北京市自然科学基金(4073029)
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 相关作者：王如志严辉宋雪梅王波魏金生更多>>
- 相关机构：北京工业大学首都师范大学更多>>
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- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- 半导体超晶格系统中的磁电调控电子自旋输运研究被引量：2
- 2009年
- 通过采用转移矩阵方法求解自旋电子隧穿过程,理论研究了半导体超晶格系统中电子自旋输运的磁电调控行为.结果表明:仅对超晶格系统施以磁调制,隧穿系数将出现自旋分裂,随磁场增强,电导自旋极化率变大且展宽于费米能区;若选取不变磁场情况,同时施以间隔周期电场调制,超晶格的电子极化率将有更为显著地提高.进一步发现,随电场强度的改变,电子自旋输运行为显然存在两个明显不同区域,下自旋电子将在不同调制区域表现为不同的变化趋势.然而,若对周期磁超晶格施加间隔两周期的电调制,自旋电导输运的临界行为消失,电导极化率在高能区的共振峰趋向消失.这也说明超晶格系统的对称性将可能对其磁电调控自旋输运行为产生重要影响.
- 王如志袁瑞玚宋雪梅魏金生严辉
- 关键词：半导体超晶格自旋输运
- 半导体薄膜场发射中的膜厚影响
- 2007年
- 考虑到薄膜中的电子散射,发展与完善了现有的场发射F-N(Fowler-Nordheim)模型,理论研究了不同厚度的半导体薄膜对其场发射性能的影响。结果表明:薄膜厚度对场发射性能的影响是非常显著的,随着薄膜厚度的增加,将相继出现极差膜厚值与最佳膜厚值,理论计算很好地验证了已有的实验结果;并进一步理论分析了半导体薄膜场发射性能随膜厚变化行为的物理实质,其可能来源于有效隧穿势垒面积的改变及电流密度在薄膜中的散射衰减。
- 段志强王如志袁瑞玚王波严辉
- 非晶氮化镓纳米超薄膜PLD制备及其场发射性能被引量：1
- 2009年
- 利用脉冲激光沉积法(PLD)制备了非晶氮化镓(a-GaN)5 nm超薄膜及300 nm普通薄膜并研究了其场发射性能.实验表明:较之于普通非晶GaN薄膜,a-GaN纳米超薄膜具有更为优异的场发射特性,在设定阈值电流密度为1μA/cm^2时,其阈值电场仅为0.78 V/μm(为目前报道的GaN薄膜场发射最好结果);而当所加的电场为3.72 V/μm时,发射电流密度高达42 mA/cm^2.研究结果从实验上验证了基于宽带隙半导体超薄膜场发射的理论机制(Binh等.Phys Rev Lett,2000,85(4):864 867),即由于超薄膜导致的阴极表面势垒显著降低,从而极大地增强了场发射性能.
- 王峰瀛王如志赵维宋雪梅王波严辉
- 关键词：场发射功函数
