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湖北省自然科学基金(2000J158)

作品数:8 被引量:15H指数:3
相关作者:徐静平钟德刚韩弼黎沛涛于军更多>>
相关机构:华中科技大学香港大学湘潭师范学院更多>>
发文基金:湖北省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 6篇肖特基
  • 6篇二极管
  • 5篇感器
  • 5篇传感
  • 5篇传感器
  • 4篇势垒
  • 4篇气体传感
  • 4篇气体传感器
  • 4篇肖特基势垒
  • 4篇肖特基势垒二...
  • 3篇碳化硅
  • 2篇肖特基二极管
  • 2篇半导体
  • 2篇SIC
  • 2篇MATLAB
  • 1篇导体
  • 1篇电特性
  • 1篇氧化氮
  • 1篇直流磁控
  • 1篇直流磁控溅射

机构

  • 8篇华中科技大学
  • 3篇香港大学
  • 1篇湘潭师范学院

作者

  • 8篇徐静平
  • 6篇钟德刚
  • 3篇黎沛涛
  • 3篇韩弼
  • 3篇于军
  • 2篇李艳萍
  • 2篇陈卫兵
  • 1篇吴海平
  • 1篇石迎生
  • 1篇高俊雄
  • 1篇李春霞
  • 1篇邹晓
  • 1篇余国义
  • 1篇喻骞宇
  • 1篇张旭
  • 1篇刘志波

传媒

  • 2篇传感技术学报
  • 2篇压电与声光
  • 1篇华中科技大学...
  • 1篇微电子学
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇湘潭师范学院...

年份

  • 1篇2006
  • 3篇2004
  • 1篇2003
  • 3篇2002
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
MISiC氢敏传感器物理模型及特性模拟被引量:4
2004年
分析了金属 绝缘体 SiC(MISiC)肖特基势垒二极管 (SBD)气体传感器的响应机理 ,将SBD热电子发射理论和氢吸附 解吸理论相结合 ,通过考虑势垒高度调制效应以及理想因子随外界条件的变化 ,建立了MISiCSBD气体传感器物理模型 ,模拟结果与实验十分吻合。采用此模型 ,分析了器件特性与绝缘层厚度的关系 ,并在灵敏度、可靠性和工作电流 /电流分辨率诸因素之间其进行了优化设计 ,对于 30 0℃左右的高温应用 ,确定出最佳绝缘层厚度为2~ 2 .3nm。
徐静平韩弼黎沛涛钟德刚吴海平
关键词:肖特基势垒二极管气体传感器SBD
高性能Si基MOS肖特基二极管式氢气传感器研究被引量:4
2004年
报道了采用NO直接氧化制备氮化氧化物作为绝缘层制备高性能Si基MOS肖特基二极管式气体传感器(SDS)的技术。实验结果显示,MOS肖特基二极管式气体传感器具有高的响应灵敏度和好的响应重复性,可以探测浓度约为10-6的氢气。因此,采用NO直接氧化法制备绝缘层是一种制备高可靠、高灵敏度Si基MOSSDS的技术。
钟德刚徐静平
关键词:肖特基二极管氢气传感器氧化氮
新颖的氧化生长绝缘层的MISiC传感器特性研究被引量:2
2006年
采用新颖的NO和O2+CHCCl3(TCE)氧化技术制备金属-绝缘-体SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的栅绝缘层,研究了传感器的响应特性。结果表明,传感器可快速的检测低浓度的氢气,NO氮化氧化改善了绝缘层的界面,TCE工艺降低了界面态密度和氧化层的有效电荷密度,并同时提取重金属以提高传感器的性能,使其可在高温(如300℃)等恶劣环境下长期可靠的工作,研究还发现:适当增加绝缘层厚度有助于传感器灵敏度和可靠性的改进。
韩弼徐静平李艳萍陈卫兵邹晓李春霞
关键词:肖特基势垒二极管气体传感器
Pt/6H-SiC肖特基势垒二极管特性分析被引量:1
2003年
 采用直流磁控溅射法、Pt作肖特基接触的工艺,制作了N型6H-SiC肖特基势垒二极管,对肖特基势垒二极管的电学特性及温度特性进行了研究。实验结果表明,该器件具有很好的整流特性,反向电流小、击穿电压高,且在高温下器件波动很小,能够稳定地工作,适合于在高温(600°C)等恶劣环境下长期可靠地工作。
钟德刚徐静平高俊雄于军
关键词:碳化硅宽禁带半导体肖特基势垒二极管直流磁控溅射碳化硅
MISiC肖特基二极管式气体传感器响应特性分析被引量:2
2002年
分析了金属 绝缘体 SiC (MISiC)结构肖特基二极管 (SBD)气体传感器敏感机理 ,通过将热电子发射理论与隧道理论结合 ,建立了器件物理模型 .模拟结果表明 ,响应特性与金属电极类型、绝缘层厚度、气体吸收效率和温度有关 .模拟结果与实验符合较好 .通过模拟 ,得到MISiC结构最佳绝缘层 (SiO2 )厚度应为 1nm左右 .
钟德刚徐静平黎沛涛于军
关键词:响应特性I-V特性
基于MATLAB的SiC肖特基二极管气体传感器模拟被引量:3
2002年
提出了SiC-SBD气体传感器器件分析模型,利用当前流行的MATLAB强大的计算编程功能,模拟了SiC-SBD气体传感器的电流-电压特性,结果与实验数据吻合很好,较好地解释了Pd-SiC肖特基二极管比较灵敏的原因,并根据模拟结果提出了提高传感器灵敏度的方法。
钟德刚徐静平张旭喻骞宇刘志波于军
关键词:碳化硅肖特基二极管气体传感器MATLAB
用于VLSI的MOSiC器件电特性模拟
2002年
在分析了金属 -氧化物 -SiC (MOSiC)器件物理模型的基础上 ,分析了界面等物理效应对器件的影响 ,建立了适于VLSI的MOSiC器件模型。利用当今流行的MATLAB软件 ,模拟了MOSiC器件的电特性。
陈卫兵钟德刚徐静平石迎生余国义
关键词:VLSIMATLAB电特性半导体器件计算机模拟
N_2O氧化制备MISiC氢传感器的响应特性分析被引量:2
2004年
采用N2 O氮化氧化技术制备氮化氧化物作为绝缘层制备金属 -绝缘体 -SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的技术 ,对传感器的响应特性进行了研究。实验结果表明 ,N2 O工艺能明显改善栅绝缘层和衬底之间的界面特性从而提高传感器的性能 ,可在高温 (如 30 0℃ )等恶劣环境下长期可靠的工作 ,且适当增加绝缘层厚度有助于传感器灵敏度和可靠性的改进。
韩弼徐静平黎沛涛李艳萍
关键词:肖特基势垒二极管气体传感器
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