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国际科技合作与交流专项项目(2010DFR50550)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：李斌王英民王利忠毛开礼徐伟更多>>
相关机构：中国电子科技集团公司第二研究所更多>>
发文基金：山西省自然科学基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇应力
  • 1篇退火
  • 1篇半绝缘
  • 1篇4H-SIC

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇侯晓蕊
  • 1篇徐伟
  • 1篇毛开礼
  • 1篇王利忠
  • 1篇王英民
  • 1篇李斌

传媒

  • 1篇电子工艺技术

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
退火对掺钒半绝缘4H-SiC晶片质量影响的研究
2013年
通过物理气相传输(PVT)法成功地生长出直径大于7.62 cm的掺钒半绝缘4H-SiC晶体。抛光后的掺钒半绝缘4H-SiC晶片在真空且温度1 600℃～2 000℃条件下进行退火处理,利用高分辨X-ray衍射仪、显微拉曼光谱仪、非接触电阻率测试仪和应力仪对退火前后的晶片进行了测试与分析,研究了退火工艺对掺钒半绝缘4H-SiC晶片应力的影响,并且得到了合适的退火工艺。结果表明:合适的退火处理有利于进一步提高晶片的质量。
王利忠王英民李斌毛开礼徐伟侯晓蕊
关键词：退火应力
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