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国家自然科学基金(60776020)

作品数：24 被引量：34H指数：3
相关作者：姚若河李斌吴为敬刘远欧秀平更多>>
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文献类型

  • 23篇中文期刊文章

领域

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  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

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  • 13篇薄膜晶体管
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  • 3篇电路
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  • 3篇集成电路
  • 3篇表面势
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  • 2篇阈值电压
  • 2篇晶粒间界
  • 2篇加法器

机构

  • 23篇华南理工大学
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作者

  • 18篇姚若河
  • 10篇李斌
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  • 1篇何贵平
  • 1篇熊超
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传媒

  • 10篇华南理工大学...
  • 4篇微电子学
  • 1篇半导体技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇华中科技大学...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇核电子学与探...
  • 1篇电子器件
  • 1篇科学技术与工...

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 5篇2011
  • 6篇2010
  • 2篇2009
  • 4篇2008
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高效的五基数剩余数至二进制数转换器设计被引量：1
2010年
针对混合基算法无法同时处理多个模而导致基于此算法的剩余数至二进制数转换器面积和延时较大的问题,提出了一个基于中国余数定理的高效并行的转换算法,并给出了相应的电路实现.该算法采用五基数模集合{2n-1,2n,2n+1,2n+1-1,2n-1-1}同时处理5个模,消除了所有超过动态范围的项,电路完全由加法器构成.实验结果表明,相比同类的转换器,文中的转换器节省了12%的面积,并使计算速度提高了14%.
陈建文姚若河
关键词：加法器
多晶硅薄膜晶体管的有效迁移率模型被引量：1
2010年
提出一个多晶硅薄膜晶体管的有效迁移率模型.该模型同时考虑了晶体管沟道内晶粒的数目、载流子在晶粒与晶粒间界处不同的输运特性和栅致迁移率降低效应,适应于从小晶粒到大晶粒线性区的多晶硅薄膜晶体管.研究表明:当晶粒尺寸Lg<0.4μm时,其有效迁移率主要由晶粒间界控制;降低晶粒间界陷阱态密度可提高有效迁移率;减小栅氧化层厚度可增强栅压对有效迁移率的控制作用;高栅压时出现明显的有效迁移率退化效应.
姚若河欧秀平
关键词：多晶硅薄膜晶体管迁移率模型晶粒间界
多晶硅薄膜晶体管中的晶粒间界电荷分享效应被引量：1
2008年
通过对晶粒间界两侧耗尽区建立准二维模型,研究晶粒间界电荷分享效应对多晶硅薄膜晶体管阈值电压的影响。研究表明,考虑了晶粒间界电荷分享效应的阈值电压将变小,其中晶粒尺寸对阈值电压的影响最大。在此基础上,建立了多晶硅薄膜晶体管的阈值电压解析模型。
欧秀平姚若河吴为敬
关键词：多晶硅薄膜晶体管晶粒间界
基于扩散模型的ZnO/p-Si异质结伏安特性研究被引量：1
2011年
为了揭示ZnO/p-Si异质结的导电机理,基于p-n结扩散模型和Anderson扩散模型推导了ZnO/p-Si异质结在理想情况下的伏安特性,并分析了掺杂浓度、工作温度以及能带补偿的影响.结果表明:当正向偏压超过势垒高度时,界面两边多数载流子由耗尽变为堆积,形成反向势垒,对异质结的正向电流起阻碍作用;当外加正向电压等于内建势垒高度时,伏安特性曲线出现转折点;当外加正向电压超过转折点电压时,电流密度随电压升高而增大的速度减缓;反向饱和电流密度随p-Si受主掺杂浓度的增加和工作温度的降低而减小,但与ZnO的掺杂浓度和导带补偿无关;p-Si和ZnO的掺杂浓度减小、工作温度升高以及导带补偿增大均会引起转折点位置对应的外加正向电压减小.
熊超姚若河耿魁伟
关键词：氧化锌异质结伏安特性
多晶硅薄膜晶体管Kink效应研究与建模
2008年
多晶硅薄膜晶体管(P-Si TFTs)技术在SOP(system on panel)显示应用中发挥着越来越重要的作用。随着尺寸的不断缩小,P-Si TFT的Kink效应越来越明显,对有源液晶显示矩阵和驱动电路的性能影响很大。对发生Kink效应的物理机制、二维数值仿真及其一维解析模型进行了分析,讨论了晶粒边界、沟道长度与Kink效应的关系,提出建立适合电路仿真的一维解析模型的关键与展望。
陈荣盛郑学仁邓婉玲姚若河吴朝晖吴为敬
关键词：多晶硅薄膜晶体管KINK
LSSVM在指数寿命型小子样IC寿命预测的应用被引量：2
2011年
针对传统寿命预测方法需要大量样本与现代高可靠集成电路(IC)在寿命试验中通常只有少量失效样本的矛盾,提出了基于最小二乘支持向量机(LSSVM)的指数寿命型小子样IC寿命预测方法。用蒙特卡罗方法研究了该方法在指数寿命型IC寿命预测应用中的可行性。同时与基于神经网络的预测方法相比。结果表明基于LSSVM的方法能更精确地预测小子样下IC的寿命,可为预测指数寿命型小子样IC的寿命提供一种新的有效途径。
邹心遥姚若河
关键词：最小二乘支持向量机集成电路小子样
4基数模集合反向转换器的设计
2012年
针对大动态范围剩余数系统,给出了一个新的4基数模集合{2n-1,22n+1,2n+1,2n-1},基于新中国余数定理1实现了该模集合的剩余数至二进制的高效并行转换算法,并给出相应的转换器电路实现.与同类模集合反向转换器相比,文中提出的转换器电路完全由加法器构成,大大降低了对硬件电路的要求,明显减小了转换器的面积和电路延迟,提高了转换效率.
吕晓兰姚若河
关键词：加法器
基于晶界离散分布的多晶硅薄膜晶体管直流模型
2012年
基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)漏电流模型无法体现晶界的离散分布特性,而基于阈值电压模型的各工作分区电流表达式存在不连续性.为克服此缺点,根据基于表面势模型的建模思想,考虑晶界势垒在沟道中离散分布的特点,提出了多晶硅薄膜晶体管的直流漏电流模型.该模型采用单一的解析方程描述多晶硅TFT各工作区的电流.研究结果表明:TFT工作于线性区且栅压一定时,随着漏压的增大,沟道有效迁移率降低;随着栅压的增大或沟道的缩短,漏电压对沟道有效迁移率的影响减弱.
严炳辉李斌姚若河吴为敬
关键词：多晶硅薄膜晶体管电流模型表面势
多晶硅薄膜晶体管泄漏区带间隧穿电流的建模被引量：1
2009年
讨论了带间隧穿(BBT)效应在多晶硅薄膜晶体管所有的泄漏机制中占主导地位的条件因素,说明了在高场或低温情况下,泄漏电流主要来自带间隧穿.考虑了BBT的两个产生区域——栅漏交叠处和靠近漏端的PN结耗尽区,分析了陷阱态密度以及掺杂浓度对BBT电流的影响,最后提出了一个适用于多晶硅薄膜晶体管泄漏区的带间隧穿电流模型.
李树花李斌吴为敬
关键词：多晶硅薄膜晶体管
低掺杂多晶硅薄膜晶体管阈值电压的修正模型被引量：3
2010年
对低掺杂多晶硅薄膜晶体管的表面势进行分析,将表面势开始偏离亚阈值区、沟道电流迅速增加时所对应的栅压作为晶体管的阈值电压.考虑到多晶硅薄膜的陷阱态密度为单指数分布,通过对低掺杂多晶硅薄膜晶体管的表面势进行求解,推导出一个多晶硅薄膜晶体管阈值电压解析模型,并采用数值仿真方法对模型进行了验证.结果表明:新模型所得到的阈值电压与采用二次导数法提取的阈值电压相吻合.
姚若河欧秀平
关键词：多晶硅薄膜晶体管阈值电压表面势
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