新疆维吾尔自治区自然科学基金(2010211A21)
- 作品数:2 被引量:2H指数:1
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- 相关机构:新疆师范大学重庆大学更多>>
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- In_nAs_n(n=1~20)小团簇几何结构与电子性质的第一性原理研究被引量:1
- 2012年
- 基于密度泛函理论的第一性原理方法,采用B3LYP下的赝势基组LanL2DZ,研究了In_nAs_n(n=1~20)团簇的基态几何结构、相对稳定性、电子性质及其振动光谱.结果表明,当n=5~11时团簇的基态构型为层状结构;当n=12~20时团簇的基态构型为笼状结构.团簇平均结合能、二阶能量差分和HOMO-LUMO能隙均在n=9,12,18出现极大值,说明In_9 As_9、In_(12) As_(12)和In_(18) As_918)为幻数团簇.另外,HOMO-LUMO能隙的计算结果表明In_nAs_n(n=1~20)团簇具有宽带隙半导体特征.
- 邹艳波刘志锋刘立仁吴鹏祝恒江
- 关键词:电子性质
- InAs双壁管状团簇及双壁纳米管结构、稳定性和电子特性的第一性原理研究被引量:1
- 2012年
- 利用第一性原理研究InAs双壁管状团簇及其双壁纳米管的几何结构、稳定性和电子特性.几何结构分析表明,In(3pk+4p)/2As(3pk+4p)/2(p=6,8,10,k=3,4,···,11)双壁管状团簇的几何构型符合欧拉公式,并得到In(3pk+4p)/2As(3pk+4p)/2双壁管状团簇及(m,n)@(2m,2n)(m=n=3,4,5)型InAs纳米管的管径公式.电子特性的计算结果表明:[6,k]@[12,k+2]型管状团簇和(3,3)@(6,6)型纳米管稳定性最高;利用前线轨道随尺寸的变化规律,得到InAs双壁管状团簇的生长机理,阐明实验合成InAs纳米管的微观机理;态密度和能带研究结果表明,InAs双壁管状团簇及双壁纳米管都具有半导体特性.
- 吴鹏刘立仁祝恒江邹艳波刘志锋
- 关键词:态密度