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安徽省高等学校优秀青年人才基金(2011SQRL121)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：王新张琳冯红艳朱顺官吴蓉更多>>
相关机构：巢湖学院南京理工大学更多>>
发文基金：安徽省高等学校优秀青年人才基金更多>>
相关领域：兵器科学与技术理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 1篇等离子体
  • 1篇半导体桥

机构

  • 1篇巢湖学院
  • 1篇南京理工大学

作者

  • 1篇吴蓉
  • 1篇朱顺官
  • 1篇冯红艳
  • 1篇张琳
  • 1篇王新

传媒

  • 1篇巢湖学院学报

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
低输入能条件下半导体桥等离子体放电特性研究
2011年
采用脉冲放电的方式,获得低输入能条件下半导体桥等离子体的光电信号,实验研究了放电电压为18V、充电电容为47μF和放电电压为57V、充电电容为4.7μF的两种输入能相同的发火条件下半导体桥等离子体放电特性。结果表明,低输入能量条件下,小电容大电压容易完成桥膜物理形态的转变,等离子体后期放电开始的时间早,且持续时间长,但是由于消耗在桥上的能量比较多,得到的等离子体温度并不高。
吴蓉冯红艳朱顺官张琳王新
关键词：半导体桥等离子体
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