国家高技术研究发展计划(2004AA3Z1140)
- 作品数：2 被引量：31H指数：2
- 相关作者：闫志瑞林霖鲁进军王继李耀东更多>>
- 相关机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 300mm硅片化学机械抛光技术分析被引量：19
- 2006年
- 化学机械抛光是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,然而,传统的化学机械抛光技术还存在一定的缺点或局限性,为了得到更好的硅片平整度和表面洁净度,在300mm硅片的生产中采用了双面化学机械抛光技术。对双面化学机械抛光的优点以及系统变量对抛光速度和抛光质量的影响进行了详细地分析。
- 闫志瑞鲁进军李耀东王继林霖
- 关键词：化学机械抛光超大规模集成电路硅片
- HF／O_3在300mm硅片清洗中的应用被引量：12
- 2006年
- 随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽在不断减小,对硅抛光片表面质量的要求也越来越高,传统的RAC清洗方法已不能满足其需求,因此,必须发展新的清洗方法。本文对传统的RCA清洗方法进行了简单的介绍,分析了其中的不足之处,在此基础上,对新发展的HF／O3槽式清洗法和HF／O3 单片清洗法进行了详细的说明,从而对300mm硅片清洗方法的未来发展方向进行了简单论述。
- 闫志瑞李俊峰刘红艳张静李莉
- 关键词：硅片RCA清洗
