教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-05-0659)
- 作品数：5 被引量：7H指数：1
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- 溶胶凝胶法制备氧化硅薄膜裂纹形貌研究
- 2009年
- 用溶胶凝胶法在玻璃基底上制备了波浪形纳米裂纹,并研究了氧化硅薄膜内波浪形纳米裂纹的形貌和生长过程。波浪形裂纹宽度在50—500 nm之间,振幅和波长在5—10μm内。波浪形裂纹总是在缺陷处优先生长。波浪形裂纹的生长过程中要经历3个阶段:波浪形裂纹尖端孕育形成、裂纹加速生长、快速生长直到生长结束。波浪形裂纹扩展长度随着热处理时间增加而增加,其扩张长度可以达到100μm以上。这些波浪形裂纹可以用作制备纳米线的模板。
- 陈炎兵孙志刚魏琳琳余海湖顾尔丹
- 关键词：二氧化硅SOL-GEL
- 凹凸结构纳米多孔氧化硅的制备
- 采用金属辅助化学反应刻蚀法制备了具有凹凸结构的纳米多孔氧化硅,利用光学显微镜、原子力显微镜、扫描电子显微镜和透射电子显微镜等,研究了刻蚀时间对纳米多孔氧化硅形貌结构的影响．结果表明：刻蚀初期在强氧化性酸的作用下,硅表面形...
- 蔡勇孙志刚H.Akinaga余海湖顾尔丹李咪
- 文献传递
- 溶胶-凝胶法制备Fe掺杂In_2O_3薄膜的室温铁磁性被引量：7
- 2008年
- 采用溶胶-凝胶法以(普通)玻璃为基底制备了摩尔分数为10%Fe掺杂In2O3的透明薄膜。分别用XRD、FE-SEM、UV-Vis和VSM对样品结构、形貌、透过率和磁性进行表征。XRD结果表明样品衍射峰为立方In2O3结构,无其它相。SEM图谱清晰说明薄膜致密,晶粒约为14 nm且分布均匀,无团聚现象。UV-Vis光谱测得样品在可见光内透射率高于80%,且Fe掺杂引起光学吸收谱红移。VSM结果表明样品具有室温铁磁性。
- 高洪陈炎兵孙志刚
- 关键词：溶胶-凝胶法室温铁磁性
- Cu对Fe:In_2O_3稀磁半导体结构和磁性能的影响
- 2009年
- 采用高温固相反应法制备出稀释磁性半导体（In0．9-xFe0.1Cux）2O3（x=0-0．03）。分别用XRD和VSM对样品的结构和性能进行了表征。研究表明：样品在0≤X≤0．01时，均为单相结构且晶格常数随Cu的含量．27的增大而减小；而z〉0．01后，出现杂质相且晶格常数随Cu的含量z的增大而增大。在无Cu掺杂和高掺杂时样品均表现为室温顺磁性，而Cu适量掺杂的样品在室温下具有铁磁性，研究表明室温铁磁性与载流子浓度、3d原子浓度密切相关。
- 李咪孙志刚蔡勇高洪陈炎兵段伟顾尔丹
- 关键词：IN2O3室温铁磁性载流子浓度
- Nd_(60-x)Ce_xFe_(30)Al_(10)非晶合金的制备及性能
- 2009年
- 利用铜辊甩带法制备出名义成分为Nd60-xCexFe30Al10(x=0,10,20,30,60)合金条带样品。用X射线衍射仪(XRD)、示差扫描量热仪(DSC)、振动样品磁量计(VSM)测试条带样品的相组成、非晶形成能力和磁性能。XRD结果表明所制备的条带样品基本为非晶结构。DSC研究结果表明,当x=0,10时,样品未出现明显的玻璃转变,而当x=20,30,60时,样品出现了极低的玻璃转变温度Tg,分别为369 K,366 K,365 K,在整个Ce取代Nd的过程中,样品的晶化温度(Tx1,Tx)也随着x的增加而减小。当x≥20时,样品非晶形成能力(ΔTx=Tx1-Tg)随Ce含量增大而减小,其中当x=20时,ΔTx有最大值90 K。VSM结果显示,样品的饱和磁化强度Ms、剩余磁化强度Mr和矫顽力Hc均随Ce含量增加而近似成线性减小,条带样品的铁磁性减弱,Ce60Fe30Al10呈现完全的室温顺磁性。
- 段伟孙志刚高洪陈炎兵李咪王江月
- 关键词：CE非晶形成能力磁性能
- 凹凸结构纳米多孔氧化硅的制备
- 2007年
- 采用金属辅助化学反应刻蚀法制备了具有凹凸结构的纳米多孔氧化硅，利用光学显微镜、原子力显微镜、扫描电子显微镜和透射电子显微镜等，研究了刻蚀时间对纳米多孔氧化硅形貌结构的影响。结果表明：刻蚀初期在强氧化性酸的作用下，硅表面形成一层氧化硅薄膜，进一步刻蚀，氧化硅薄膜出现规则的周期性凹凸结构裂纹。最后展望了这种凹凸结构纳米多孔氧化硅的应用前景。
- 蔡勇孙志刚H．Akinaga余海湖顾尔丹李咪
