原因。
李雪冬刘洪吴家刚刘刚肖定全朱建国
关键词：铁电性
烧结温度对CFO/PMN-PT磁电复合陶瓷性能的影响
2010年
采用传统固相法制备了质量比为1∶4的CoFe2O4/Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.35PbTiO3(CFO/PMN-PT)磁电复合陶瓷,研究了烧结温度(900～1100℃)对所制复合陶瓷性能的影响。结果表明,复合陶瓷中尖晶石结构的CFO与钙钛矿结构的PMN-PT共存,没有其他杂相生成,复合陶瓷的密度以及压电常数d33在1000℃时达到最大值,分别为7.07g/cm3和212pC/N。磁电电压系数αE33随烧结温度的增加逐渐增大,在1100℃烧结时达到最大值8.4mV/A,而磁电电压系数αE31随烧结温度的增加先增大后减小,在1000℃烧结时达到最大值4.8mV/A。
裴颖郭红力石维肖定全朱建国
关键词：磁电效应压电性能铁电性能复合陶瓷
两步法快速退火对PMN-PT薄膜结构和性能的影响
2011年
采用射频磁控溅射法在LaNiO3(100)/SiO2/Si(100)衬底上制备了0.65Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.35PbTiO3(PMN-PT)铁电薄膜,采用两步法快速退火法对制备的PMN-0.35PT薄膜进行了不同工艺的后处理。实验结果表明,在LaNiO3上溅射的PMN-PT薄膜呈现高度的(100)取向。对PMN-PT薄膜测试表明,在合适的两步法快速退火处理时,可以获得表面平整颗粒饱满,且铁电性能很好的薄膜,其剩余极化强度(2Pr)可以达到24μC/cm2,平均粗糙度为7.4nm,在室温1kHz的测试频率下,εr和tanδ分别为545和0.062。
郭红力刘果李雪冬肖定全朱建国
关键词：射频磁控溅射
两步法快速退火对PSTT5铁电薄膜性能的影响被引量：2
2009年
采用射频磁控溅射法在LSCO/Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了0.95Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.05PbTiO3(PSTT5)铁电薄膜。研究了不同的快速退火(RTA)工艺对PSTT5薄膜的结晶性能和铁电性能的影响。实验结果表明,经两步法快速退火,PSTT5薄膜具有完全钙钛矿结构且呈(220)取向。PSTT5薄膜的铁电性能测试结果也表明,采用两步法RTA处理的PSTT5薄膜具有更好的铁电性能,其剩余极化强度(2Pr)可达25.4μC/cm2。
孙宇澄李雪冬周圆苑朱基亮肖定全朱建国
关键词：射频磁控溅射
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