辽宁省教育厅高等学校科学研究项目(2008224)
- 作品数：4 被引量：5H指数：2
- 相关作者：吴炜郭永新谭天亚邵建达范正修更多>>
- 相关机构：辽宁大学中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：辽宁省教育厅高等学校科学研究项目辽宁省科技厅科研基金沈阳市科学技术计划项目更多>>
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- 缓冲层对LiB_3O_5晶体上1064nm,532nm倍频增透膜性能的影响
- 2010年
- 采用电子束蒸发方法在LiB3O5(LBO)晶体上制备了无缓冲层和具有不同缓冲层的1064nm,532nm倍频增透膜。利用Lambda900分光光度计、MTS Nano Indenter纳米力学综合测试系统以及调Q脉冲激光装置对样品的光学性能、附着力和激光损伤阈值进行了测试分析。结果表明,所有样品在1064nm和532nm波长的剩余反射率都分别小于0.1%和0.2%。与无缓冲层样品相比,预镀Al2O3缓冲层的样品的附着力提高了43%,具有Si O2缓冲层的样品的附着力显著提高。激光损伤阈值分析表明,采用Si O2缓冲层改进了薄膜的抗激光损伤性能,但是Al2O3缓冲层的插入却导致薄膜的激光损伤阈值降低。
- 谭天亚于撼江吴炜郭永新邵建达范正修
- 关键词：薄膜光学LBO晶体附着力激光损伤阈值缓冲层
- 缓冲层对LBO晶体上1064nm,532nm二倍频增透膜的激光损伤阈值的影响被引量：2
- 2009年
- 采用电子束蒸发方法在LBO晶体上制备了无缓冲层和具有不同缓冲层的1064nm,532nm二倍频增透膜.利用Lambda900分光光度计和调Q脉冲激光装置对样品的光学性能和抗激光损伤性能进行了测试分析.结果表明,所有样品在1064nm和532nm波长的剩余反射率都分别小于0.1%和0.2%.与无缓冲层样品相比,采用SiO2和MgF2缓冲层薄膜的激光损伤阈值分别提高了23.1%和25.8%,而Al2O3缓冲层的插入却导致薄膜的激光损伤阈值降低.通过观察薄膜的激光损伤形貌,分析破斑的深度信息和电场分布,表明LBO晶体上1064nm,532nm二倍频增透膜的激光损伤破坏主要表现为膜层剥落,激光产生的热冲击应力使薄膜应力发生很大变化,超过膜层之间的结合而引起膜层之间的分离.采用SiO2或MgF2缓冲层可改进Al2O3膜层的质量,从而有利于提高薄膜的激光损伤阈值.
- 谭天亚于撼江吴炜郭永新范正修邵建达
- 关键词：光学薄膜LBO晶体激光损伤阈值缓冲层
- 不同晶格基底上薄膜生长的Monte Carlo模拟研究被引量：1
- 2009年
- 利用Monte Carlo(MC)方法模拟研究了四方和六方晶格基底上薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与基底温度和入射粒子剩余能量之间的关系.模型中考虑了粒子的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发等过程.结果表明,基底晶格结构对薄膜生长具有明显影响.当基底温度为300K、入射粒子剩余能量为0时,四方晶格基底上薄膜的生长已经呈现明显的凝聚生长,随着基底温度或入射粒子剩余能量的增加,岛的数目变少、岛的平均尺寸变大.对于六方晶格基底,当入射粒子剩余能量为0、温度从300K升高到350K时,岛的形貌从分散生长向分形生长转变;当基底温度为300K、入射粒子剩余射能量从0上升到0.05eV时,岛由分散生长向分形生长转变.
- 谭天亚李春梅苏宇张静吴炜郭永新
- 关键词：MONTECARLO模拟薄膜生长晶格基底温度
- 缓冲层对LBO晶体上1064nm,532nm增透膜附着力的影响被引量：3
- 2009年
- 采用电子束蒸发方法在LBO晶体上制备了无缓冲层和具有不同缓冲层的1064 nm,532 nm二倍频增透膜。利用分光光度计、纳米力学综合测试系统以及调Q脉冲激光装置对样品的光学性能、附着力以及抗激光损伤性能进行了测试分析。结果表明:所有样品在1064 nm和532 nm波长的剩余反射率都分别小于0.1%和0.2%;与无缓冲层样品相比,预镀Al2O3缓冲层样品的附着力提高了43.1%,具有SiO2缓冲层样品的附着力显著提高,而MgF2缓冲层的插入却导致薄膜附着力降低。应用全塑性压痕理论和剪切理论对薄膜的附着力增强机制进行了分析。薄膜的抗激光损伤性能分析表明,SiO2缓冲层也有助于改进薄膜的激光损伤阈值。
- 谭天亚吴炜郭永新邵建达范正修
- 关键词：LBO晶体附着力缓冲层
